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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
M39L0R8090U3ZE6E Micron Technology Inc. M39L0R8090U3ZE6E -
RFQ
 ECAD 2688 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 133-VFBGA M39L0R8090 フラッシュ -モバイルLPDDRSDRAM 1.7V〜1.95V 133-VFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,560 不揮発性、揮発性 256mbit 、512mbit 70 ns フラッシュ、ラム 16m x 16、32m x 16 平行 -
W29N04KZSIBF TR Winbond Electronics w29n04kzsibf tr 6.7961
RFQ
 ECAD 6314 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W29N04KZSIBFTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 4gbit 25 ns フラッシュ 512m x 8 onfi 35NS 、700µs
IS46LQ16128A-062TBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128A-062TBLA2 11.6916
RFQ
 ECAD 4969 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ16128A-062TBLA2 136 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL 18ns
AS4C8M32MD2A-25BPCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M32MD2A-25BPCN 5.5100
RFQ
 ECAD 2293 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 168-VFBGA AS4C8M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-FBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C8M32MD2A-25BPCN ear99 8542.32.0024 168 400 MHz 揮発性 256mbit 18 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
25LC040AT-E/ST Microchip Technology 25LC040AT-E/ST 0.7050
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 ECAD 7810 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 25LC040 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 10 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8 spi 5ms
S34ML04G100TFA003 SkyHigh Memory Limited S34ML04G100TFA003 -
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 ECAD 9703 0.00000000 Skyhigh Memory Limited - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました S34ML04 - ROHS準拠 3 （168 時間） 2120-S34ML04G100TFA003 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 確認されていません
UPD46184362BF1-E40-EQ1-A Renesas Electronics America Inc UPD46184362BF1-E40-EQ1-A 42.0700
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 ECAD 467 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1
MT53E2G32D4DE-046 AAT:C Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AAT：c 56.5050
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 ECAD 7913 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E2G32D4DE-046AAT：c 1 2.133 GHz 揮発性 64gbit 3.5 ns ドラム 2g x 32 平行 18ns
MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1 Micron Technology Inc. MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1 -
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 ECAD 9406 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F384G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 384gbit フラッシュ 48g x 8 平行 -
MT53E1G32D2NP-046 WT:A TR Micron Technology Inc. mt53e1g32d2np-046 wt：a tr -
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 ECAD 7690 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E1G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 557-MT53E1G32D2NP-046WT：ATR 廃止 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 WT：E TR -
RFQ
 ECAD 6225 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
FM93C66ALM8X Fairchild Semiconductor FM93C66ALM8X 0.2900
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 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 93C66A Eeprom 2.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 2,500 250 kHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8、256 x 16 マイクロワイヤ 15ms
M24C16-DRMF3TG/K STMicroelectronics M24C16-DRMF3TG/K 0.6000
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 ECAD 19 0.00000000 stmicroelectronics aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド M24C16 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-mlp （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 不揮発性 16kbit 450 ns Eeprom 2k x 8 i²c 4ms
FM24C32UFLM8 Fairchild Semiconductor FM24C32UFLM8 -
RFQ
 ECAD 1992年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FM24C32 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 400 kHz 不揮発性 32kbit 900 ns Eeprom 4k x 8 i²c 15ms
GD25B128EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B128EYGY 1.2709
RFQ
 ECAD 5180 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25B トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD25B128EYIGY 4,800 133 MHz 不揮発性 128mbit 7 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR 2.2324
RFQ
 ECAD 6620 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-SOJ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR 800 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
MT62F768M64D4EJ-031 AUT:A TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EJ-031 AUT：A TR 118.2000
RFQ
 ECAD 8751 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ MT62F768 - 影響を受けていない 557-MT62F768M64D4EJ-031AUT：ATR 1,500
MTFC8GACAENS-5M AIT TR Micron Technology Inc. MTFC8GACAENS-5M AIT TR -
RFQ
 ECAD 8143 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MTFC8GACAENS-5MAITTR 廃止 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
7005L35JG Renesas Electronics America Inc 7005L35JG -
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 68-lcc 7005L35 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 68-PLCC（24.21x24.21 - 800-7005L35JG 廃止 1 揮発性 64kbit 35 ns sram 8k x 8 平行 35ns
AS4C64M8D3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D3L-12BCN 4.4684
RFQ
 ECAD 1884年 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C（TA） 表面マウント 78-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1431 ear99 8542.32.0028 242 800 MHz 揮発性 512mbit 20 ns ドラム 64m x 8 平行
AT25DF021-SSHF-B Microchip Technology AT25DF021-SSHF-B -
RFQ
 ECAD 1992年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT25DF021 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-SOIC - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 50 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 7µs 、5ms
CY7C1386B-167BGC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1386B-167BGC 15.8400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA Cy7C1386 sram- sdr 3.135V〜3.6V 119-PBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 揮発性 18mbit 3.4 ns sram 512K x 36 平行 -
CY14B101Q2-LHXI Infineon Technologies Cy14B101Q2-LHXI 13.5100
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 ECAD 6199 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド Cy14B101 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 8-dfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 308 40 MHz 不揮発性 1mbit nvsram 128k x 8 spi -
S25HS02GTDPBHM053 Infineon Technologies S25HS02GTDPBHM053 39.7425
RFQ
 ECAD 3065 0.00000000 Infineon Technologies Semper™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.7V〜2V 24-bga （8x6） - 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 2Gbit 6 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o、qpi 1.7ms
PCA8581CT/6,118 NXP USA Inc. PCA8581CT/6,118 -
RFQ
 ECAD 3826 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） PCA85 Eeprom 2.5V〜6.0V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 100 kHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8 i²c 10ms
IS25WP256E-RHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256E-RHLA3-TR 4.7898
RFQ
 ECAD 2549 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25WP256E-RHLA3-TR 2,500 166 MHz 不揮発性 256mbit 5.5 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 50µs、1ms
W632GG6MB-12 TR Winbond Electronics W632GG6MB-12 TR -
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 ECAD 3906 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 3,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MX25L6456EXCI-10G Macronix MX25L6456EXCI-10G 1.2024
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 ECAD 9379 0.00000000 マクロニックス MXSMIO™ トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MX25L6456 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-cspbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -
MT41K1G4RG-107:N Micron Technology Inc. MT41K1G4RG-107：n -
RFQ
 ECAD 7526 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （7.5x10.6 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 1g x 4 平行 -
7142LA55J8 Renesas Electronics America Inc 7142LA55J8 -
RFQ
 ECAD 6306 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 7142la sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 400 揮発性 16kbit 55 ns sram 2k x 8 平行 55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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