画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SS13 | 0.0686 | ![]() | 1513 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS13 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 1 a | 200 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | jantx1n5545bur-1 | - | ![]() | 5491 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 27 V | 30 V | 100オーム | ||||||||||||
![]() | DCD010-TB-E | 0.0500 | ![]() | 5100 | 0.00000000 | sanyo | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | 標準 | 3-CP | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 20 v | 100mA | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 15 V | 125°C (最大) | |||||||||||||
![]() | cdll4923/tr | 23.8200 | ![]() | 3902 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜100°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll4923/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 12 V | 19.2 v | 150オーム | |||||||||||||
![]() | SMAZ5935B-E3/61 | 0.1219 | ![]() | 4240 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAZ5935 | 500 MW | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 20.6 v | 27 v | 23オーム | |||||||||||
![]() | Jan1n3018bur-1/tr | 11.4247 | ![]() | 4152 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3018bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 150 µA @ 5.2 v | 8.2 v | 4.5オーム | ||||||||||||
![]() | SMBG5917C/TR13 | - | ![]() | 7860 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5917 | 2 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 1.5 v | 4.7 v | 5オーム | |||||||||||
![]() | BZT52-B13S_R1_00001 | 0.2400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | BZT52-B2V4S | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-BZT52-B13S_R1_00001DKR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 100 Na @ 10 V | 13 v | 25オーム | |||||||||||
![]() | cus05f40、H3f | 0.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | CUS05F40 | ショットキー | USC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 810 mv @ 500 Ma | 15 µA @ 40 V | 150°C (最大) | 500mA | 28pf @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | VS-SDE270M04MPBF | - | ![]() | 7694 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | - | - | SDE270 | - | - | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | VSSDE270M04MPBF | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | - | - | - | - | |||||||||||||
![]() | RD75E-T1 | 0.0700 | ![]() | 6376 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | DSI45-08A | 4.7600 | ![]() | 9716 | 0.00000000 | ixys | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | DSI45 | 標準 | TO-247AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.28 V @ 45 a | 20 µA @ 800 V | -40°C〜175°C | 45a | - | ||||||||||
![]() | RB411DT146 | 0.4300 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | RB411 | ショットキー | SMD3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 500 Ma | 30 µA @ 10 V | 125°C (最大) | 500mA | 20pf @ 10V、1MHz | ||||||||||
![]() | R6201250XXOO | - | ![]() | 5102 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | バルク | アクティブ | クランプオン | do-200aa、a-puk | R6201250 | 標準 | DO-200AA 、R62 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.4 V @ 800 a | 11 µs | 50 mA @ 1200 v | 500a | - | |||||||||||
VS-MBR340TR | - | ![]() | 9446 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | MBR3 | ショットキー | C-16 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 高速回復= <500ns | 40 v | 600 mV @ 3 a | 600 µA @ 40 V | -40°C〜150°C | 3a | 190pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | SR309HR0G | - | ![]() | 4539 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | do-201ad、軸 | SR309 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 90 v | 850 mv @ 3 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | 1N1345C | 45.3600 | ![]() | 5802 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 1N1345 | 標準 | DO-4 (DO-203AA) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 300 V | 1.3 V @ 30 a | 10 µA @ 300 V | -65°C〜200°C | 16a | - | |||||||||||
![]() | BYW27-100-CT | 0.4083 | ![]() | 3942 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | ストリップ | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-41、軸 | byw27 | 標準 | DO-41/DO-204AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2721-byw27-100-ct | 8541.10.0000 | 25 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.3 V @ 1 a | 1.5 µs | 200 Na @ 100 V | -50°C〜175°C | 1a | - | |||||||||
![]() | 1N1203AR | 34.7100 | ![]() | 9608 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 1N1203 | 標準、逆極性 | DO-4 (DO-203AA) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 300 V | 1.2 V @ 30 a | 10 µA @ 300 V | -65°C〜200°C | 12a | - | |||||||||||
![]() | MBRS20150CT-Y MNG | - | ![]() | 3395 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS20150 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 20a | 990 mV @ 10 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | VS-20ETF10FPPBF | - | ![]() | 8001 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 20ETF10 | 標準 | TO-220ACフルパック | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.31 V @ 20 a | 400 ns | 100 µA @ 1000 V | -40°C〜150°C | 20a | - | |||||||||
![]() | PMEG045V050EPE-QZ | 0.6100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | ショットキー | CFP15B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 45 v | 490 mV @ 5 a | 18 ns | 300 µA @ 45 V | 175°C | 5a | 540pf @ 1V、1MHz | ||||||||||
jantx1n5802us/tr | 17.4750 | ![]() | 1491 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/477 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | D-5a | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-jantx1n5802us/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 875 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V、1MHz | ||||||||||
1N961A | 2.1000 | ![]() | 2880 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 1N961 | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 7.6 v | 10 v | 8.5オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5367/TR12 | 2.6250 | ![]() | 2374 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5367 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 31 V | 43 v | 20オーム | |||||||||||
![]() | BA159GPHE3/54 | - | ![]() | 5092 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BA159 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | RKS101KG-1 #P1 | 0.1700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | RKS101 | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
NRVBSS34FA | 0.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123F | NRVBSS34 | ショットキー | SOD-123FL | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 3 a | 12 ns | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 3a | 152pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SZ3C56 | 0.1133 | ![]() | 5335 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 3 W | melf do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-SZ3C56TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µA @ 28 V | 56 v | 25オーム | ||||||||||||||
MMBD7000-G3-08 | 0.0371 | ![]() | 4969 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | MMBD7000 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 100 V | 200MA (DC) | 1.1 V @ 100 MA | 4 ns | 3 µA @ 100 V | -55°C〜150°C |
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