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トランジスタ（102018）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） vce（on max） @ vge 電圧 -テスト 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce 電流排水（ id） -最大
FP15R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies FP15R12W1T7B11BOMA1 50.2300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies TrenchStop™ トレイ アクティブ 175°C （TJ） シャーシマウント モジュール FP15R12 標準 ag-easy1b-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-FP15R12W1T7B11BOMA1-448 ear99 8541.29.0095 24 ハーフブリッジインバーター トレンチフィールドストップ 1200 v - いいえ
IPL60R225CFD7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R225CFD7AUMA1 3.4100
RFQ
 ECAD 1657 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™cfd7 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント 4-PowertSfn IPL60R225 モスフェット（金属酸化物） PG-VSON-4-1 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 600 V 12a（tc） 10V 225mohm @ 4.9a 、10V 4.5V @ 240µA 23 NC @ 10 V ±20V 1015 PF @ 400 v - 68W （TC）
F4100R17N3E4BPSA1 Infineon Technologies F4100R17N3E4BPSA1 217.5700
RFQ
 ECAD 7753 0.00000000 Infineon Technologies Econopack™3 トレイ アクティブ - F4100 - ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 - - -
IPLK80R900P7ATMA1 Infineon Technologies IPLK80R900P7ATMA1 1.5400
RFQ
 ECAD 3719 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™p7 テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 8-powertdfn IPLK80 モスフェット（金属酸化物） PG-TDSON-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 - 800 V - - - - ±20V - -
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Infineon Technologies F3L11MR12W2M1B65BOMA1 -
RFQ
 ECAD 9105 0.00000000 Infineon Technologies Easypack™ トレイ 廃止 -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール F3L11MR12 20 MW 標準 ag-easy2bm-2 ダウンロード 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 15 3つのレベルインバーター 溝 1200 v 100 a 2.1V @ 15V 、100A 40 µA はい 7.36 nf @ 800 v
RJK5033DPD-01#J2 Renesas Electronics America Inc rjk5033dpd-01＃J2 -
RFQ
 ECAD 1832年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 - ROHS3準拠 559-RJK5033DPD-01＃J2 廃止 1 6a（tj）
SFR9110TF Fairchild Semiconductor SFR9110TF 0.5600
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 100 V 2.8a（tc） 10V 1.2OHM @ 1.4a 、10V 4V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±30V 335 PF @ 25 V - 2.5W
FQD5N50TM Fairchild Semiconductor FQD5N50TM 1.0700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 500 V 3.5a 10V 1.8OHM @ 1.75A 、10V 5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 610 pf @ 25 v - 2.5W （TA ）、50W（TC）
FQPF13N50 Fairchild Semiconductor FQPF13N50 1.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 500 V 12.5a（tc） 10V 430mohm @ 6.25a 、10V 5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±30V 2300 PF @ 25 V - 56W （TC）
NP82N04MUG-S18-AY Renesas Electronics America Inc np82n04mug-s18-ay 2.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 175°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 900 nチャネル 40 v 82a（tc） 4.2mohm @ 41a 、10V 4V @ 250µA 160 NC @ 10 V 9750 PF @ 25 V - 1.8W
NP82N04NDG-S18-AY Renesas Electronics America Inc NP82N04NDG-S18-AY 2.1600
RFQ
 ECAD 8193 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 175°C （TJ） 穴を通して TO-262-3 モスフェット（金属酸化物） TO-262-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 40 v 82a（tc） 4.2mohm @ 41a 、10V 2.5V @ 250µA 150 NC @ 10 V 9 PF @ 25 V - 1.8W
FDS4953 Fairchild Semiconductor FDS4953 -
RFQ
 ECAD 6317 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS49 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC - ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,500 2 P-Channel （デュアル） 30V 5a 55mohm @ 5a、10V 3V @ 250µA 9NC @ 5V 528pf @ 15V ロジックレベルゲート
MRF7S27130HSR5 Freescale Semiconductor MRF7S27130HSR5 115.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フリースケール半導体 - バルク 廃止 65 v シャーシマウント NI-780S 2.7GHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0075 50 - 1.5 a 23W 16.5dB - 28 v
NP90N04VDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP90N04VDG-E1-AY 1.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - バルク 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 40 v 90a 4mohm @ 45a 、10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 V 6900 PF @ 25 V - 1.2W
RJK0368DPA-00#J0 Renesas Electronics America Inc rjk0368dpa-00＃J0 0.4400
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-wpak - 適用できない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 20a（ta） 14.3mohm @ 10a 、10V 2.5V @ 1MA 6.2 NC @ 4.5 v 730 PF @ 10 V - 25W （TC）
RFP50N06 Harris Corporation RFP50N06 1.0000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 ハリスコーポレーション - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 301 nチャネル 60 V 50a（tc） 10V 22mohm @ 50a 、10V 4V @ 250µA 150 NC @ 20 V ±20V 2020 PF @ 25 V - 131W
FDS6680S Fairchild Semiconductor FDS6680S 0.5200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 11.5a（ta） 4.5V 、10V 11mohm @ 11.5a 、10V 3V @ 250µA 24 NC @ 5 V ±20V 2010 PF @ 15 V - 2.5W
FJZ594JBTF Fairchild Semiconductor FJZ594JBTF 0.0200
RFQ
 ECAD 687 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-623F 100 MW SOT-623F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 3.5pf @ 5V 20 v 150 µA @ 5 V 600 mV @ 1 µa 1 Ma
CPH3341-TL-E onsemi CPH3341-TL-E 0.2500
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-96 モスフェット（金属酸化物） 3 cph ダウンロード 適用できない ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 5a（ta） 45mohm @ 2.5a 、10V - 21.8 NC @ 10 V 1115 PF @ 10 V - 1.2W
FDS4435A Fairchild Semiconductor FDS4435A 1.2100
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 30 V 9a（ta） 4.5V 、10V 17mohm @ 9a 、10v 2V @ 250µA 30 NC @ 5 V ±20V 2010 PF @ 15 V - 2.5W
FJZ594JCTF Fairchild Semiconductor FJZ594JCTF 0.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-623F 100 MW SOT-623F ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 3.5pf @ 5V 20 v 150 µA @ 5 V 600 mV @ 1 µa 1 Ma
FDU8878 Fairchild Semiconductor FDU8878 0.3000
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 30 V 11a（タタ）、40a（tc） 4.5V 、10V 15mohm @ 35a 、10V 2.5V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±20V 880 PF @ 15 V - 40W （TC）
FQI32N20CTU Fairchild Semiconductor FQI32N20CTU 0.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 200 v 28a（tc） 10V 82mohm @ 14a 、10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±30V 2220 PF @ 25 V - 3.13W （Ta ）、156w（tc）
FQD3N50CTF Fairchild Semiconductor FQD3N50CTF 1.0000
RFQ
 ECAD 4867 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 500 V 2.5a 10V 2.5OHM @ 1.25A 、10V 4V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 365 PF @ 25 V - 35W （TC）
FQPF3N80CYDTU Fairchild Semiconductor fqpf3n80cydtu 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、形成されたリード モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 3a（tc） 10V 4.8OHM @ 1.5A 、10V 5V @ 250µA 16.5 NC @ 10 V ±30V 705 PF @ 25 V - 39W （TC）
FQAF16N25C Fairchild Semiconductor FQAF16N25C 0.9200
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 360 nチャネル 250 v 11.4a（tc） 10V 270mohm @ 5.7a 、10V 4V @ 250µA 53.5 NC @ 10 V ±30V 1080 PF @ 25 V - 73W
IRFP244 Harris Corporation IRFP244 -
RFQ
 ECAD 5094 0.00000000 ハリスコーポレーション - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247AC ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 500 nチャネル 250 v 15a（tc） 10V 280mohm @ 9a、10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 25 V - 150W
FQP17N08L Fairchild Semiconductor FQP17N08L 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 80 v 16.5a 5V、10V 100mohm @ 8.25a 、10V 2V @ 250µA 11.5 NC @ 5 V ±20V 520 PF @ 25 V - 65W
FDS9412 Fairchild Semiconductor FDS9412 0.2700
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 7.9a（ta） 4.5V 、10V 22mohm @ 7.9a 、10V 2V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 830 PF @ 15 V - 2.5W
RJK0352DSP-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0352DSP-00＃J0 0.5700
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 18a（ta） 5.6mohm @ 9a 、10V - 16 NC @ 4.5 v 2440 PF @ 10 V - 2W （TA）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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