画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
7132LA55P | - | ![]() | 1231 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 48-dip(0.600 "、15.24mm) | 7132la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 48-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 7 | 揮発性 | 16kbit | 55 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | BR25H040FVM-2CTR | 0.5700 | ![]() | 7839 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-vssop、8-msop (0.110 "、2.80mm 幅) | BR25H040 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | spi | 4ms | |||
CAT28LV64GI-25T | - | ![]() | 8605 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-lcc | CAT28LV64 | Eeprom | 3V〜3.6V | 32-PLCC (11.43x13.97 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 28Lv64GI-25T | ear99 | 8542.32.0051 | 500 | 不揮発性 | 64kbit | 250 ns | Eeprom | 8k x 8 | 平行 | 5ms | ||||
![]() | S25FL256SAGNFM000 | 8.9250 | ![]() | 4589 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 676 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6.5 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 750µs | ||||||
![]() | 4ZC7A08701-C | 29.5000 | ![]() | 4285 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-4ZC7A08701-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | STK17T88-RF45I | - | ![]() | 6114 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-BSSOP (0.295 "、幅7.50mm) | STK17T88 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 48スソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 60 | 不揮発性 | 256kbit | 45 ns | nvsram | 32k x 8 | 平行 | 45ns | |||
![]() | H26M52208FPRI | - | ![]() | 7984 | 0.00000000 | Netlist Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-BGA | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA (11.5x13 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 2655-H26M52208FPRITR | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||
![]() | 70V9179L9PF8 | - | ![]() | 3589 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 70V9179 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 288kbit | 9 ns | sram | 32K x 9 | 平行 | - | |||
![]() | J9P81AA-C | 122.5000 | ![]() | 3904 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-J9P81AA-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | W979H2KBQX2E | - | ![]() | 6304 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 168-wfbga | W979H2 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 168-WFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 168 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | |||
![]() | R1LV1616HSA-4SI#S1 | - | ![]() | 5209 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | R1LV1616HSA-I | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | R1LV1616H | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 559-R1LV1616HSA-4SI#S1TR | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 16mbit | 45 ns | sram | 1m x 16、2m x 8 | 平行 | 45ns | ||
![]() | C-2933D4SR8S/8G | 91.2500 | ![]() | 6807 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-293D4SR8S/8G | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
MT29F32G08CBADAWP:D Tr | - | ![]() | 9907 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | M95020-RMN6TP | 0.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | M95020 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 20 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | spi | 5ms | |||
MT41K512M16HA-107 IT:a | - | ![]() | 3593 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (9x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-MT41K512M16HA-107IT:a | ear99 | 8542.32.0036 | 170 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS42S32200L-6TL | 3.0525 | ![]() | 5867 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S32800B-6BL | - | ![]() | 5812 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | CAT93C46RBHU4IGT3 | - | ![]() | 7075 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | CAT93C46 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-udfn-ep(2x3) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 8542.32.0051 | 3,000 | 4 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8、64 x 16 | マイクロワイヤ | - | ||||
![]() | MT29F1T08GBLCEJ4:c | 19.5450 | ![]() | 1970年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F1T08GBLCEJ4:c | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | H26M64208EMRN | - | ![]() | 3405 | 0.00000000 | Netlist Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-BGA | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 2655-H26M64208EMRNTR | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||
![]() | BR93G76FVM-3BGTTR | 0.2565 | ![]() | 8633 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vssop、8-msop (0.110 "、2.80mm 幅) | BR93G76 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 3 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 512 x 16 | マイクロワイヤ | 5ms | |||
w631gg6kb-11 tr | - | ![]() | 6437 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-WBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | A4188265-C | 62.5000 | ![]() | 4632 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A4188265-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1463BV33-133AXI | - | ![]() | 8347 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1463 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 揮発性 | 36mbit | 6.5 ns | sram | 2m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | MT47H64M16HR-25E XIT:H TR | - | ![]() | 2001年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | 71V632S7PFGI | - | ![]() | 2184 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 71v632 | sram- sdr | 3.135V〜3.63V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | 揮発性 | 2mbit | 7 ns | sram | 64k x 32 | 平行 | - | |||||
![]() | A4869092-C | 37.5000 | ![]() | 4131 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A4869092-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
S26KS256SDPBHA020 | 11.1125 | ![]() | 7212 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、HyperFlash™KS | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | S26KS256 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,690 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 96 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | - | |||
![]() | IDT71016S15YI | - | ![]() | 2209 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | IDT71016 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71016S15YI | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 16 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | AS6C62256-55SCNTR | 2.4816 | ![]() | 3009 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-SOIC (0.330 "、幅8.38mm) | AS6C62256 | sram-非同期 | 2.7V〜5.5V | 28ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 256kbit | 55 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 55ns |
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