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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT42L128M32D1TK-25 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1TK-25 AAT:A TR -
RFQ
ECAD 3354 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 134-wfbga MT42L128M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 134-FBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000 400 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
W25Q128FWBIQ TR Winbond Electronics w25q128fwbiq tr -
RFQ
ECAD 4600 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25Q128 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q128FWBIQTR 廃止 2,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
71V65703S80BGG8 Renesas Electronics America Inc 71V65703S80BGG8 28.7073
RFQ
ECAD 1475 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 119-BGA 71v65703 sram- sdr(zbt) 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 9mbit 8 ns sram 256k x 36 平行 -
MT53E256M32D1KS-046 AAT:L Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 AAT:L 9.2705
RFQ
ECAD 6022 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 表面マウント 200-VFBGA 200-VFBGA (10x14.5 - 影響を受けていない 557-MT53E256M32D1KS-046AAT:L 1
W972GG6JB-3I Winbond Electronics W972GG6JB-3I -
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ECAD 8266 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 84-TFBGA W972GG6 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-WBGA (11x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない w972gg6jb3i ear99 8542.32.0032 144 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
MT29F1G01AAADDH4-ITX:D Micron Technology Inc. MT29F1G01AAADDH4-ITX:d -
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ECAD 1612 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA (9x11) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 1gbit フラッシュ 1g x 1 spi -
70V9279L12PRFI Renesas Electronics America Inc 70V9279L12PRFI -
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ECAD 2308 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 128-LQFP 70V9279 sram- デュアルポート、同期 3V〜3.6V 128-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 3A991B2B 8542.32.0041 72 揮発性 512kbit 12 ns sram 32k x 16 平行 -
MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR -
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ECAD 5803 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA MT53E384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) MT53E384M32D2DS-046WT:ETR ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
SST39VF3201C-70-4I-EKE Microchip Technology SST39VF3201C-70-4I-EKE 3.6200
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ECAD 3767 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST39 MPF™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) SST39VF3201 フラッシュ 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない SST39VF3201C704IEKE 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 10µs
GS8128036GT-333I GSI Technology Inc. GS8128036GT-333I 277.5900
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ECAD 10 0.00000000 GSI Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜100°C (TJ 表面マウント 100-lqfp GS8128036 sram- 同期、標準 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V 100-TQFP (20x14 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 2364-GS8128036GT-333I ear99 8542.32.0041 15 333 MHz 揮発性 144mbit sram 4m x 36 平行 -
W25Q32BVSSAG Winbond Electronics W25Q32BVSSAG -
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ECAD 7407 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q32BVSSAG 廃止 1 104 MHz 不揮発性 32mbit 5 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
STK15C88-NF25TR Infineon Technologies STK15C88-NF25TR -
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ECAD 5511 0.00000000 Infineon Technologies - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) STK15C88 nvsram (不揮発性 sram) 4.5v〜5.5V 28-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 不揮発性 256kbit 25 ns nvsram 32k x 8 平行 25ns
M29W160EB70N6 Micron Technology Inc. M29W160EB70N6 -
RFQ
ECAD 7309 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
CAT24AA04WI-GT3 Catalyst Semiconductor Inc. CAT24AA04WI-GT3 -
RFQ
ECAD 1854年年 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) CAT24AA04 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.32.0051 3,000 1 MHz 不揮発性 4kbit 400 ns Eeprom 512 x 8 i²c 5ms
7134SA20J Renesas Electronics America Inc 7134SA20J -
RFQ
ECAD 9429 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 52-lcc 7134SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc (19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 24 揮発性 32kbit 20 ns sram 4k x 8 平行 20ns
24AA08H-I/ST Microchip Technology 24AA08H-I/ST 0.4050
RFQ
ECAD 5016 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) 24AA08 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 400 kHz 不揮発性 8kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 x 4 i²c 5ms
GS816036DGT-333I GSI Technology Inc. GS816036DGT-333I 38.9400
RFQ
ECAD 36 0.00000000 GSI Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜100°C (TJ 表面マウント 100-lqfp GS816036 sram- 同期、標準 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V 100-TQFP (20x14 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 2364-GS816036DGT-333I ear99 8542.32.0041 36 333 MHz 揮発性 18mbit sram 512K x 36 平行 -
EMF8132A3MA-DV-F-D Micron Technology Inc. EMF8132A3MA-DV-FD -
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ECAD 6009 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 EMF8132 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,890
70V631S15PRFI Renesas Electronics America Inc 70V631S15PRFI 198.6000
RFQ
ECAD 3878 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 128-LQFP 70V631 sram- デュアルポート、非同期 3.15V〜3.45V 128-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 2832-70V631S15PRFI 3A991B2A 8542.32.0041 72 揮発性 4.5mbit 15 ns sram 256k x 18 平行 15ns
BR25160-10TU-2.7 Rohm Semiconductor BR25160-10TU-2.7 0.7587
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ECAD 9254 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) BR25160 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-TSSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない BR2516010TU2.7 ear99 8542.32.0051 3,000 3 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 spi 5ms
24LC025-E/SN Microchip Technology 24LC025-E/SN 0.4350
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ECAD 3772 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) 24LC025 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
S28HL01GTFPBHM030 Infineon Technologies S28HL01GTFPBHM030 28.9275
RFQ
ECAD 3431 0.00000000 Infineon Technologies Semper™ トレイ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 24-VBGA フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 24-FBGA (8x8) ダウンロード 2,600 166 MHz 不揮発性 1gbit 6.5 ns フラッシュ 128m x 8 SPI -OCTAL I/O 1.7ms
UCS-MR-1X161RV-A-C ProLabs UCS-MR-1X161RV-AC 180.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-ucs-mr-1x161rv-ac ear99 8473.30.5100 1
RM25C64DS-LMAI-T Adesto Technologies RM25C64DS-LMAI-T -
RFQ
ECAD 6179 0.00000000 Adesto Technologies Mavriq™ テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド RM25C64 CBRAM 1.65v〜3.6V 8-udfn (2x3) - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 3A991B1B1 8542.32.0051 5,000 20 MHz 不揮発性 64kbit CBRAM® 32バイトページサイズ spi 100µs、2.5ms
IS45S32200E-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-6TLA1 -
RFQ
ECAD 2701 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS45S32200 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
HM1-6514-9 Harris Corporation HM1-6514-9 -
RFQ
ECAD 7063 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 穴を通して 18-cdip (0.300 "、7.62mm) HM1-6514 sram-同期 4.5v〜5.5V 18カーディップ ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 1 揮発性 4kbit 320 ns sram 1k x 4 平行 420ns
MT53D768M64D4SB-046 XT ES:A Micron Technology Inc. MT53D768M64D4SB-046 XT ES:a -
RFQ
ECAD 2737 0.00000000 Micron Technology Inc. - 廃止 -30°C〜105°C(TC) MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 廃止 1,190 2.133 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
BR93A46RFVM-WMTR Rohm Semiconductor BR93A46RFVM-WMTR 0.6700
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ECAD 3 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-vssop、8-msop (0.110 "、2.80mm 幅) BR93A46 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 2 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 64 x 16 マイクロワイヤ 5ms
IS46TR16640C-125JBLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640C-125JBLA25-TR -
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ECAD 5165 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜115°C 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16640C-125JBLA25-TR ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
S25HL512TDPBHB010 Infineon Technologies S25HL512TDPBHB010 11.8300
RFQ
ECAD 1287 0.00000000 Infineon Technologies Semper™ トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-tbga フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 24-bga (8x6) ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 338 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、qpi -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫