画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT42L128M32D1TK-25 AAT:A TR | - | ![]() | 3354 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 134-wfbga | MT42L128M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 134-FBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | 平行 | - | ||||
![]() | w25q128fwbiq tr | - | ![]() | 4600 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q128 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128FWBIQTR | 廃止 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | |||
![]() | 71V65703S80BGG8 | 28.7073 | ![]() | 1475 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | 71v65703 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 9mbit | 8 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
MT53E256M32D1KS-046 AAT:L | 9.2705 | ![]() | 6022 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 表面マウント | 200-VFBGA | 200-VFBGA (10x14.5 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E256M32D1KS-046AAT:L | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | W972GG6JB-3I | - | ![]() | 8266 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | W972GG6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-WBGA (11x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | w972gg6jb3i | ear99 | 8542.32.0032 | 144 | 333 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | MT29F1G01AAADDH4-ITX:d | - | ![]() | 1612 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 1g x 1 | spi | - | ||||
![]() | 70V9279L12PRFI | - | ![]() | 2308 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 128-LQFP | 70V9279 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 128-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 72 | 揮発性 | 512kbit | 12 ns | sram | 32k x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR | - | ![]() | 5803 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | MT53E384M32D2DS-046WT:ETR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | |||
![]() | SST39VF3201C-70-4I-EKE | 3.6200 | ![]() | 3767 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST39 MPF™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | SST39VF3201 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | SST39VF3201C704IEKE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 16 | 平行 | 10µs | ||
![]() | GS8128036GT-333I | 277.5900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 100-lqfp | GS8128036 | sram- 同期、標準 | 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V | 100-TQFP (20x14 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS8128036GT-333I | ear99 | 8542.32.0041 | 15 | 333 MHz | 揮発性 | 144mbit | sram | 4m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | W25Q32BVSSAG | - | ![]() | 7407 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32BVSSAG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 5 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | STK15C88-NF25TR | - | ![]() | 5511 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | STK15C88 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 28-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 不揮発性 | 256kbit | 25 ns | nvsram | 32k x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | M29W160EB70N6 | - | ![]() | 7309 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W160 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
CAT24AA04WI-GT3 | - | ![]() | 1854年年 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT24AA04 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 400 ns | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | 7134SA20J | - | ![]() | 9429 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | 7134SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 揮発性 | 32kbit | 20 ns | sram | 4k x 8 | 平行 | 20ns | |||
24AA08H-I/ST | 0.4050 | ![]() | 5016 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 24AA08 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 8kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 x 4 | i²c | 5ms | |||
![]() | GS816036DGT-333I | 38.9400 | ![]() | 36 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 100-lqfp | GS816036 | sram- 同期、標準 | 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V | 100-TQFP (20x14 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS816036DGT-333I | ear99 | 8542.32.0041 | 36 | 333 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | EMF8132A3MA-DV-FD | - | ![]() | 6009 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | EMF8132 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,890 | ||||||||||||||||
![]() | 70V631S15PRFI | 198.6000 | ![]() | 3878 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 128-LQFP | 70V631 | sram- デュアルポート、非同期 | 3.15V〜3.45V | 128-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2832-70V631S15PRFI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 揮発性 | 4.5mbit | 15 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | 15ns | ||||
BR25160-10TU-2.7 | 0.7587 | ![]() | 9254 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | BR25160 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-TSSOP-B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | BR2516010TU2.7 | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 3 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | 24LC025-E/SN | 0.4350 | ![]() | 3772 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC025 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | S28HL01GTFPBHM030 | 28.9275 | ![]() | 3431 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 24-FBGA (8x8) | ダウンロード | 2,600 | 166 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 6.5 ns | フラッシュ | 128m x 8 | SPI -OCTAL I/O | 1.7ms | ||||||||
![]() | UCS-MR-1X161RV-AC | 180.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-ucs-mr-1x161rv-ac | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | RM25C64DS-LMAI-T | - | ![]() | 6179 | 0.00000000 | Adesto Technologies | Mavriq™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | RM25C64 | CBRAM | 1.65v〜3.6V | 8-udfn (2x3) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B1B1 | 8542.32.0051 | 5,000 | 20 MHz | 不揮発性 | 64kbit | CBRAM® | 32バイトページサイズ | spi | 100µs、2.5ms | |||
![]() | IS45S32200E-6TLA1 | - | ![]() | 2701 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S32200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | HM1-6514-9 | - | ![]() | 7063 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 18-cdip (0.300 "、7.62mm) | HM1-6514 | sram-同期 | 4.5v〜5.5V | 18カーディップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4kbit | 320 ns | sram | 1k x 4 | 平行 | 420ns | |||
![]() | MT53D768M64D4SB-046 XT ES:a | - | ![]() | 2737 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | -30°C〜105°C(TC) | MT53D768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 廃止 | 1,190 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | ||||||||||
![]() | BR93A46RFVM-WMTR | 0.6700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-vssop、8-msop (0.110 "、2.80mm 幅) | BR93A46 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 2 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 64 x 16 | マイクロワイヤ | 5ms | |||
![]() | IS46TR16640C-125JBLA25-TR | - | ![]() | 5165 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜115°C | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16640C-125JBLA25-TR | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | S25HL512TDPBHB010 | 11.8300 | ![]() | 1287 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - |
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