SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
CY7C1041BV33L-15VC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1041BV33L-15VC 5.6700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) Cy7C1041 sram-非同期 3V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 15 ns sram 256k x 16 平行 15ns
CY7C0851AV-167BBXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C0851AV-167BBXC 96.0000
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 172-lbga Cy7C0851 sram- デュアルポート、同期 3.135V〜3.465V 172-FBGA (15x15 - ROHS非準拠 3A991B2A 8542.32.0041 6 167 MHz 揮発性 2mbit sram 64k x 36 平行 -
MTFC4GMDEA-R1 IT Micron Technology Inc. mtfc4gmdea-r1 it -
RFQ
ECAD 9716 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga(11.5x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,520 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
RMLV3216AGSD-5S2#HA0 Renesas Electronics America Inc RMLV3216AGSD-5S2 #HA0 -
RFQ
ECAD 5404 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 52-TFSOP (0.350 "、幅8.89mm) RMLV3216 sram 2.7V〜3.6V 52-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 揮発性 32mbit 55 ns sram 4m x 8、2m x 16 平行 55ns
CY14B104N-ZS45XC Cypress Semiconductor Corp CY14B104N-ZS45XC -
RFQ
ECAD 9510 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - チューブ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) Cy14B104 nvsram (不揮発性 sram) 2.7V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード 適用できない 3A991B2B 8542.32.0041 5 不揮発性 4mbit 45 ns nvsram 256k x 16 平行 45ns 確認されていません
CY7C1565KV18-450BZXI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1565Kv18-450bzxi 568.8100
RFQ
ECAD 819 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1565 sram- qdr ii+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3A991B2A 8542.32.0041 136 450 MHz 揮発性 72mbit sram 2m x 36 平行 - 確認されていません
CG8556AAT Infineon Technologies CG8556AAT 2.1733
RFQ
ECAD 2958 0.00000000 Infineon Technologies - テープ&リール( tr) アクティブ - ROHS3準拠 1,000
MT46V64M8P-5B IT:J Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B IT:J -
RFQ
ECAD 7005 0.00000000 Micron Technology Inc. - 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,080 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
W948D6KBHX5E Winbond Electronics w948d6kbhx5e 2.0847
RFQ
ECAD 7170 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 60-TFBGA W948D6 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA (8x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 312 200 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT55L256V32PT-7.5 Micron Technology Inc. MT55L256V32PT-7.5 8.9300
RFQ
ECAD 345 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp MT55L256V sram- zbt 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 8mbit 4.2 ns sram 256k x 32 平行 -
AT25010B-XHL-T Microchip Technology AT25010B-XHL-T 0.3200
RFQ
ECAD 7882 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) AT25010 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 20 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8 spi 5ms
AS4C64M16D1A-6BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D1A-6BINTR 17.0905
RFQ
ECAD 1337 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA (8x13) ダウンロード 3 (168 時間) 1450-AS4C64M16D1A-6BINTR 1,000 166 MHz 揮発性 1gbit 700 ps ドラム 64m x 16 SSTL_2 15ns
MT53E2G32D4DT-046 WT ES:A Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DT-046 WT ES:a 96.1650
RFQ
ECAD 4720 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C (TC) MT53E2G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 影響を受けていない 557-MT53E2G32D4DT-046WTES:a 136 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
MX25U25643GZ4I00 Macronix MX25U25643GZ4I00 3.0448
RFQ
ECAD 6317 0.00000000 マクロニックス MXSMIO™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8-wson (8x6) - 3 (168 時間) 1092-MX25U25643GZ4I00 480 133 MHz 不揮発性 256mbit 8 ns フラッシュ 64m x 4、128m x 2、256m x 1 spi -quad i/o 40µs、3ms
IS63LV1024L-10HL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-10HL-TR -
RFQ
ECAD 4041 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) IS63LV1024 sram-非同期 3V〜3.6V 32 stsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 2,000 揮発性 1mbit 10 ns sram 128k x 8 平行 10ns
W25N02JWTBIC TR Winbond Electronics W25N02JWTBIC TR 5.1250
RFQ
ECAD 1981年年 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25N02 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25N02JWTBICTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 166 MHz 不揮発性 2Gbit 6 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
95Y4810-C ProLabs 95Y4810-C 110.0000
RFQ
ECAD 9509 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-95Y4810-C ear99 8473.30.5100 1
U62256AS2K07LLG1TR Alliance Memory, Inc. U62256AS2K07LLG1TR -
RFQ
ECAD 2909 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 28-SOIC (0.330 "、幅8.38mm) U62256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 256kbit 70 ns sram 32k x 8 平行 70ns
24LC32A-E/SN16KVAO Microchip Technology 24LC32A-E/SN16KVAO -
RFQ
ECAD 9644 0.00000000 マイクロチップテクノロジー aec-q100 チューブ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) 24LC32A Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 400 kHz 不揮発性 32kbit 900 ns Eeprom 4k x 8 i²c 5ms
IS43LD32640B-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-18BLI-TR 11.0850
RFQ
ECAD 5098 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 前回購入します -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-TFBGA IS43LD32640 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.95V 134-TFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 533 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 平行 15ns
MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J 9.0000
RFQ
ECAD 4816 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 149-WFBGA フラッシュnand( slc )、 dram -lpddr4 1.06V〜1.17V 149-WFBGA (8x9.5) - 557-MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J 1 不揮発性、揮発性 4gbit 25 ns フラッシュ、ラム 512m x 8 onfi 30ns
MT40A512M8Z90BWC1 Micron Technology Inc. MT40A512M8Z90BWC1 -
RFQ
ECAD 9430 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 MT40A512 - 廃止 1
24LC02BHT-E/MS Microchip Technology 24LC02BHT-E/MS 0.4350
RFQ
ECAD 3240 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) 24LC02BH Eeprom 2.5V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
DS28E01P-W0M+1 Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS28E01P-W0M+1 -
RFQ
ECAD 9150 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 6-smd、Jリード DS28E01 Eeprom 2.85V〜5.25V 6-TSOC - ROHS3準拠 175-DS28E01P-W0M+1 廃止 120 不揮発性 1kbit 2 µs Eeprom 256 x 4 1-Wire® -
71016NS12PH Renesas Electronics America Inc 71016NS12ph -
RFQ
ECAD 1618 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP II - 800-71016NS12ph 1 揮発性 1mbit 12 ns sram 64k x 16 平行 15ns
CY7C1386KV33-167AXC Infineon Technologies Cy7C1386KV33-167AXC 30.9750
RFQ
ECAD 9934 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp Cy7C1386 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 720 167 MHz 揮発性 18mbit 3.4 ns sram 512K x 36 平行 -
CY7C1415BV18-250BZI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1415Bv18-250bzi 54.5600
RFQ
ECAD 744 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1415 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA (15x17 ダウンロード ROHS非準拠 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 36mbit sram 1m x 36 平行 - 確認されていません
24LC16BT-I/MNY Microchip Technology 24LC16BT-I/MNY 0.4400
RFQ
ECAD 3706 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド 24LC16B Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tdfn (2x3) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 400 kHz 不揮発性 16kbit 900 ns Eeprom 2k x 8 i²c 5ms
IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR 3.4373
RFQ
ECAD 8352 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS66WVE2M16 psram(pseudo sram 1.7V〜1.95V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 32mbit 70 ns psram 2m x 16 平行 70ns
70T651S15BF Renesas Electronics America Inc 70T651S15BF 288.3424
RFQ
ECAD 5744 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 208-LFBGA 70T651 sram- デュアルポート、非同期 2.4V〜2.6V 208-CABGA (15x15 ダウンロード ROHS非準拠 4 (72 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 7 揮発性 9mbit 15 ns sram 256k x 36 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫