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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
SM662GEF BEST Silicon Motion, Inc. SM662GEFベスト 181.5200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ - 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand （TLC） - 100-BGA（14x18） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-SM662GEFBEST 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
CYDMX064A16-90BVXI Infineon Technologies CyDMX064A16-90BVXI -
RFQ
 ECAD 4811 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-VFBGA cydmx sram- デュアルポート、 mobl 1.8V〜3.3V 100-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 429 揮発性 64kbit 90 ns sram 4k x 16 平行 90ns
T7B76UT-C ProLabs T7B76UT-C 24.2500
RFQ
 ECAD 1436 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-T7B76UT-C ear99 8473.30.5100 1
MT53E1G64D8NW-053 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D8NW-053 WT：E TR -
RFQ
 ECAD 9756 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） MT53E1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000 1.866 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
NAND512R3A2DZA6E Micron Technology Inc. NAND512R3A2DZA6E -
RFQ
 ECAD 7321 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-TFBGA NAND512 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND512R3A2DZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
AS7C3256A-12TIN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-12TIN 2.1753
RFQ
 ECAD 1332 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） AS7C3256 sram-非同期 3V〜3.6V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 234 揮発性 256kbit 12 ns sram 32k x 8 平行 12ns
S29CL032J0RFFM010 Cypress Semiconductor Corp S29CL032J0RFFM010 15.3400
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Cl-J トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 80-lbga S29CL032 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 80-FBGA （13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3A991B1A 8542.32.0071 180 75 MHz 不揮発性 32mbit 54 ns フラッシュ 1M x 32 平行 60ns
UCS-ML-256G8RT-H-C ProLabs UCS-ML-256G8RT-HC 7.0000
RFQ
 ECAD 3330 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-UCS-ML-256G8RT-HC ear99 8473.30.5100 1
MT53D512M64D4NW-046 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-046 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 8814 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 432-VFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 432-VFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
CY7C1620KV18-333BZXI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1620Kv18-333Bzxi 296.1900
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1620 sram- ddr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード 2 333 MHz 揮発性 144mbit sram 4m x 36 平行 - 確認されていません
CY7C1021B-12VC Cypress Semiconductor Corp CY7C1021B-12VC -
RFQ
 ECAD 2302 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） Cy7C1021 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3A991B2B 8542.32.0041 90 揮発性 1mbit 12 ns sram 64k x 16 平行 12ns 確認されていません
CY62128BNLL-55SXC Cypress Semiconductor Corp Cy62128bnll-55Sxc -
RFQ
 ECAD 8021 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-SOIC （0.445 "、幅11.30mm） Cy62128 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 1mbit 55 ns sram 128k x 8 平行 55ns
A0735490-C ProLabs A0735490-C 17.5000
RFQ
 ECAD 8657 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A0735490-C ear99 8473.30.5100 1
43R1756-C ProLabs 43R1756-C 17.5000
RFQ
 ECAD 7855 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-43R1756-C ear99 8473.30.5100 1
IS42S16160D-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7BI-TR -
RFQ
 ECAD 9773 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TW-BGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
NLQ83PFS-8NIT Insignis Technology Corporation NLQ83PFS-8NIT 21.6750
RFQ
 ECAD 3894 0.00000000 Insignis Technology Corporation - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-FBGA （10x14.5） - 1982-NLQ83PFS-8NIT 2,000 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 LVSTL -
IS61VPD102418A-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD102418A-250B3 -
RFQ
 ECAD 3920 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IS61VPD102418 sram- クアッドポート、同期 2.375V〜2.625V 165-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz 揮発性 18mbit 2.6 ns sram 1m x 18 平行 -
FM28V020-T28G Cypress Semiconductor Corp FM28V020-T28G -
RFQ
 ECAD 8716 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp f-ram™ バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） FM28V020 フラム（強誘電性ラム） 2V〜3.6V 28-tsop i ダウンロード 1 不揮発性 256kbit 140 ns フラム 32k x 8 平行 140ns 確認されていません
451400-001-C ProLabs 451400-001-C 17.5000
RFQ
 ECAD 6636 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-451400-001-C ear99 8473.30.5100 1
CG8952AMT Infineon Technologies CG8952AMT -
RFQ
 ECAD 4812 0.00000000 Infineon Technologies - バルク sicで中止されました - 影響を受けていない 1
CG8715AFT Infineon Technologies CG8715AFT -
RFQ
 ECAD 8281 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 - 未定義のベンダー 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
CY7C1370DV25-200BZI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1370DV25-200BZI 14.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp NOBL™ バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1370 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 揮発性 18mbit 3 ns sram 512K x 36 平行 -
CY7C1412KV18-250BZI Infineon Technologies Cy7C1412KV18-250BZI 51.9400
RFQ
 ECAD 9318 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1412 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 272 250 MHz 揮発性 36mbit sram 2m x 18 平行 -
N82802AC8 Intel N82802AC8 6.6800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 インテル - バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 0000.00.0000 750
CY7C1366C-166AXC Infineon Technologies Cy7C1366C-166AXC 14.1600
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1366 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 166 MHz 揮発性 9mbit 3.5 ns sram 256k x 36 平行 -
71T75802S150BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75802S150bg 42.2200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA 71T75802 sram- sdr（zbt） 2.375V〜2.625V 119-PBGA ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 150 MHz 揮発性 18mbit 3.8 ns sram 1m x 18 平行 -
P03051-C91-C ProLabs P03051-C91-C 210.0000
RFQ
 ECAD 1741 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-P03051-C91-C ear99 8473.30.5100 1
CY7C1513JV18-300BZC Infineon Technologies Cy7C1513JV18-300BZC -
RFQ
 ECAD 9141 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1513 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 300 MHz 揮発性 72mbit sram 4m x 18 平行 -
CY7C1021CV33-8ZXCT Infineon Technologies Cy7C1021CV33-8ZXCT -
RFQ
 ECAD 9933 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7C1021 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 8 ns sram 64k x 16 平行 8ns
4UY12UT#ABA-C ProLabs 4uy12ut＃aba-c 275.0000
RFQ
 ECAD 8453 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-4UY12UT ＃ABA-C ear99 8473.30.5100 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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