画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS42S16400J-6tli | 1.7537 | ![]() | 6486 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | IS61WV10248EDBLL-10BLI | 10.9354 | ![]() | 7549 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS61WV10248 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | IS43LR32320C-5BLI-TR | 8.3524 | ![]() | 2827 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43LR32320C-5BLI-TR | 2,500 | 208 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 14.4ns | ||||||
![]() | IS61NLP51218A-200TQLI | 15.4275 | ![]() | 9926 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLP51218 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.1 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | |||
![]() | W25Q16DVSNAG | - | ![]() | 9987 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16DVSNAG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | ||||
![]() | w63ah6nbvadi | 6.2600 | ![]() | 3944 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 178-VFBGA | W63AH6 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 178-VFBGA (11x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W63AH6NBVADI | ear99 | 8542.32.0032 | 189 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 5.5 ns | ドラム | 64m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | S34MS08G201BHA000 | - | ![]() | 7257 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | トレイ | sicで中止されました | S34MS08 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 2120-S34MS08G201BHA000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 確認されていません | ||||||||||||||||
![]() | M5M5256DVP-70G be | 5.7800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 71V416S15BEG | 8.1496 | ![]() | 1798 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFBGA | 71V416S | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-cabga (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 250 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | LE24L042CS-LV-TFM-E | - | ![]() | 9884 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 4-XFBGA 、WLBGA | LE24L | Eeprom | 1.7V〜3.6V | 4-wlp(0.79x1.06) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 10ms | ||||
![]() | AT28C17-15pi | - | ![]() | 1117 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 穴を通して | 28-dip (0.600 "、15.24mm) | AT28C17 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 28-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT28C1715pi | ear99 | 8542.32.0051 | 14 | 不揮発性 | 16kbit | 150 ns | Eeprom | 2k x 8 | 平行 | 1ms | |||
![]() | TMS6787-20N | 6.0600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | テキサスの楽器 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | AT25DQ161-MH-B | - | ![]() | 2316 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | AT25DQ161 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-udfn (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 100 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 7µs、3ms | ||||
![]() | 7007L15PFG8 | - | ![]() | 8174 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 80-lqfp | 7007L15 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 80-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | S25FL128P0XMFI000 | - | ![]() | 6234 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-p | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 3ms | ||||
![]() | W25Q32FWXGSQ | - | ![]() | 3988 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-xson (4x4) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32FWXGSQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | ||||
![]() | S25FL256SAGMFVR01 | 5.9100 | ![]() | 235 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 235 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
![]() | Cy7C1350S-133AXC | 6.6675 | ![]() | 6440 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1350 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 4 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | Cy7C0832AV-133BBI | 100.8000 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-lbga | Cy7C0832 | sram- デュアルポート、同期 | 3.135V〜3.465V | 144-FBGA(13x13) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | sram | 256k x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | A7134886-C | 112.5000 | ![]() | 5644 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A7134886-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 7006L45J | - | ![]() | 1595 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | 7006L45 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC(24.21x24.21 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 18 | 揮発性 | 128kbit | 45 ns | sram | 16k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | mtfc64gaxauea-wt tr | 7.2600 | ![]() | 3248 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C | - | - | フラッシュ-nand(slc) | - | - | - | 557-MTFC64GAXAUEA-WTTR | 2,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | UFS2.2 | - | ||||||||||
![]() | mtfc4glgdq-ait z | - | ![]() | 9244 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lbga | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-lbga(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | mtfc4glgdq-aitz | 廃止 | 980 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | Cy7C1354C-200bgc | 10.8800 | ![]() | 986 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NOBL™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | Cy7C1354 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 119-PBGA | - | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 28 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.2 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||
![]() | CY7C09369V-9AXC | 40.4500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C09369 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 8 | 67 MHz | 揮発性 | 288kbit | 9 ns | sram | 16k x 18 | 平行 | - | 確認されていません | ||||
![]() | mtfc64gapalna-aat es tr | - | ![]() | 1158 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | mtfc64 | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||
![]() | NDS36PBA-16AT TR | 3.8489 | ![]() | 3449 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1982-NDS36PBA-16ATTR | 2,500 | ||||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1327A-133AC | 6.7400 | ![]() | 64 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1327 | sram- sdr | 3.15V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 4 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | |||
![]() | AT45DB321C-CNU | - | ![]() | 9551 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-vdfn | AT45DB321 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-Cason | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 40 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 528バイトx 8192ページ | spi | 15ms | ||||
![]() | mtfc64gaxauea-wt | 7.5024 | ![]() | 3517 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand(slc) | - | 153-VFBGA (11.5x13 | - | 557-MTFC64GAXAUEA-WT | 1 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | UFS2.2 | - |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫