画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | TD (オン/オフ) @ 25°C | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | 抵抗-RDS (オン) | 電流排水( id) -最大 |
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SQJ910AEP-T1_GE3 | 1.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8デュアル | SQJ910 | モスフェット(金属酸化物) | 48W | PowerPak®SO-8デュアル | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 30a(tc) | 7mohm @ 12a 、10V | 2.5V @ 250µA | 39NC @ 10V | 1869pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ntlgf3402pt2g | - | ![]() | 5739 | 0.00000000 | onsemi | fetky™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-vdfn露出パッド | NTLGF3402 | モスフェット(金属酸化物) | 6-dfn(3x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 2.3a(ta) | 2.5V 、4.5V | 140mohm @ 2.7a 、4.5V | 2V @ 250µA | 10 NC @ 4.5 v | ±12V | 350 PF @ 10 V | - | 1.14W | ||||||||||||||||||||||
EMH2407-S-TL-HX | - | ![]() | 2784 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | EMH2407 | - | - | 8-EMH | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF4L040ATTCR | 0.9100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-powerudfn | RF4L040 | モスフェット(金属酸化物) | huml2020l8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 4a(ta) | 4.5V 、10V | 89mohm @ 4a、10V | 2.5V @ 1MA | 17.3 NC @ 10 V | ±20V | 850 PF @ 30 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BSC123N10LSGATMA1 | 2.0200 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | BSC123 | モスフェット(金属酸化物) | PG-TDSON-8-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 100 V | 10.6a | 4.5V 、10V | 12.3mohm @ 50a 、10V | 2.4V @ 72µA | 68 NC @ 10 V | ±20V | 4900 PF @ 50 V | - | 114W | ||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF16N25C | - | ![]() | 3977 | 0.00000000 | onsemi | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | FQPF16 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 250 v | 15.6a | 10V | 270mohm @ 7.8a 、10V | 4V @ 250µA | 53.5 NC @ 10 V | ±30V | 1080 PF @ 25 V | - | 43W | ||||||||||||||||||||||
![]() | TF262TH-4-TL-H | - | ![]() | 4613 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、フラットリード | TF262 | 100 MW | VTFP | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | nチャネル | 3.5pf @ 2V | 140 µA @ 2 V | 200 mV @ 1 µa | 1 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD4815N-35G | 0.7800 | ![]() | 153 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-251-3 スタブリード、IPAK | NTD4815 | モスフェット(金属酸化物) | i-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 30 V | 6.9a | 4.5V 、11.5V | 15mohm @ 30a 、10V | 2.5V @ 250µA | 14.1 NC @ 11.5 v | ±20V | 770 pf @ 12 v | - | 1.26W | ||||||||||||||||||||||
![]() | MX2N4858UB | 68.7743 | ![]() | 7152 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | 2N4858 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN5434_D27Z | - | ![]() | 7410 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | PN543 | 350 MW | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | nチャネル | 30pf @ 10V | 25 v | 30 mA @ 15 v | 1 V @ 3 Na | 10オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5459_D27Z | - | ![]() | 1799 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 2N5459 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | nチャネル | 7PF @ 15V | 25 v | 4 ma @ 15 v | 2 V @ 10 Na | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTT60N20L2 | 21.5000 | ![]() | 35 | 0.00000000 | ixys | 線形L2™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-268-3 | IXTT60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-268AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | -IXTT60N20L2 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 200 v | 60a(tc) | 10V | 45mohm @ 30a 、10V | 4.5V @ 250µA | 255 NC @ 10 V | ±20V | 10500 PF @ 25 V | - | 540W | |||||||||||||||||||||
![]() | rjp4010age-00#P5 | - | ![]() | 5753 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | 8-TSSOJ (0.094 "、幅2.40mm) | RJP4010 | 標準 | 1.6 W | 8-TSOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | - | 400 V | 150 a | 9V @ 3V、150a | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMA1025p | 0.2900 | ![]() | 92 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-vdfn露出パッド | FDMA1025 | モスフェット(金属酸化物) | 700mw | 6- マイクロフェット(2x2) | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 3.1a | 155mohm @ 3.1a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 4.8NC @ 4.5V | 450pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF300SK120G | - | ![]() | 3089 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | 廃止 | - | シャーシマウント | SP6 | 1780 w | 標準 | SP6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | npt | 1200 v | 400 a | 3.9V @ 15V 、300A | 500 µA | いいえ | 21 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA10N80 | - | ![]() | 1470 | 0.00000000 | onsemi | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | FQA1 | モスフェット(金属酸化物) | to-3p | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 800 V | 9.8a(tc) | 10V | 1.05OHM @ 4.9A 、10V | 5V @ 250µA | 71 NC @ 10 V | ±30V | 2700 PF @ 25 V | - | 240W | |||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N312AD3STNL | - | ![]() | 6060 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 150 | nチャネル | 30 V | 50a(tc) | 12mohm @ 50a 、10V | 3V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1450 PF @ 15 V | - | 75W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1E170GNTB | 0.6300 | ![]() | 6593 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powertdfn | RS1E | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 17a | 4.5V 、10V | 6.7mohm @ 17a 、10V | 2.5V @ 1MA | 12 NC @ 10 V | ±20V | 720 PF @ 15 V | - | 3W (TA )、23W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDI8441 | 1.5600 | ![]() | 75 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット(金属酸化物) | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 400 | nチャネル | 40 v | 26a(タタ)、 80a(tc) | 10V | 2.7mohm @ 80a 、10V | 4V @ 250µA | 280 NC @ 10 V | ±20V | 15 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | nvmys003n08lhtwg | 1.0309 | ![]() | 6079 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOT-1023、4-LFPAK | モスフェット(金属酸化物) | lfpak4 (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 488-NVMYS003N08LHTWGTR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 80 v | 22a(ta)、132a(tc) | 4.5V 、10V | 3.3mohm @ 50a 、10V | 2V @ 183µA | 64 NC @ 10 V | ±20V | 3735 PF @ 40 V | - | 3.8W | ||||||||||||||||||||||
![]() | SI8806DB-T2-E1 | 0.4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-XFBGA | SI8806 | モスフェット(金属酸化物) | 4-Microfoot | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 12 v | 2.8a(ta) | 1.8V 、4.5V | 43mohm @ 1a 、4.5V | 1V @ 250µA | 17 NC @ 8 V | ±8V | - | 500MW | |||||||||||||||||||||||
![]() | NDD04N50Z-1G | - | ![]() | 6758 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | NDD04 | モスフェット(金属酸化物) | i-pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 500 V | 3a(tc) | 10V | 2.7OHM @ 1.5a 、10V | 4.5V @ 50µA | 12 NC @ 10 V | ±30V | 308 PF @ 25 V | - | 61W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BSD314SPE L6327 | - | ![]() | 5959 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™-P 3 | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363 | モスフェット(金属酸化物) | PG-SOT363-6-6 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 790 | pチャネル | 30 V | 1.5a(ta) | 4.5V 、10V | 140mohm @ 1.5a 、10V | 2V @ 6.3µA | 2.9 NC @ 10 V | ±20V | 294 PF @ 15 V | - | 500MW | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQA19N60 | - | ![]() | 1324 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pn | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 600 V | 18.5a | 10V | 380mohm @ 9.3a 、10V | 5V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ±30V | 3600 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS4410PBF | - | ![]() | 9954 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001573484 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 100 V | 88a(tc) | 10V | 10mohm @ 58a 、10V | 4V @ 150µA | 180 NC @ 10 V | ±20V | 5150 PF @ 50 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | auirlr024n | 0.6000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 国際整流器 | hexfet® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 55 v | 17a(tc) | 4V 、10V | 65mohm @ 10a 、10V | 2V @ 250µA | 15 NC @ 5 V | ±16V | 480 PF @ 25 V | - | 45W | |||||||||||||||||||||||
IPI50R299CPXKSA1 | - | ![]() | 5899 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | IPI50R | モスフェット(金属酸化物) | PG-to262-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 500 V | 12a(tc) | 10V | 299mohm @ 6.6a 、10V | 3.5V @ 440µA | 31 NC @ 10 V | ±20V | 1190 PF @ 100 V | - | 104W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NVD4813NHT4G | - | ![]() | 1333 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | NVD481 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 7.6a | 4.5V 、11.5V | 13mohm @ 30a 、10V | 2.5V @ 250µA | 10 NC @ 4.5 v | ±20V | 940 PF @ 12 v | - | 1.27W | |||||||||||||||||||||||
![]() | ATP602-TL-H | - | ![]() | 9470 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | atpak | ATP602 | モスフェット(金属酸化物) | atpak | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 600 V | 5a(ta) | 10V | 2.7OHM @ 2.5A 、10V | - | 13.6 NC @ 10 V | ±30V | 350 pf @ 30 V | - | 70W | |||||||||||||||||||||||
![]() | BTS244Z | 1.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 |
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