画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 逆回復時間( trr) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | 抵抗-RDS (オン) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGB20H65FB2 | 0.8927 | ![]() | 1330 | 0.00000000 | stmicroelectronics | HB2 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | STGB20 | 標準 | 147 w | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 497-STGB20H65FB2TR | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V 、20a 、10ohm15V | トレンチフィールドストップ | 650 V | 40 a | 60 a | 2.1V @ 15V 、20a | 265µj(on )、214µj (オフ) | 56 NC | 16ns/78.8ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | LSK389ASOIC8LTB ROHS | 11.3500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 線形統合システム、Inc。 | LSK389 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 400 MW | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 95 | 2 nチャンネル(デュアル) | 25pf @ 10V | 40 v | 2.6 mA @ 10 v | 300 mV @ 100 Na | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP75R12N3T7B81BPSA1 | 227.5900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | トレイ | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PJZ9NA90_T0_10001 | - | ![]() | 6592 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | PJZ9NA90 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pl | - | 3757-PJZ9NA90_T0_10001 | 廃止 | 1 | nチャネル | 900 V | 9a(ta) | 10V | 1.4OHM @ 4.5A 、10V | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ±30V | 1634 PF @ 25 V | - | 240W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | psmnr89-25ylex | 2.7700 | ![]() | 8890 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | SC-100 、SOT-669 | PSMNR89 | モスフェット(金属酸化物) | LFPAK56 、POWER-SO8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | nチャネル | 25 v | 270a(ta) | 7V 、10V | 0.98mohm @ 25a 、10V | 2.2V @ 2MA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 7452 PF @ 12 v | - | 224W | |||||||||||||||||||||||
![]() | SI3134KW-TP | - | ![]() | 1376 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | SI3134 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-323 | - | 353-SI3134KW-TP | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | 20 v | 750ma | 1.8V 、4.5V | 380mohm @ 650ma 、4.5V | 1V @ 250µA | ±12V | 120 pf @ 16 v | - | 200MW | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD450R12KE4NPSA1 | 222.3900 | ![]() | 5843 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKY50N120CH7XKSA1 | 12.0300 | ![]() | 230 | 0.00000000 | Infineon Technologies | TrenchStop™ | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-4 | IKY50N120 | 標準 | 398 w | PG-to247-4-U10 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 86 ns | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 75 a | 200 a | 2.15V @ 15V 、50a | 1.09MJ | 372 NC | 35ns/331ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | IgQ75N120S7XKSA1 | 12.2600 | ![]() | 240 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD300R17KE4HPSA1 | 238.0880 | ![]() | 4211 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF3MR20KM1HPSA1 | 1.0000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | - | シャーシマウント | モジュール | 標準 | AG-62mmhb | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | ハーフブリッジ | トレンチフィールドストップ | 2000 v | - | いいえ | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF450R45T3E4BPSA1 | - | ![]() | 8656 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | sicで中止されました | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1000R45KL3B5NPSA1 | 1.0000 | ![]() | 8961 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | 125°C (TJ) | シャーシマウント | モジュール | FZ1000R45 | 1600000 w | 標準 | A-IHV130 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2 | シングルスイッチ | トレンチフィールドストップ | 4500 v | 1000 a | 3.05V @ 15V、1ka | 5 Ma | いいえ | 185 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPT014N10N5ATMA1 | 6.6700 | ![]() | 5431 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 表面マウント | 8-POWERSFN | モスフェット(金属酸化物) | PG-HSOF-8-1 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | 100 V | 362a | 10V | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUTN06S5N008ATMA1 | 6.6600 | ![]() | 7440 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGLR60R190D1E8238XUMA1 | - | ![]() | 1791 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolgan™ | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | 8-powertdfn | ガンフェット(窒化ガリウム) | PG-TSON-8-6 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 600 V | 12.8a | - | - | 1.6V @ 960µA | -10V | 157 PF @ 400 v | - | 55.5W | ||||||||||||||||||||||||||
IXGP48N60B3 | - | ![]() | 5263 | 0.00000000 | ixys | genx3™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | IXGP48 | 標準 | 300 W | TO-220 | - | 238-IXGP48N60B3 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 480v | 25 ns | pt | 600 V | 48 a | 280 a | 1.8V @ 15V、32a | 840µj(オン)、660µJ | 115 NC | 22ns/130ns | ||||||||||||||||||||||||||
IXTA32P05T-TRL | 1.7646 | ![]() | 6930 | 0.00000000 | ixys | trenchp™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | IXTA32 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 238-IXTA32P05T-TRLTR | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | pチャネル | 50 v | 32a | 10V | 39mohm @ 16a 、10V | 4.5V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ±15V | 1975 PF @ 25 V | - | 83W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPZA60R024P7XKSA1 | 17.7100 | ![]() | 6584 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™p7 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-4 | IPZA60 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to247-4-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 240 | nチャネル | 600 V | 101a(tc) | 10V | 24mohm @ 42a 、10V | 4V @ 2.03MA | 164 NC @ 10 V | ±20V | 7144 PF @ 400 v | - | 291W | |||||||||||||||||||||||
![]() | AIKB50N65DF5ATMA1 | 6.3600 | ![]() | 4053 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 表面マウント | TO-263-3 | AIKB50 | 標準 | PG-to263-3-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | npt | 650 V | 50 a | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ063N04LS6ATMA1 | 1.2400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™6 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-powertdfn | BSZ063 | モスフェット(金属酸化物) | PG-TSDSON-8-FL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 40 v | 15a | 4.5V 、10V | 6.3mohm @ 20a 、10V | 2.3V @ 250µA | 9.5 NC @ 10 V | ±20V | 650 pf @ 20 v | - | 2.5W | |||||||||||||||||||||||
![]() | IPA126N10NM3SXKSA1 | 1.8500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™3 | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | IPA126 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to220フルパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 100 V | 39a | 6V 、10V | 12.6mohm @ 39a、10V | 3.5V @ 46µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 2500 PF @ 50 V | - | 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | AIGB30N65F5ATMA1 | 3.8600 | ![]() | 3644 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 表面マウント | TO-263-3 | AIGB30 | 標準 | PG-to263-3-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | npt | 650 V | 30 a | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA65R660CFDXKSA2 | 1.3395 | ![]() | 7438 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™cfd2 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | IPA65R660 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to220フルパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 700 V | 6a(tc) | 10V | 660mohm @ 2.1a 、10V | 4.5V @ 200µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 615 PF @ 100 V | - | 27.8W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA083N10NM5SXKSA1 | 1.9300 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™5 | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | IPA083 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to220フルパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 100 V | 50a(tc) | 6V 、10V | 8.3mohm @ 25a 、10V | 3.8V @ 49µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 2700 PF @ 50 V | - | 36W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | hufa76413d3s | 0.2700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,800 | nチャネル | 60 V | 20a(tc) | 4.5V 、10V | 49mohm @ 20a 、10V | 3V @ 250µA | 20 NC @ 10 V | ±16V | 645 PF @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP5P20 | 1.0000 | ![]() | 1738 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | pチャネル | 200 v | 4.8a(tc) | 10V | 1.4OHM @ 2.4A 、10V | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 430 PF @ 25 V | - | 75W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7511-55B 、127 | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 55 v | 75a(tc) | 10V | 11mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 37 NC @ 10 V | ±20V | 2604 PF @ 25 V | - | 157W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN4393 | 1.9500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2368-PN4393 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | nチャネル | 14pf @ 20V | 30 V | 100オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTE2382 | 4.7900 | ![]() | 639 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-NTE2382 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 100 V | 9.2a | 10V | 270mohm @ 4.6a 、10V | 4V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 400 pf @ 25 V | - | 50W (TC) |
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