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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
7132LA55P Renesas Electronics America Inc 7132LA55P -
RFQ
ECAD 1231 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 穴を通して 48-dip(0.600 "、15.24mm) 7132la sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 48-pdip ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 7 揮発性 16kbit 55 ns sram 2k x 8 平行 55ns
BR25H040FVM-2CTR Rohm Semiconductor BR25H040FVM-2CTR 0.5700
RFQ
ECAD 7839 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-vssop、8-msop (0.110 "、2.80mm 幅) BR25H040 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 10 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8 spi 4ms
CAT28LV64GI-25T onsemi CAT28LV64GI-25T -
RFQ
ECAD 8605 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 32-lcc CAT28LV64 Eeprom 3V〜3.6V 32-PLCC (11.43x13.97 ダウンロード 3 (168 時間) 影響を受けていない 28Lv64GI-25T ear99 8542.32.0051 500 不揮発性 64kbit 250 ns Eeprom 8k x 8 平行 5ms
S25FL256SAGNFM000 Infineon Technologies S25FL256SAGNFM000 8.9250
RFQ
ECAD 4589 0.00000000 Infineon Technologies fl-s トレイ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8-wson (6x8) ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 676 133 MHz 不揮発性 256mbit 6.5 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 750µs
4ZC7A08701-C ProLabs 4ZC7A08701-C 29.5000
RFQ
ECAD 4285 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-4ZC7A08701-C ear99 8473.30.5100 1
STK17T88-RF45I Infineon Technologies STK17T88-RF45I -
RFQ
ECAD 6114 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-BSSOP (0.295 "、幅7.50mm) STK17T88 nvsram (不揮発性 sram) 2.7V〜3.6V 48スソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 60 不揮発性 256kbit 45 ns nvsram 32k x 8 平行 45ns
H26M52208FPRI Netlist Inc. H26M52208FPRI -
RFQ
ECAD 7984 0.00000000 Netlist Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-BGA フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 153-FBGA (11.5x13 - ROHS準拠 3 (168 時間) 影響を受けた 2655-H26M52208FPRITR ear99 8542.32.0051 1 200 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 EMMC_5.1 -
70V9179L9PF8 Renesas Electronics America Inc 70V9179L9PF8 -
RFQ
ECAD 3589 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp 70V9179 sram- デュアルポート、同期 3V〜3.6V 100-TQFP(14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 750 揮発性 288kbit 9 ns sram 32K x 9 平行 -
J9P81AA-C ProLabs J9P81AA-C 122.5000
RFQ
ECAD 3904 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-J9P81AA-C ear99 8473.30.5100 1
W979H2KBQX2E Winbond Electronics W979H2KBQX2E -
RFQ
ECAD 6304 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 168-wfbga W979H2 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 168-WFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 168 400 MHz 揮発性 512mbit ドラム 16m x 32 平行 15ns
R1LV1616HSA-4SI#S1 Renesas Electronics America Inc R1LV1616HSA-4SI#S1 -
RFQ
ECAD 5209 0.00000000 Renesas Electronics America Inc R1LV1616HSA-I テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) R1LV1616H sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 559-R1LV1616HSA-4SI#S1TR 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 16mbit 45 ns sram 1m x 16、2m x 8 平行 45ns
C-2933D4SR8S/8G ProLabs C-2933D4SR8S/8G 91.2500
RFQ
ECAD 6807 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-C-293D4SR8S/8G ear99 8473.30.5100 1
MT29F32G08CBADAWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADAWP:D Tr -
RFQ
ECAD 9907 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
M95020-RMN6TP STMicroelectronics M95020-RMN6TP 0.3000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 stmicroelectronics - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) M95020 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 20 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 spi 5ms
MT41K512M16HA-107 IT:A Alliance Memory, Inc. MT41K512M16HA-107 IT:a -
RFQ
ECAD 3593 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (9x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-MT41K512M16HA-107IT:a ear99 8542.32.0036 170 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS42S32200L-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6TL 3.0525
RFQ
ECAD 5867 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S32200 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS42S32800B-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6BL -
RFQ
ECAD 5812 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 平行 -
CAT93C46RBHU4IGT3 onsemi CAT93C46RBHU4IGT3 -
RFQ
ECAD 7075 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド CAT93C46 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-udfn-ep(2x3) - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 8542.32.0051 3,000 4 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8、64 x 16 マイクロワイヤ -
MT29F1T08GBLCEJ4:C Micron Technology Inc. MT29F1T08GBLCEJ4:c 19.5450
RFQ
ECAD 1970年 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ - 557-MT29F1T08GBLCEJ4:c 1
H26M64208EMRN Netlist Inc. H26M64208EMRN -
RFQ
ECAD 3405 0.00000000 Netlist Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-BGA フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 153-FBGA (11.5x13 ダウンロード ROHS準拠 3 (168 時間) 影響を受けた 2655-H26M64208EMRNTR ear99 8542.32.0051 1 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 EMMC_5.1 -
BR93G76FVM-3BGTTR Rohm Semiconductor BR93G76FVM-3BGTTR 0.2565
RFQ
ECAD 8633 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-vssop、8-msop (0.110 "、2.80mm 幅) BR93G76 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 3 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 512 x 16 マイクロワイヤ 5ms
W631GG6KB-11 TR Winbond Electronics w631gg6kb-11 tr -
RFQ
ECAD 6437 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-WBGA (9x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,500 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
A4188265-C ProLabs A4188265-C 62.5000
RFQ
ECAD 4632 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A4188265-C ear99 8473.30.5100 1
CY7C1463BV33-133AXI Infineon Technologies Cy7C1463BV33-133AXI -
RFQ
ECAD 8347 0.00000000 Infineon Technologies NOBL™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp Cy7C1463 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz 揮発性 36mbit 6.5 ns sram 2m x 18 平行 -
MT47H64M16HR-25E XIT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E XIT:H TR -
RFQ
ECAD 2001年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
71V632S7PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V632S7PFGI -
RFQ
ECAD 2184 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp 71v632 sram- sdr 3.135V〜3.63V 100-TQFP(14x14 ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 MHz 揮発性 2mbit 7 ns sram 64k x 32 平行 -
A4869092-C ProLabs A4869092-C 37.5000
RFQ
ECAD 4131 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A4869092-C ear99 8473.30.5100 1
S26KS256SDPBHA020 Infineon Technologies S26KS256SDPBHA020 11.1125
RFQ
ECAD 7212 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、HyperFlash™KS トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-VBGA S26KS256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-fbga (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,690 166 MHz 不揮発性 256mbit 96 ns フラッシュ 32m x 8 平行 -
IDT71016S15YI Renesas Electronics America Inc IDT71016S15YI -
RFQ
ECAD 2209 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) IDT71016 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 71016S15YI 3A991B2B 8542.32.0041 16 揮発性 1mbit 15 ns sram 64k x 16 平行 15ns
AS6C62256-55SCNTR Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55SCNTR 2.4816
RFQ
ECAD 3009 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 28-SOIC (0.330 "、幅8.38mm) AS6C62256 sram-非同期 2.7V〜5.5V 28ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 256kbit 55 ns sram 32k x 8 平行 55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫