SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
IS42S16400J-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6tli 1.7537
RFQ
ECAD 6486 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS61WV10248EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248EDBLL-10BLI 10.9354
RFQ
ECAD 7549 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV10248 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 8mbit 10 ns sram 1m x 8 平行 10ns
IS43LR32320C-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320C-5BLI-TR 8.3524
RFQ
ECAD 2827 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43LR32320C-5BLI-TR 2,500 208 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 32m x 32 平行 14.4ns
IS61NLP51218A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51218A-200TQLI 15.4275
RFQ
ECAD 9926 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp IS61NLP51218 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 揮発性 9mbit 3.1 ns sram 512K x 18 平行 -
W25Q16DVSNAG Winbond Electronics W25Q16DVSNAG -
RFQ
ECAD 9987 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q16DVSNAG 廃止 1 104 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W63AH6NBVADI Winbond Electronics w63ah6nbvadi 6.2600
RFQ
ECAD 3944 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 178-VFBGA W63AH6 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 178-VFBGA (11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W63AH6NBVADI ear99 8542.32.0032 189 1.066 GHz 揮発性 1gbit 5.5 ns ドラム 64m x 16 HSUL_12 15ns
S34MS08G201BHA000 SkyHigh Memory Limited S34MS08G201BHA000 -
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ECAD 7257 0.00000000 Skyhigh Memory Limited - トレイ sicで中止されました S34MS08 - ROHS準拠 3 (168 時間) 2120-S34MS08G201BHA000 3A991B1A 8542.32.0071 210 確認されていません
M5M5256DVP-70G#BE Renesas Electronics America Inc M5M5256DVP-70G be 5.7800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 1
71V416S15BEG Renesas Electronics America Inc 71V416S15BEG 8.1496
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ECAD 1798 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 48-TFBGA 71V416S sram-非同期 3V〜3.6V 48-cabga (9x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 250 揮発性 4mbit 15 ns sram 256k x 16 平行 15ns
LE24L042CS-LV-TFM-E onsemi LE24L042CS-LV-TFM-E -
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ECAD 9884 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 4-XFBGA 、WLBGA LE24L Eeprom 1.7V〜3.6V 4-wlp(0.79x1.06) ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 400 kHz 不揮発性 4kbit 900 ns Eeprom 512 x 8 i²c 10ms
AT28C17-15PI Microchip Technology AT28C17-15pi -
RFQ
ECAD 1117 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(TC) 穴を通して 28-dip (0.600 "、15.24mm) AT28C17 Eeprom 4.5v〜5.5V 28-pdip ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない AT28C1715pi ear99 8542.32.0051 14 不揮発性 16kbit 150 ns Eeprom 2k x 8 平行 1ms
TMS6787-20N Texas Instruments TMS6787-20N 6.0600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 テキサスの楽器 * バルク アクティブ ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けた ear99 8542.32.0041 1
AT25DQ161-MH-B Microchip Technology AT25DQ161-MH-B -
RFQ
ECAD 2316 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 8-udfn露出パッド AT25DQ161 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-udfn (5x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 490 100 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 7µs、3ms
7007L15PFG8 Renesas Electronics America Inc 7007L15PFG8 -
RFQ
ECAD 8174 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 80-lqfp 7007L15 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 80-TQFP(14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 750 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns
S25FL128P0XMFI000 Infineon Technologies S25FL128P0XMFI000 -
RFQ
ECAD 6234 0.00000000 Infineon Technologies fl-p トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) S25FL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 240 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 3ms
W25Q32FWXGSQ Winbond Electronics W25Q32FWXGSQ -
RFQ
ECAD 3988 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-XDFN露出パッド W25Q32 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-xson (4x4) - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q32FWXGSQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
S25FL256SAGMFVR01 Infineon Technologies S25FL256SAGMFVR01 5.9100
RFQ
ECAD 235 0.00000000 Infineon Technologies fl-s チューブ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 235 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
CY7C1350S-133AXC Infineon Technologies Cy7C1350S-133AXC 6.6675
RFQ
ECAD 6440 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp Cy7C1350 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP(14x14 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 揮発性 4.5mbit 4 ns sram 128k x 36 平行 -
CY7C0832AV-133BBI Cypress Semiconductor Corp Cy7C0832AV-133BBI 100.8000
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 144-lbga Cy7C0832 sram- デュアルポート、同期 3.135V〜3.465V 144-FBGA(13x13) ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 4.5mbit sram 256k x 18 平行 -
A7134886-C ProLabs A7134886-C 112.5000
RFQ
ECAD 5644 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A7134886-C ear99 8473.30.5100 1
7006L45J Renesas Electronics America Inc 7006L45J -
RFQ
ECAD 1595 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 68-lcc 7006L45 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 68-PLCC(24.21x24.21 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 18 揮発性 128kbit 45 ns sram 16k x 8 平行 45ns
MTFC64GAXAUEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc64gaxauea-wt tr 7.2600
RFQ
ECAD 3248 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C - - フラッシュ-nand(slc) - - - 557-MTFC64GAXAUEA-WTTR 2,000 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 UFS2.2 -
MTFC4GLGDQ-AIT Z Micron Technology Inc. mtfc4glgdq-ait z -
RFQ
ECAD 9244 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lbga mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga(14x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) mtfc4glgdq-aitz 廃止 980 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
CY7C1354C-200BGC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1354C-200bgc 10.8800
RFQ
ECAD 986 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp NOBL™ トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 119-BGA Cy7C1354 sram- sdr 3.135V〜3.6V 119-PBGA - ROHS非準拠 3A991B2A 8542.32.0041 28 200 MHz 揮発性 9mbit 3.2 ns sram 256k x 36 平行 - 確認されていません
CY7C09369V-9AXC Cypress Semiconductor Corp CY7C09369V-9AXC 40.4500
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp Cy7C09369 sram- デュアルポート、同期 3V〜3.6V 100-TQFP(14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3A991B2B 8542.32.0041 8 67 MHz 揮発性 288kbit 9 ns sram 16k x 18 平行 - 確認されていません
MTFC64GAPALNA-AAT ES TR Micron Technology Inc. mtfc64gapalna-aat es tr -
RFQ
ECAD 1158 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 mtfc64 - 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 1,000
NDS36PBA-16AT TR Insignis Technology Corporation NDS36PBA-16AT TR 3.8489
RFQ
ECAD 3449 0.00000000 Insignis Technology Corporation * テープ&リール( tr) アクティブ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1982-NDS36PBA-16ATTR 2,500
CY7C1327A-133AC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1327A-133AC 6.7400
RFQ
ECAD 64 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp Cy7C1327 sram- sdr 3.15V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 4.5mbit 4 ns sram 256k x 18 平行 -
AT45DB321C-CNU Microchip Technology AT45DB321C-CNU -
RFQ
ECAD 9551 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 8-vdfn AT45DB321 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-Cason ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 338 40 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 528バイトx 8192ページ spi 15ms
MTFC64GAXAUEA-WT Micron Technology Inc. mtfc64gaxauea-wt 7.5024
RFQ
ECAD 3517 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 153-VFBGA フラッシュ-nand(slc) - 153-VFBGA (11.5x13 - 557-MTFC64GAXAUEA-WT 1 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 UFS2.2 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫