画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S29GL064N90BAI040 | 1.3900 | ![]() | 338 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 2156-S29GL064N90BAI040 | 216 | ||||||||||||||||||||||
7140SA35CB | - | ![]() | 7718 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜125°C | 穴を通して | 48-dip(0.600 "、15.24mm) | 7140SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 48サイドろう付け | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 8 | 揮発性 | 8kbit | 35 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 35ns | |||||
![]() | IS42S16400J-7B2LI-TR | 2.8644 | ![]() | 4580 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-TFBGA (6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | IS45S16320D-7BLA1-TR | 19.4700 | ![]() | 3487 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS45S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | w25q32fvdaig tr | - | ![]() | 6875 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | ||||
![]() | EMFA232A2PF-DV-FR TR | - | ![]() | 3946 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | EMFA232 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
SM671PXE-BFSS | 87.3500 | ![]() | 2247 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-nand(slc) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PXE-BFSS | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | UFS2.1 | - | |||||||||||
![]() | S34ML16G202TFI200 | - | ![]() | 6108 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | トレイ | sicで中止されました | S34ML16 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 2120-S34ML16G202TFI200 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 確認されていません | ||||||||||||||||
![]() | 24LC64F-I/MS | 0.5700 | ![]() | 2564 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 24LC64 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 64kbit | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | IS46LQ16128A-062BLA1 | - | ![]() | 3510 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-VFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46LQ16128A-062BLA1 | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | 18ns | ||||||
![]() | MX29GL128FHXFI-90G | 4.0040 | ![]() | 1680 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29GL | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga、CSPBGA | MX29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 不揮発性 | 128mbit | 90 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | 90ns | ||||
![]() | 71V67903S85PFGI | - | ![]() | 2067 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 71v67903 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 87 MHz | 揮発性 | 9mbit | 8.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | |||
![]() | 71V65603S100BQG | 26.1188 | ![]() | 3374 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | 71v65603 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 100 MHz | 揮発性 | 9mbit | 5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | MR25H256ACDF | 5.9100 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | MR25H256 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 2.7V〜3.6V | 8-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 819-1064 | ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 40 MHz | 不揮発性 | 256kbit | ラム | 32k x 8 | spi | - | |||
![]() | 70V07L35JGI8 | - | ![]() | 5011 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 68-lcc | 70V07L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 68-PLCC(24.21x24.21 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 250 | 揮発性 | 256kbit | 35 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 35ns | ||||
![]() | S34ML02G104BHB013 | - | ![]() | 1421 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | S34ML02 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 2120-S34ML02G104BHB013 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 確認されていません | ||||||||||||||||
![]() | S34ML02G200TFA000 | - | ![]() | 1128 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | トレイ | sicで中止されました | S34ML02 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 2120-S34ML02G200TFA000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 確認されていません | ||||||||||||||||
CY7C1470V33-200ACES | - | ![]() | 4038 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NOBL™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1470 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 72mbit | 3 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | IS34ML02G084-TLI-TR | 4.8842 | ![]() | 1662 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS34ML02 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 2Gbit | 25 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | IS43LR32800H-6BL-TR | 4.4761 | ![]() | 8721 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43LR32800H-6BL-TR | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | lvcmos | 15ns | ||||||
w632gg6nb15j | - | ![]() | 2437 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W632GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 198 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | W25Q128FVTIQ | - | ![]() | 2452 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | ||||
![]() | IDT71V3577S75PF8 | - | ![]() | 1672 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71V3577 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V3577S75PF8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4.5mbit | 7.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | MX29LV800CBXEI-70G | 2.2144 | ![]() | 6335 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29LV | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-lfbga、Cspbga | MX29LV800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1m x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | w632gg8nb-11 tr | 4.2018 | ![]() | 9905 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W632GG8NB-11TR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | SSTL_15 | 15ns | ||
![]() | 647893-B21-C | 37.5000 | ![]() | 5395 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-647893-B21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS64LPS204818B-166TQLA3 | 132.3258 | ![]() | 9494 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS64LPS204818 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.8 ns | sram | 2m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | Cy7C1347G-166AXI | 6.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1347 | sram- sdr | 3.15V〜3.6V | 100-TQFP | - | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 50 | 166 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||
![]() | S99ML01G10042 | - | ![]() | 5709 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | バルク | sicで中止されました | S99ML01 | - | 未定義のベンダー | 2120-S99ML01G10042 | 0000.00.0000 | 96 | 確認されていません | ||||||||||||||||||
![]() | SNP61H6HC/4G-C | 25.0000 | ![]() | 1801 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-SNP61H6HC/4G-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
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