画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GS81313LD18GK-714I | 453.0000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 260-BGA | GS81313LD18 | sram- qdr iiie | 1.2V〜1.35V | 260-BGA (22x14) | - | ROHS3準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS81313LD18GK-714I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 714 MHz | 揮発性 | 144mbit | sram | 8m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | MT62F2G32D4DS-026 WT:B TR | 45.6900 | ![]() | 8742 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | 557-MT62F2G32D4DS-026WT:BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | 平行 | - | |||||||||
![]() | CY7C1021D-10ZSXIKA | 2.9000 | ![]() | 465 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-CY7C1021D-10ZSXIKA-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
MT35XU512ABA1G12-0AUT | 15.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -791-MT35XU512ABA1G12-0AUT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | xccelaバス | - | ||||
![]() | GS816236DGD-250I | 22.3772 | ![]() | 6028 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 165-lbga | GS816236 | sram- 同期、標準 | 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V | 165-fpbga (15x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS816236DGD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | EMFA232A2PF-DV-FR TR | - | ![]() | 3946 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | EMFA232 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
![]() | S34ML08G101TFI000 | - | ![]() | 2951 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | トレイ | sicで中止されました | S34ML08 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 2120-S34ML08G101TFI000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 確認されていません | ||||||||||||||||
![]() | AS6C6264-55PIN | 3.6256 | ![]() | 3046 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 28-dip (0.600 "、15.24mm) | AS6C6264 | sram-非同期 | 2.7V〜5.5V | 28-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 15 | 揮発性 | 64kbit | 55 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | Cy62177DV30L-70BAI | 24.0000 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | Cy62177 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-FBGA (8x9.5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 32mbit | 70 ns | sram | 2m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | MT29F4T08ELLCHL4-QA:C Tr | 83.9100 | ![]() | 7094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MT29F4T08ELLCHL4-QA:CTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MX29GL128FHXFI-90G | 4.0040 | ![]() | 1680 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29GL | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga、CSPBGA | MX29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 不揮発性 | 128mbit | 90 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | 90ns | ||||
![]() | 71V67903S85PFGI | - | ![]() | 2067 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 71v67903 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 87 MHz | 揮発性 | 9mbit | 8.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | |||
![]() | MT48LC8M16A2B4-6A IT:L | 8.0250 | ![]() | 9605 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,560 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 12ns | |||
![]() | MT62F1G64D4ZV-026 WT:b | 37.2450 | ![]() | 8710 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | - | - | 557-MT62F1G64D4ZV-026WT:b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | 平行 | - | |||||||||
M24C64-FDW6TP | 0.3400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | M24C64 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | 450 ns | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | Cy7C146-25JC | 9.1000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | Cy7C146 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 33 | 揮発性 | 16kbit | 25 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 25ns | 確認されていません | |||||
![]() | 70V9159L9PF8 | - | ![]() | 4014 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 70V9159 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 72kbit | 9 ns | sram | 8k x 9 | 平行 | - | ||||
![]() | S99FL164KMN13 | - | ![]() | 2974 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||
![]() | CG8450AA | - | ![]() | 1309 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | 影響を受けていない | 廃止 | 136 | |||||||||||||||||||||
![]() | IS49NLS96400-25BI | - | ![]() | 9190 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLS96400 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 64m x 9 | 平行 | - | |||
![]() | S72XS256RE0AHBHH3 | - | ![]() | 9046 | 0.00000000 | Infineon Technologies | XS-R | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 133-VFBGA | S72XS256 | フラッシュ、ドラム | 1.7V〜1.95V | 133-FBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 108 MHz | 不揮発性、揮発性 | 256mbit (フラッシュ)、256mbit(ddr dram) | フラッシュ、ラム | - | 平行 | - | ||||
![]() | IS45S16320D-7BLA1-TR | 19.4700 | ![]() | 3487 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS45S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | w25q32fvdaig tr | - | ![]() | 6875 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | ||||
![]() | A9652457-C | 41.0000 | ![]() | 3491 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A9652457-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Cy62148EV30LL-45ZSXA | 7.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy62148 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 32-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 42 | 揮発性 | 4mbit | 45 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 45ns | 確認されていません | |||||
![]() | S29GL064N90BAI040 | 1.3900 | ![]() | 338 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 2156-S29GL064N90BAI040 | 216 | ||||||||||||||||||||||
7140SA35CB | - | ![]() | 7718 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜125°C | 穴を通して | 48-dip(0.600 "、15.24mm) | 7140SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 48サイドろう付け | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 8 | 揮発性 | 8kbit | 35 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 35ns | |||||
SM671PXE-BFSS | 87.3500 | ![]() | 2247 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-nand(slc) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PXE-BFSS | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | UFS2.1 | - | |||||||||||
![]() | IS42S16400J-7B2LI-TR | 2.8644 | ![]() | 4580 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-TFBGA (6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | S34ML16G202TFI200 | - | ![]() | 6108 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | トレイ | sicで中止されました | S34ML16 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 2120-S34ML16G202TFI200 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 確認されていません |
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