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トランジスタ（100539）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 現在の評価（ amp） テスト条件 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 電圧 -テスト
TK46A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK46A08N1、S4X 1.0700
RFQ
 ECAD 7780 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK46A08 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 46a（tc） 10V 8.4mohm @ 23a 、10V 4V @ 500µA 37 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 40 V - 35W （TC）
TK72A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK72A12N1、S4x 3.0100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK72A12 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 120 v 72a（tc） 10V 4.5mohm @ 36a 、10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 V ±20V 8100 pf @ 60 v - 45W
TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110FNH 、L1Q 1.8400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1110 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 250 v 10a（ta） 10V 112mohm @ 5a 、10V 4V @ 300µA 11 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 100 V - 1.6W
TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL 、L1Q 1.5500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1R403 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 60a（ta） 4.5V 、10V 1.4mohm @ 30a 、10V 2.3V @ 500µA 46 NC @ 10 V ±20V 4400 PF @ 15 V - 1.6W
TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R203NL 、L1Q 1.2500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH3R203 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 47a（tc） 4.5V 、10V 3.2mohm @ 23.5a 、10V 2.3V @ 300µA 21 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 15 V - 1.6W
TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6400ENH 、L1Q 1.7300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH6400 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 200 v 13a（ta） 10V 64mohm @ 6.5a 、10V 4V @ 300µA 11.2 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 100 V - 1.6W
TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R203NC、L1Q 1.2200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN2R203 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 45a（tc） 10V 2.2mohm @ 22.5a 、10V 2.3V @ 500µA 34 NC @ 10 V ±20V 2230 PF @ 15 V - 700MW
CSD19503KCS Texas Instruments CSD19503KCS 1.7300
RFQ
 ECAD 1377 0.00000000 テキサスの楽器 Nexfet™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 CSD19503 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 100a（ta） 6V 、10V 9.2mohm @ 60a 、10V 3.4V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±20V 2730 pf @ 40 v - 188W
SI4403CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4403CDY-T1-GE3 0.7900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） SI4403 モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 20 v 13.4a 1.8V 、4.5V 15.5mohm @ 9a 、4.5V 1V @ 250µA 90 NC @ 8 V ±8V 2380 PF @ 10 V - 5W （TC）
SUD50P10-43L-GE3 Vishay Siliconix sud50p10-43l-ge3 2.6500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix trenchfet® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 sud50 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 100 V 37.1a 4.5V 、10V 43mohm @ 9.2a 、10V 3V @ 250µA 160 NC @ 10 V ±20V 4600 PF @ 50 V - 8.3W
FDB070AN06A0-F085 onsemi FDB070AN06A0-F085 2.2676
RFQ
 ECAD 8331 0.00000000 onsemi Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench® テープ＆リール（ tr） 前回購入します -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 FDB070 モスフェット（金属酸化物） d²pak（ to-263） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 60 V 15a（ta） 10V 7mohm @ 80a 、10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 25 v - 175W
FDD10AN06A0-F085 onsemi FDD10AN06A0-F085 -
RFQ
 ECAD 1182 0.00000000 onsemi Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 FDD10 モスフェット（金属酸化物） TO-252AA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 60 V 11a（ta） 10V 10.5mohm @ 50a 、10V 4V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±20V 1840 pf @ 25 v - 135W
FDN5632N-F085 onsemi FDN5632N-F085 0.6700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 onsemi Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 FDN5632 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 1.7a（ta） 4.5V 、10V 82mohm @ 1.7a 、10V 3V @ 250µA 12 NC @ 10 V ±20V 475 PF @ 15 V - 1.1W
C2M0160120D Wolfspeed, Inc. C2M0160120D 13.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 wolfspeed z-fet™ チューブ 新しいデザインではありません -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 C2M0160120 sicfet （炭化シリコン） TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 19a（tc） 20V 196mohm @ 10a 、20V 2.5V @ 500µA 32.6 NC @ 20 V +25V、-10V 527 PF @ 800 V - 125W
AFT09MP055GNR1 NXP USA Inc. AFT09MP055GNR1 20.8845
RFQ
 ECAD 1853 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 40 v 表面マウント TO-270bb AFT09 870MHz ldmos TO-270 WB-4カモメ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 935317959528 ear99 8541.29.0075 500 - 550 Ma 1W 15.7dB - 12.5 v
AFT09MS007NT1 NXP USA Inc. AFT09MS007NT1 4.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 30 V 表面マウント PLD-1.5W AFT09 870MHz ldmos PLD-1.5W ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 - 100 Ma 7.3W 15.2db - 7.5 v
IGP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies IGP40N65H5XKSA1 3.3600
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Infineon Technologies TrenchStop® チューブ アクティブ -40°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 IGP40N65 標準 255 W PG-to220-3-1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 400V 、20A、15OHM、15V - 650 V 74 a 120 a 2.1V @ 15V 、40a 390µj（オン）、120µJ 95 NC 22NS/165NS
IKP15N65H5XKSA1 Infineon Technologies IKP15N65H5XKSA1 3.2700
RFQ
 ECAD 3463 0.00000000 Infineon Technologies TrenchStop® チューブ アクティブ -40°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 IKP15N65 標準 105 W PGから220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 400V 、7.5a、39ohm、15V 48 ns - 650 V 30 a 45 a 2.1V @ 15V、15a 120µj（オン）、50µj （オフ） 38 NC 17ns/160ns
IKP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies IKP40N65H5XKSA1 4.6200
RFQ
 ECAD 7444 0.00000000 Infineon Technologies TrenchStop® チューブ アクティブ -40°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 IKP40N65 標準 255 W PGから220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 400V 、20A、15OHM、15V 62 ns - 650 V 74 a 120 a 2.1V @ 15V 、40a 390µj（オン）、120µJ 95 NC 22NS/165NS
IKW40N65H5FKSA1 Infineon Technologies IKW40N65H5FKSA1 5.5400
RFQ
 ECAD 2877 0.00000000 Infineon Technologies TrenchStop® チューブ アクティブ -40°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 IKW40N65 標準 255 W PG-to247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 400V 、20A、15OHM、15V 62 ns - 650 V 74 a 120 a 2.1V @ 15V 、40a 390µj（オン）、120µJ 95 NC 22NS/165NS
IXYH30N65C3H1 IXYS IXYH30N65C3H1 8.1991
RFQ
 ECAD 2429 0.00000000 ixys genx3™xpt™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 IXYH30 標準 270 w TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 400V、30A 、10OHM15V 120 ns pt 650 V 60 a 118 a 2.7V @ 15V 、30a 1mj （オン）、270µj（オフ） 44 NC 21ns/75ns
IXYH50N65C3 IXYS IXYH50N65C3 5.5177
RFQ
 ECAD 6319 0.00000000 ixys genx3™xpt™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 IXYH50 標準 600 W TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない -ixyh50n65c3 ear99 8541.29.0095 30 400V、36A 、5OHM、15V pt 650 V 130 a 250 a 2.1V @ 15V 、36a 1.3MJ 80 NC 22ns/80ns
AUIRFP4409 Infineon Technologies auirfp4409 -
RFQ
 ECAD 9837 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 auirfp4409 モスフェット（金属酸化物） TO-247AC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない SP001518024 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 300 V 38a（tc） 10V 69mohm @ 24a 、10V 5V @ 250µA 125 NC @ 10 V ±20V 5168 PF @ 50 V - 341W
AUIRFSL8409 Infineon Technologies auirfsl8409 -
RFQ
 ECAD 6004 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-262-3 モスフェット（金属酸化物） TO-262 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない SP001516096 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 40 v 195a（tc） 10V 1.2mohm @ 100a 、10V 3.9V @ 250µA 450 NC @ 10 V ±20V 14240 PF @ 25 V - 375W
IRGP4266D-EPBF Infineon Technologies IRGP4266D-EPBF -
RFQ
 ECAD 4468 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -40°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 標準 455 w TO-247AD ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 25 400V 、75A 、10OHM 、15V 170 ns - 650 V 140 a 300 a 2.1V @ 15V 、75a 2.5MJ 210 NC 50ns/200ns
IRGP4266DPBF Infineon Technologies IRGP4266DPBF -
RFQ
 ECAD 9813 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -40°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 標準 455 w TO-247AC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない SP001542370 ear99 8541.29.0095 400 400V 、75A 、10OHM 、15V 170 ns - 650 V 140 a 300 a 2.1V @ 15V 、75a 2.5MJ 210 NC 50ns/200ns
IRF840LCSTRRPBF Vishay Siliconix IRF840LCSTRRPBF 1.8458
RFQ
 ECAD 6696 0.00000000 Vishay Siliconix - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 IRF840 モスフェット（金属酸化物） d²pak（ to-263） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 500 V 8a（tc） 10V 850mohm @ 4.8a 、10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - 3.1w
IRFD9123 Vishay Siliconix IRFD9123 -
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 Vishay Siliconix - チューブ 廃止 - 穴を通して 4-dip （0.300 "、7.62mm） IRFD9123 モスフェット（金属酸化物） 4-HVMDIP - ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 100 V 1a（ta） 600mohm @ 600ma 、10V 4V @ 250µA 18 NC @ 10 V 390 PF @ 25 V - -
IRFP21N60L Vishay Siliconix IRFP21N60L -
RFQ
 ECAD 9884 0.00000000 Vishay Siliconix - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 IRFP21 モスフェット（金属酸化物） TO-247AC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 500 nチャネル 600 V 21a（tc） 10V 320mohm @ 13a 、10V 5V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±30V 4000 pf @ 25 V - 330W
IRFPS38N60L Vishay Siliconix IRFPS38N60L -
RFQ
 ECAD 1105 0.00000000 Vishay Siliconix - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-274AA IRFPS38 モスフェット（金属酸化物） Super-247™（To-274AA - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 500 nチャネル 600 V 38a（tc） 10V 150mohm @ 23a 、10V 5V @ 250µA 320 NC @ 10 V ±30V 7990 PF @ 25 V - 540W
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    標準製品ユニット

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