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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
FM24C04UEM8 Fairchild Semiconductor FM24C04UEM8 -
RFQ
 ECAD 1425 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FM24C04 Eeprom 4.5v〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 100 kHz 不揮発性 4kbit 3.5 µs Eeprom 512 x 8 i²c 10ms
TC58NVG1S3HBAI6 Kioxia America, Inc. TC58NVG1S3HBAI6 3.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Kioxia America - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 67-VFBGA TC58NVG1 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 67-VFBGA （6.5x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991A2 8542.32.0071 338 不揮発性 2Gbit 25 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
W25Q64JWSSIM Winbond Electronics w25q64jwssim 0.8894
RFQ
 ECAD 2654 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q64 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64JWSSIM 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
71024S12TYGI Renesas Electronics America Inc 71024S12Tygi 3.1608
RFQ
 ECAD 2662 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） 71024S sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 23 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 WT：E TR -
RFQ
 ECAD 6225 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT53B128M32D1Z00NWC2 Micron Technology Inc. MT53B128M32D1Z00NWC2 -
RFQ
 ECAD 8892 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 廃止 0000.00.0000 1 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
IS46LD32128A-25BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-25BPLA2-TR -
RFQ
 ECAD 8671 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46LD32128A-25BPLA2-TR 廃止 1 400 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
CY7C1041BV33L-15VC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1041BV33L-15VC 5.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） Cy7C1041 sram-非同期 3V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 15 ns sram 256k x 16 平行 15ns
M24C16-DRMF3TG/K STMicroelectronics M24C16-DRMF3TG/K 0.6000
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 stmicroelectronics aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド M24C16 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-mlp （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 不揮発性 16kbit 450 ns Eeprom 2k x 8 i²c 4ms
25LC040AT-E/ST Microchip Technology 25LC040AT-E/ST 0.7050
RFQ
 ECAD 7810 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 25LC040 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 10 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8 spi 5ms
S34ML04G100TFA003 SkyHigh Memory Limited S34ML04G100TFA003 -
RFQ
 ECAD 9703 0.00000000 Skyhigh Memory Limited - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました S34ML04 - ROHS準拠 3 （168 時間） 2120-S34ML04G100TFA003 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 確認されていません
MTFC4GMDEA-R1 IT Micron Technology Inc. mtfc4gmdea-r1 it -
RFQ
 ECAD 9716 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,520 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
AT25DF021-SSHF-B Microchip Technology AT25DF021-SSHF-B -
RFQ
 ECAD 1992年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT25DF021 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-SOIC - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 50 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 7µs 、5ms
IS62WV5128EALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EALL-55BI-TR -
RFQ
 ECAD 2685 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 36-tfbga IS62WV5128 sram-非同期 1.65V〜2.2V 36-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 1 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
W25Q128JWEIQ TR Winbond Electronics w25q128jweiq tr 1.5488
RFQ
 ECAD 7155 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q128 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128JWEIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o - 、3ms
AS4C64M8D3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D3L-12BCN 4.4684
RFQ
 ECAD 1884年 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C（TA） 表面マウント 78-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1431 ear99 8542.32.0028 242 800 MHz 揮発性 512mbit 20 ns ドラム 64m x 8 平行
IS25WQ020-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JKLE-TR -
RFQ
 ECAD 5953 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25WQ020 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,500 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 1ms
IS25WP256E-RHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256E-RHLA3-TR 4.7898
RFQ
 ECAD 2549 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25WP256E-RHLA3-TR 2,500 166 MHz 不揮発性 256mbit 5.5 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 50µs、1ms
MT40A1G8SA-075:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-075：E TR 6.0000
RFQ
 ECAD 9675 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
UPD46184362BF1-E40-EQ1-A Renesas Electronics America Inc UPD46184362BF1-E40-EQ1-A 42.0700
RFQ
 ECAD 467 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1
AS4C256M16D3B-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3B-12BANTR -
RFQ
 ECAD 6750 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA（13.5x9 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
7142LA55J8 Renesas Electronics America Inc 7142LA55J8 -
RFQ
 ECAD 6306 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 7142la sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 400 揮発性 16kbit 55 ns sram 2k x 8 平行 55ns
CY7C1386B-167BGC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1386B-167BGC 15.8400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA Cy7C1386 sram- sdr 3.135V〜3.6V 119-PBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 揮発性 18mbit 3.4 ns sram 512K x 36 平行 -
CY14B101Q2-LHXI Infineon Technologies Cy14B101Q2-LHXI 13.5100
RFQ
 ECAD 6199 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド Cy14B101 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 8-dfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 308 40 MHz 不揮発性 1mbit nvsram 128k x 8 spi -
W25M02GVZEIG Winbond Electronics W25M02GVZEIG -
RFQ
 ECAD 9619 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25M02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GVZEIG 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
MT40A512M8Z90BWC1 Micron Technology Inc. MT40A512M8Z90BWC1 -
RFQ
 ECAD 9430 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 MT40A512 - 廃止 1
MT40A512M16LY-062E AIT:E Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E AIT：e 9.2250
RFQ
 ECAD 6447 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT40A512M16LY-062EAIT：e ear99 8542.32.0036 1,080 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
24LC16BT-I/MNY Microchip Technology 24LC16BT-I/MNY 0.4400
RFQ
 ECAD 3706 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド 24LC16B Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tdfn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 400 kHz 不揮発性 16kbit 900 ns Eeprom 2k x 8 i²c 5ms
MT41K1G4RG-107:N Micron Technology Inc. MT41K1G4RG-107：n -
RFQ
 ECAD 7526 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （7.5x10.6 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 1g x 4 平行 -
S25FL064LABBHB020 Nexperia USA Inc. S25FL064LABBHB020 -
RFQ
 ECAD 4616 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク アクティブ - 2156-S25FL064LABBHB020 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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