画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Cy7C1041BV33L-15VC | 5.6700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy7C1041 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | Cy7C0851AV-167BBXC | 96.0000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 172-lbga | Cy7C0851 | sram- デュアルポート、同期 | 3.135V〜3.465V | 172-FBGA (15x15 | - | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 167 MHz | 揮発性 | 2mbit | sram | 64k x 36 | 平行 | - | ||||||
![]() | mtfc4gmdea-r1 it | - | ![]() | 9716 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga(11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | RMLV3216AGSD-5S2 #HA0 | - | ![]() | 5404 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 52-TFSOP (0.350 "、幅8.89mm) | RMLV3216 | sram | 2.7V〜3.6V | 52-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 揮発性 | 32mbit | 55 ns | sram | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | CY14B104N-ZS45XC | - | ![]() | 9510 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy14B104 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | 適用できない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 5 | 不揮発性 | 4mbit | 45 ns | nvsram | 256k x 16 | 平行 | 45ns | 確認されていません | |||||
![]() | Cy7C1565Kv18-450bzxi | 568.8100 | ![]() | 819 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1565 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | CG8556AAT | 2.1733 | ![]() | 2958 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT46V64M8P-5B IT:J | - | ![]() | 7005 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,080 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |||
w948d6kbhx5e | 2.0847 | ![]() | 7170 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | W948D6 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA (8x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 312 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | MT55L256V32PT-7.5 | 8.9300 | ![]() | 345 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | MT55L256V | sram- zbt | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 8mbit | 4.2 ns | sram | 256k x 32 | 平行 | - | |||
AT25010B-XHL-T | 0.3200 | ![]() | 7882 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT25010 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 20 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | AS4C64M16D1A-6BINTR | 17.0905 | ![]() | 1337 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA (8x13) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 1450-AS4C64M16D1A-6BINTR | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 1gbit | 700 ps | ドラム | 64m x 16 | SSTL_2 | 15ns | |||||||
![]() | MT53E2G32D4DT-046 WT ES:a | 96.1650 | ![]() | 4720 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -30°C〜85°C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 影響を受けていない | 557-MT53E2G32D4DT-046WTES:a | 136 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - | ||||||||||
MX25U25643GZ4I00 | 3.0448 | ![]() | 6317 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 時間) | 1092-MX25U25643GZ4I00 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 8 ns | フラッシュ | 64m x 4、128m x 2、256m x 1 | spi -quad i/o | 40µs、3ms | ||||||||
![]() | IS63LV1024L-10HL-TR | - | ![]() | 4041 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | IS63LV1024 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 32 stsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | W25N02JWTBIC TR | 5.1250 | ![]() | 1981年年 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N02 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N02JWTBICTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 6 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
![]() | 95Y4810-C | 110.0000 | ![]() | 9509 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-95Y4810-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | U62256AS2K07LLG1TR | - | ![]() | 2909 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-SOIC (0.330 "、幅8.38mm) | U62256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 256kbit | 70 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | 24LC32A-E/SN16KVAO | - | ![]() | 9644 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC32A | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 32kbit | 900 ns | Eeprom | 4k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | IS43LD32640B-18BLI-TR | 11.0850 | ![]() | 5098 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-TFBGA | IS43LD32640 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.95V | 134-TFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J | 9.0000 | ![]() | 4816 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 149-WFBGA | フラッシュnand( slc )、 dram -lpddr4 | 1.06V〜1.17V | 149-WFBGA (8x9.5) | - | 557-MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J | 1 | 不揮発性、揮発性 | 4gbit | 25 ns | フラッシュ、ラム | 512m x 8 | onfi | 30ns | |||||||||
![]() | MT40A512M8Z90BWC1 | - | ![]() | 9430 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | MT40A512 | - | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | 24LC02BHT-E/MS | 0.4350 | ![]() | 3240 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 24LC02BH | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | DS28E01P-W0M+1 | - | ![]() | 9150 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 6-smd、Jリード | DS28E01 | Eeprom | 2.85V〜5.25V | 6-TSOC | - | ROHS3準拠 | 175-DS28E01P-W0M+1 | 廃止 | 120 | 不揮発性 | 1kbit | 2 µs | Eeprom | 256 x 4 | 1-Wire® | - | ||||||
![]() | 71016NS12ph | - | ![]() | 1618 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | - | 800-71016NS12ph | 1 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||
Cy7C1386KV33-167AXC | 30.9750 | ![]() | 9934 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1386 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 720 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.4 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | Cy7C1415Bv18-250bzi | 54.5600 | ![]() | 744 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1415 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | 24LC16BT-I/MNY | 0.4400 | ![]() | 3706 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | 24LC16B | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 不揮発性 | 16kbit | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR | 3.4373 | ![]() | 8352 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS66WVE2M16 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 32mbit | 70 ns | psram | 2m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
70T651S15BF | 288.3424 | ![]() | 5744 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 208-LFBGA | 70T651 | sram- デュアルポート、非同期 | 2.4V〜2.6V | 208-CABGA (15x15 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 揮発性 | 9mbit | 15 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | 15ns |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫