画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS43LD16128C-25BLI-TR | - | ![]() | 6441 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-TFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43LD16128C-25BLI-TR | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5.5 ns | ドラム | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||||||
![]() | Cy7C1480BV33-167BZXC | - | ![]() | 9292 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1480 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 210 | 167 MHz | 揮発性 | 72mbit | 3.4 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | MT28HL32GQBB3ERK-0SCT | - | ![]() | 6227 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | MT28HL32 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 960 | ||||||||||||||||||
![]() | 24AA64T-I/MNY | 0.5700 | ![]() | 4158 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | 24AA64 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 不揮発性 | 64kbit | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | 7130SA35TF8 | - | ![]() | 5904 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 64-LQFP | 7130SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP (10x10) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 8kbit | 35 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 35ns | ||||
![]() | MT46H16M32LFBQ-5 AIT:c | - | ![]() | 6000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | |||
![]() | 7035S15PF8 | - | ![]() | 1593 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 7035S15 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 144kbit | 15 ns | sram | 8k x 18 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | w25q64cvtbsg | - | ![]() | 3668 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64CVTBSG | 廃止 | 1 | 80 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | ||||
![]() | IS49NLC36800-25BL | - | ![]() | 9759 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC36800 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 8m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR | - | ![]() | 2286 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT48LC2M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | 12ns | |||
![]() | 809082-091-C | 143.7500 | ![]() | 5483 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-809082-091-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 70V9279L12PRF | - | ![]() | 3686 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 128-LQFP | 70V9279 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 128-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 512kbit | 12 ns | sram | 32k x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | MF621G/AC | 68.7500 | ![]() | 7158 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-MF621G/AC | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | AT25XV041B-UUVHR-T | - | ![]() | 3684 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 8-XFBGA 、WLCSP | AT25XV041 | フラッシュ | 1.65V〜4.4V | 8-wlcsp(1.63x1.58) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 85 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 8µs、2.75ms | ||||
![]() | cy62137vnll-70zsxe | 5.7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy62137 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 53 | 揮発性 | 2mbit | 70 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 70ns | 確認されていません | |||||
![]() | 5962-9150810MYA | - | ![]() | 8842 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜125°C | 表面マウント | 68フラットパック | 5962-9150810 | sram- デュアルポート、同期 | 4.5v〜5.5V | 68-fpack | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 800-5962-9150810MYA | 廃止 | 9 | 揮発性 | 128kbit | 25 ns | sram | 16k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | mt53d4dasb-dc tr | - | ![]() | 4997 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | mt53d4 | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | |||||||||||||||||||
![]() | N25Q128A13ESF40E | - | ![]() | 2225 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | N25Q128A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-1563 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
![]() | IS25WP080D-JULA3-TR | 0.9188 | ![]() | 7841 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜1.95V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25WP080D-JULA3-TR | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 7 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | ||||||
EM064LXQADG13CS1T | 42.0000 | ![]() | 1037 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | ミスター(磁気抵抗ラム) | 1.65V〜2V | 8-dfn (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 819-EM064LXQADG13CS1T | ear99 | 8542.32.0071 | 290 | 200 MHz | 不揮発性 | 64mbit | ラム | 8m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | ||||||
![]() | IS62WV51216HBLL-45B2LI | 5.5800 | ![]() | 460 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS62WV51216HBLL-45B2LI | 480 | 揮発性 | 8mbit | 45 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 45ns | |||||||
![]() | M58LT256JST8ZA6F TR | - | ![]() | 2587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 80-lbga | M58LT256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 80-lbga (10x12) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 85 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 85ns | |||
M24C02-RDS6G | - | ![]() | 1466 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | M24C02 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | S25FL256SDSMFA000 | 5.6000 | ![]() | 9603 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,400 | 80 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6.5 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 750µs | |||||||
70V3599S166BFG | 244.5048 | ![]() | 3627 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 208-LFBGA | 70V3599 | sram- デュアルポート、同期 | 3.15V〜3.45V | 208-CABGA (15x15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 166 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.6 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | S29VS256RABBHI000 | 52.6400 | ![]() | 221 | 0.00000000 | Infineon Technologies | vs-r | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-VFBGA | S29VS256 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 44-FBGA (7.5x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2832-S29VS256RABBHI000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 377 | 108 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 80 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 60ns | ||
![]() | MT28HL08GNBB3EBK-0GCT | 33.0000 | ![]() | 8772 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | MT28HL08 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 270 | ||||||||||||||||||
![]() | 70V27S35PFG | - | ![]() | 1840 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 70V27S | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | - | 800-70V27S35PFG | 廃止 | 1 | 揮発性 | 512kbit | 35 ns | sram | 32k x 16 | lvttl | 35ns | |||||||
![]() | S25FL116K0XNFI011 | 0.8300 | ![]() | 68 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl1-k | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | S25FL116 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0071 | 603 | 108 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||||
![]() | gd55wb512meyigy | 4.6816 | ![]() | 4786 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55WB | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65v〜3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD55WB512MEYIGY | 4,800 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - |
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