SIC
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トランジスタ（100539）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） テスト条件 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 電圧 -テスト 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 抵抗-RDS （オン） 電流排水（ id） -最大
IRG7PH35UPBF International Rectifier IRG7PH35UPBF 2.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 国際整流器 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 標準 210 W TO-247AC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 600V 、20A 、10OHM15V 溝 1200 v 55 a 60 a 2.2V @ 15V 、20a 1.06MJ （オン）、620µJ 130 NC 30ns/160ns
CMPF4416A TR Central Semiconductor Corp CMPF4416A TR 0.5708
RFQ
 ECAD 2615 0.00000000 Corp - テープ＆リール（ tr） アクティブ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 CMPF4416 350 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 35 v 4.5pf @ 15V 35 v 5 ma @ 15 v 2.5 V @ 1 Na
RJP4002ASA-00#Q0 Renesas Electronics America Inc RJP4002ASA-00 Q0 1.4800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 204
STGP14NC60KD STMicroelectronics stgp14nc60kd 1.8700
RFQ
 ECAD 5211 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh™ チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 STGP14 標準 80 w TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 497-5121-5 ear99 8541.29.0095 50 390V 、7a 、10OHM 、15V 37 ns - 600 V 25 a 50 a 2.5V @ 15V 、7a 82µj（on ）、 155µj （オフ） 34.4 NC 22.5ns/116ns
2N4857JTXV02 Vishay Siliconix 2N4857JTXV02 -
RFQ
 ECAD 8900 0.00000000 Vishay Siliconix - チューブ 廃止 - 穴を通して to-206aa 2N4857 to-206aa ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 40 - -
BSS138WQ-13-F Diodes Incorporated BSS138WQ-13-F 0.0362
RFQ
 ECAD 1001 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 BSS138 モスフェット（金属酸化物） SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 31-BSS138WQ-13-FTR ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 50 v 280ma（ta） 10V 3.5OHM @ 220MA 、10V 1.5V @ 250µA 1.5 NC @ 10 V ±20V 48 pf @ 25 v - 400MW
FD1200R12IE4B1S1BDMA1 Infineon Technologies FD1200R12IE4B1S1BDMA1 1.0000
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 Infineon Technologies * バルク 廃止 FD1200R ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FD1200R12IE4B1S1BDMA1 ear99 8541.29.0095 1
IRFW820BTM Fairchild Semiconductor IRFW820BTM 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 500 V 2.5a 10V 2.6OHM @ 1.25A 、10V 4V @ 250µA 18 NC @ 10 V ±30V 610 pf @ 25 v - 3.13W （TA ）、49W
DI040P04PT Diotec Semiconductor DI040P04PT 0.5962
RFQ
 ECAD 2182 0.00000000 diotec半導体 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-POWERWDFN DI040P04 モスフェット（金属酸化物） 8-QFN（3x3） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー 2796-DI040P04PTTR 8541.21.0000 5,000 pチャネル 40 v 40a（tc） 4.5V 、10V 15mohm @ 10a 、10V 2.5V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±20V 3538 PF @ 20 V - 22.7W
CMPDM7003 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPDM7003 TR PBFREE 0.4400
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Corp - テープ＆リール（ tr） アクティブ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 CMPDM7003 モスフェット（金属酸化物） SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 50 v 280ma（ta） 1.8V 、10V 2OHM @ 50MA 、5V 1V @ 250µA 0.76 NC @ 4.5 V 12V 50 pf @ 25 V - 350MW
HUFA75321D3ST Fairchild Semiconductor hufa75321d3st 0.4200
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 フェアチャイルド半導体 自動車、AEC-Q101 バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 hufa75 モスフェット（金属酸化物） TO-252AA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 2,500 nチャネル 55 v 20a（tc） 10V 36mohm @ 20a 、10V 4V @ 250µA 44 NC @ 20 V ±20V 680 PF @ 25 V - 93W
SIR820DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR820DP-T1-GE3 0.6350
RFQ
 ECAD 3781 0.00000000 Vishay Siliconix - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント PowerPak®SO-8 SIR820 モスフェット（金属酸化物） PowerPak®SO-8 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 40a（tc） 4.5V 、10V 3mohm @ 15a 、10V 2.4V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±20V 3512 PF @ 15 V - 37.8W
DMTH43M8LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH43M8LPSQ-13 1.2300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn DMTH43 モスフェット（金属酸化物） PowerDi5060-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 40 v 22a 5V、10V 3.3mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 250µA 49 NC @ 10 V ±20V 3367 PF @ 20 V - 2.7W （TA）
IPS65R950C6AKMA1 Infineon Technologies IPS65R950C6AKMA1 1.1100
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK IPS65R モスフェット（金属酸化物） PG-to251-3-11 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 650 V 4.5a 10V 950mohm @ 1.5a 、10V 3.5V @ 200µA 15.3 NC @ 10 V ±20V 328 PF @ 100 V - 37W （TC）
PMV90ENER Nexperia USA Inc. PMV90ENER 0.4600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Nexperia USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 PMV90 モスフェット（金属酸化物） TO-236AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 3a（ta） 4.5V 、10V 72mohm @ 3a 、10V 2.5V @ 250µA 5.5 NC @ 10 V ±20V 160 pf @ 15 V - 460MW
2N4391 Solid State Inc. 2N4391 4.7500
RFQ
 ECAD 1282 0.00000000 Solid State Inc. - バルク アクティブ - 穴を通して to-206aa TO-18 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー 2383-2N4391 ear99 8541.10.0080 10 - 400 mV 14pf @ 20V 40 v 50 mA @ 20 v 4 V @ 1 Na 30オーム
SIE874DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE874DF-T1-GE3 2.4600
RFQ
 ECAD 413 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 10-Polarpak® Sie874 モスフェット（金属酸化物） 10-Polarpak® ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 60a（tc） 4.5V 、10V 1.17mohm @ 20a 、10V 2.2V @ 250µA 145 NC @ 10 V ±20V 6200 PF @ 10 V - 5.2W
IAUC100N10S5L054ATMA1 Infineon Technologies IAUC100N10S5L054ATMA1 1.2000
RFQ
 ECAD 5550 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） PG-TDSON-8-34 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 101a（tj） 4.5V 、10V 5.4mohm @ 50a 、10V 2.2V @ 64µA 53 NC @ 10 V ±20V 3744 PF @ 50 V - 130W
AOT125A60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT125A60L 2.3211
RFQ
 ECAD 7048 0.00000000 アルファ＆オメガ半導体Inc. AMOS5™ チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 AOT125 モスフェット（金属酸化物） TO-220 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 785-AOT125A60L ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 28a（tc） 10V 125mohm @ 14a 、10V 4.5V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V 2993 PF @ 100 V - 357W
MMFTP84W Diotec Semiconductor MMFTP84W 0.0404
RFQ
 ECAD 5724 0.00000000 diotec半導体 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 モスフェット（金属酸化物） SOT-323 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー 2796-MMFTP84WTR 8541.21.0000 3,000 pチャネル 50 v 130ma 45V 10ohm @ 130ma 、10V 2V @ 1MA ±20V 45 PF @ 25 V - 200mw
SI7457DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7457DP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント PowerPak®SO-8 SI7457 モスフェット（金属酸化物） PowerPak®SO-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 100 V 28a（tc） 6V 、10V 42mohm @ 7.9a 、10V 4V @ 250µA 160 NC @ 10 V ±20V 5230 PF @ 50 V - 5.2W
KSK596PCWD onsemi KSK596PCWD -
RFQ
 ECAD 9201 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 KSK59 100 MW to-92 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 nチャネル 3.5pf @ 5V 20 v 100 µA @ 5 V 600 mV @ 1 µa 1 Ma
NE3516S02-T1C-A CEL NE3516S02-T1C-A -
RFQ
 ECAD 5413 0.00000000 セル - テープ＆リール（ tr） 廃止 4 v 4-SMD 、フラットリード 12GHz Gaas HJ-fet S02 - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 nチャネル 60ma 10 Ma 165MW 14db 0.35dB 2 v
TN0104N3-G-P003 Microchip Technology TN0104N3-G-P003 0.9800
RFQ
 ECAD 2284 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 TN0104 モスフェット（金属酸化物） to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 450ma（ta） 3V、10V 1.8OHM @ 1A 、10V 1.6V @ 500µA ±20V 70 pf @ 20 v - 1W （TC）
BUK7219-55A,118 NXP Semiconductors BUK7219-55A 、118 0.5400
RFQ
 ECAD 1712 0.00000000 NXP半導体 Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BUK7219-55A 、118-954 1 nチャネル 55 v 55a（tc） 10V 19mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA ±20V 2108 PF @ 25 V - 114W
SSP1N50B Fairchild Semiconductor SSP1N50B 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 520 v 1.5a 10V 5.3OHM @ 750MA 、10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±30V 340 PF @ 25 V - 36W （TC）
APT50GR120B2 Microchip Technology APT50GR120B2 10.8900
RFQ
 ECAD 2166 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 APT50GR120 標準 694 w TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 600V 、50A 、4.3OHM、15V npt 1200 v 117 a 200 a 3.2V @ 15V 、50a 2.14MJ 445 NC 28ns/237ns
DMT10H052LFDF-13 Diodes Incorporated DMT10H052LFDF-13 0.1469
RFQ
 ECAD 4117 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-udfn露出パッド DMT10 モスフェット（金属酸化物） u-dfn2020-6 ダウンロード 影響を受けていない 31-DMT10H052LFDF-13TR ear99 8541.29.0095 10,000 nチャネル 100 V 5a（ta） 4.5V 、10V 52mohm @ 4a 、10V 3V @ 250µA 5.4 NC @ 10 V ±20V 258 PF @ 50 V - 800MW
AUIRF2903ZL Infineon Technologies auirf2903zl -
RFQ
 ECAD 7839 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） TO-262 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない SP001520876 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 30 V 160a（tc） 10V 2.4mohm @ 75a 、10V 4V @ 150µA 240 NC @ 10 V ±20V 6320 PF @ 25 V - 231W
XPW6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPW6R30ANB 、L1XHQ 1.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPW6R30 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 45a（ta） 6V 、10V 6.3mohm @ 22.5a 、10V 3.5V @ 500µA 52 NC @ 10 V ±20V 3240 PF @ 10 V - 960MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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