- 中国語
- 英語
- フランス語
- ドイツ語
- ポルトガル語
- スペイン語
- ロシア
- 日本語
- 韓国語
- アラビア語
- アイルランド
- ギリシャ語
- トルコ語
- イタリア語
- デンマーク語
- ルーマニア人
- インドネシア語
- チェコ
- アフリカーンス
- スウェーデン語
- 研磨
- バスク
- カタロニア
- エスペラント
- ヒンディー語
- ラオス
- アルバニア語
- アムハラ語
- アルメニア人
- アゼルバイジャン
- ベラルーシ人
- ベンガル語
- ボスニア人
- ブルガリア
- セブアノ
- チチェワ
- コルシカ人
- クロアチア語
- オランダ語
- エストニアン
- フィリピン人
- フィンランド語
- フリジアン
- ガリシア語
- ジョージアン
- グジャラート語
- ハイチ人
- ハウサ
- ハワイアン
- ヘブライ語
- hmong
- ハンガリー
- アイスランド語
- イボ
- Javanese
- カンナダ
- カザフ
- クメール
- クルド
- キルギス
- ラテン
- ラトビアン
- リトアニアン
- ルクセンボウ..
- マケドニア語
- マラガシー
- マレー
- マラヤーラム語
- マルタ
- マオリ
- マラーティー
- モンゴル人
- ビルマ
- ネパール
- ノルウェー語
- パシュ
- ペルシャ語
- パンジャブ
- セルビア人
- セソト
- シンハラ
- スロバキア
- スロベニア人
- ソマリア
- サモアン
- スコットランドゲール語
- ショナ
- シンディ
- スンダネーゼ
- スワヒリ
- タジク
- タミル語
- テルグ語
- タイ
- ウクライナ人
- ウルドゥー語
- ウズベック
- ベトナム人
- ウェールズ
- xhosa
- イディッシュ語
- ヨルバ
- ズールー
- キニャルワンダ
- タタール
- オリヤ
- タークメン
- uyghur
メモリ（69470）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS46LD32128C-25BPLA1 | - |  | 3130 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46LD32128C-25BPLA1 | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5.5 ns | ドラム | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
 | P38454-B21-C | 370.0000 | | 7779 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-P38454-B21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | RD48F4400P0VBQ0A | - | | 9874 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 88-TFBGA 、CSPBGA | RD48F4400 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 88-scsp（ 8x11） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 176 | 52 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 85 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 85ns | |||
| HX-SP-M32-RVA-C | 250.0000 | | 4570 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-HX-SP-M32-RVA-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| S25FL128P0XMFI000 | 3.2400 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 2156-S25FL128P0XMFI000 | 93 | ||||||||||||||||||||||
| C-667D2N5/4G | 170.0000 | | 3669 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-667D2N5/4G | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | W25Q64JVSFAQ | - | | 8325 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W25Q64JVSFAQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
 | ndl46pfp-9mit | 12.2500 | | 660 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | NDL46 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （7.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1982-NDL46PFP-9RIT | ear99 | 8542.32.0036 | 209 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IDT71T75702S80BG8 | - | | 6311 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 119-BGA | IDT71T75 | sram- sdr（zbt） | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 71T75702S80BG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 18mbit | 8 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
 | MT44K16M36RB-125：a | - | | 4497 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K16M36 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-BGA（13.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,190 | 800 MHz | 揮発性 | 576mbit | 12 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | |||
 | Cy7C1270V18-375BZXC | - | | 3168 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1270 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA （15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 375 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||||
 | Cy7C1514AV18-167BZXC | - | | 5059 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1514 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA （15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||||
| MT41J256M16HA-093：e | - | | 1624 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J256M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||
| IS43LD16128C-25BLI-TR | - | | 6441 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 134-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-TFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LD16128C-25BLI-TR | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5.5 ns | ドラム | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||||||
 | Cy7C1480BV33-167BZXC | - | | 9292 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1480 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 165-FBGA （15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 210 | 167 MHz | 揮発性 | 72mbit | 3.4 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
| MT28HL32GQBB3ERK-0SCT | - | | 6227 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | MT28HL32 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 960 | ||||||||||||||||||
 | 24AA64T-I/MNY | 0.5700 | | 4158 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | 24AA64 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tdfn （2x3） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 不揮発性 | 64kbit | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 5ms | |||
 | 7130SA35TF8 | - | | 5904 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 64-LQFP | 7130SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP （10x10） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 8kbit | 35 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 35ns | ||||
| MT46H16M32LFBQ-5 AIT：c | - | | 6000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | |||
 | 7035S15PF8 | - | | 1593 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | 7035S15 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 144kbit | 15 ns | sram | 8k x 18 | 平行 | 15ns | ||||
 | w25q64cvtbsg | - | | 3668 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W25Q64CVTBSG | 廃止 | 1 | 80 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | ||||
 | IS49NLC36800-25BL | - | | 9759 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC36800 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA （11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 8m x 36 | 平行 | - | |||
 | MT48LC2M32B2TG-6A IT：JTR | - | | 2286 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC2M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | 12ns | |||
 | 809082-091-C | 143.7500 | | 5483 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-809082-091-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 70V9279L12PRF | - | | 3686 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 128-LQFP | 70V9279 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 128-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 512kbit | 12 ns | sram | 32k x 16 | 平行 | - | ||||
| MF621G/AC | 68.7500 | | 7158 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-MF621G/AC | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | AT25XV041B-UUVHR-T | - | | 3684 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 8-XFBGA 、WLCSP | AT25XV041 | フラッシュ | 1.65V〜4.4V | 8-wlcsp（1.63x1.58） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 85 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 8µs、2.75ms | ||||
 | cy62137vnll-70zsxe | 5.7300 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | Cy62137 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 53 | 揮発性 | 2mbit | 70 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 70ns | 確認されていません | |||||
| 5962-9150810MYA | - | | 8842 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜125°C | 表面マウント | 68フラットパック | 5962-9150810 | sram- デュアルポート、同期 | 4.5v〜5.5V | 68-fpack | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 800-5962-9150810MYA | 廃止 | 9 | 揮発性 | 128kbit | 25 ns | sram | 16k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
| mt53d4dasb-dc tr | - | | 4997 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mt53d4 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
ウィッシュリスト（0アイテム）