画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST25PF040B-80-4C-S2AE | - | ![]() | 5528 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST25 | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | SST25PF040 | フラッシュ | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 80 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 10µs | |||||
![]() | CY7C1513JV18-250BZXC | - | ![]() | 8883 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1513 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | 71V25761S166BGI8 | - | ![]() | 3086 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 119-BGA | 71v25761 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | CG8406AA | - | ![]() | 2484 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 135 | ||||||||||||||||||
![]() | MT28EW01GABA1LJS-0SIT | - | ![]() | 9755 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT28EW01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 1gbit | 95 ns | フラッシュ | 128m x 8、64m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | 70V3319S166PRFG8 | 268.9869 | ![]() | 8078 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 128-LQFP | 70V3319 | sram- デュアルポート、同期 | 3.15V〜3.45V | 128-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.6 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | |||
![]() | GD25LQ128EQIGR | 1.3900 | ![]() | 5298 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-USON (4x4) | ダウンロード | 1970-GD25LQ128EQIGRTR | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | ||||||||
![]() | 7164L20YGI | 3.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | 7164L | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-SOJ | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 64kbit | 20 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 20ns | |||||||
![]() | MT62F3G32D8DV-023 IT:B TR | 74.6400 | ![]() | 2363 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-023IT:BTR | 2,000 | 4.266 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 3g x 32 | 平行 | - | |||||||||
![]() | MT53D512M16D1DS-046 WT:d | 9.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT53D512M16D1DS-046WT:d | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | - | - | |||
![]() | Cy7C1515JV18-300BZC | 180.7100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1515 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | S25FL128SAGNFI013 | 5.1100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
W29N04KZSIBG | 7.5822 | ![]() | 5939 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 256-W29N04KZSIBG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4gbit | 25 ns | フラッシュ | 512m x 8 | onfi | 35NS 、700µs | ||||||
![]() | GD25LQ32ESAGR | 1.0635 | ![]() | 1076 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LQ32ESAGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | ||||||||
![]() | MT62F3G32D8DV-026 WT:b | 67.8450 | ![]() | 3004 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026WT:b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 3g x 32 | 平行 | - | |||||||||
w25q128jwpiq | 1.5926 | ![]() | 5165 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JWPIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - 、3ms | ||||
![]() | MD28F010-90/r | 140.9300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ロチェスターエレクトロニクス、LLC | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 7132SA20J8 | - | ![]() | 6956 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | 7132SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 400 | 揮発性 | 16kbit | 20 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | MX29LV400CTMI-70G | - | ![]() | 2317 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29LV | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) | MX29Lv400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 44ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 16 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | 70V27S20PFI8 | - | ![]() | 6731 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70V27S | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 512kbit | 20 ns | sram | 32k x 16 | 平行 | 20ns | |||||
![]() | IS43DR16320E-25DBL-TR | 2.2990 | ![]() | 4105 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43DR16320E-25DBL-TR | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 32m x 16 | SSTL_18 | 15ns | ||||||
![]() | Cy7C1049BNL-17VCT | 10.2500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1049 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 36-SOJ | ダウンロード | 適用できない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 30 | 揮発性 | 4mbit | 17 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 17ns | 確認されていません | |||||
![]() | MT62F768M64D4ZU-026 WT:B TR | 27.9300 | ![]() | 7367 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C | - | - | MT62F768 | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F768M64D4ZU-026WT:BTR | 2,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | 平行 | - | ||||||||
![]() | S34ML01G200BHV000 | - | ![]() | 7006 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | トレイ | sicで中止されました | S34ML01 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 2120-S34ML01G200BHV000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 確認されていません | ||||||||||||||||
![]() | E28F020120 | 2.6600 | ![]() | 92 | 0.00000000 | インテル | M28F020 | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32ソップ | フラッシュ - (slc) | 4.75v〜5.25V | 32-tsop | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 2mbit | 120 ns | フラッシュ | 256k x 8 | 平行 | 120ns | |||||
![]() | Cy7C194bn-15pc | 6.6500 | ![]() | 504 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 24-dip (0.300 "、7.62mm) | Cy7C194 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 24-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 46 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 64k x 4 | 平行 | 15ns | 確認されていません | |||||
![]() | S34ML02G200GHI003 | - | ![]() | 1514 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | S34ML02 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 2120-S34ML02G200GHI003 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 確認されていません | ||||||||||||||||
![]() | MT58L128L32P1T-7.5CTR | 4.7500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | 揮発性 | 4mbit | 4 ns | sram | 128k x 32 | 平行 | - | ||||
![]() | IS42S16160J-6TLI-TR | 2.9779 | ![]() | 5382 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | 7130LA55J/2930 | - | ![]() | 4251 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | 7130la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 揮発性 | 8kbit | 55 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 55ns |
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