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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
CY7C1515JV18-300BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1515JV18-300BZC 180.7100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1515 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS非準拠 3A991B2A 8542.32.0041 105 300 MHz 揮発性 72mbit sram 2m x 36 平行 - 確認されていません
S25FL128SAGNFI013 Infineon Technologies S25FL128SAGNFI013 5.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド S25FL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
W29N04KZSIBG Winbond Electronics W29N04KZSIBG 7.5822
RFQ
 ECAD 5939 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W29N04KZSIBG 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 4gbit 25 ns フラッシュ 512m x 8 onfi 35NS 、700µs
GD25LQ32ESAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ESAGR 1.0635
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8ソップ - 1970-GD25LQ32ESAGRTR 2,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 100µs 、4ms
MT62F3G32D8DV-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 WT：b 67.8450
RFQ
 ECAD 3004 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-026WT：b 1 3.2 GHz 揮発性 96gbit ドラム 3g x 32 平行 -
W25Q128JWPIQ Winbond Electronics w25q128jwpiq 1.5926
RFQ
 ECAD 5165 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q128 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128JWPIQ 3A991B1A 8542.32.0071 100 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o - 、3ms
MD28F010-90/R Rochester Electronics, LLC MD28F010-90/r 140.9300
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 ECAD 3 0.00000000 ロチェスターエレクトロニクス、LLC * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0071 1
7132SA20J8 Renesas Electronics America Inc 7132SA20J8 -
RFQ
 ECAD 6956 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 7132SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 400 揮発性 16kbit 20 ns sram 2k x 8 平行 20ns
MX29LV400CTMI-70G Macronix MX29LV400CTMI-70G -
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 ECAD 2317 0.00000000 マクロニックス MX29LV チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MX29Lv400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 44ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 16 不揮発性 4mbit 70 ns フラッシュ 512k x 8 平行 70ns
70V27S20PFI8 Renesas Electronics America Inc 70V27S20PFI8 -
RFQ
 ECAD 6731 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 70V27S sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 3A991B2B 8542.32.0041 750 揮発性 512kbit 20 ns sram 32k x 16 平行 20ns
IS43DR16320E-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-25DBL-TR 2.2990
RFQ
 ECAD 4105 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43DR16320E-25DBL-TR 2,500 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 SSTL_18 15ns
CY7C1049BNL-17VCT Cypress Semiconductor Corp Cy7C1049BNL-17VCT 10.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 36-bsoj（0.400 "、10.16mm 幅） Cy7C1049 sram-非同期 4.5v〜5.5V 36-SOJ ダウンロード 適用できない 3A991B2A 8542.32.0041 30 揮発性 4mbit 17 ns sram 512k x 8 平行 17ns 確認されていません
MT62F768M64D4ZU-026 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4ZU-026 WT：B TR 27.9300
RFQ
 ECAD 7367 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C - - MT62F768 SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F768M64D4ZU-026WT：BTR 2,500 3.2 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 平行 -
S34ML01G200BHV000 SkyHigh Memory Limited S34ML01G200BHV000 -
RFQ
 ECAD 7006 0.00000000 Skyhigh Memory Limited - トレイ sicで中止されました S34ML01 - ROHS準拠 3 （168 時間） 2120-S34ML01G200BHV000 3A991B1A 8542.32.0071 210 確認されていません
E28F020120 Intel E28F020120 2.6600
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 インテル M28F020 バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32ソップ フラッシュ - （slc） 4.75v〜5.25V 32-tsop ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0071 1 不揮発性 2mbit 120 ns フラッシュ 256k x 8 平行 120ns
CY7C194BN-15PC Cypress Semiconductor Corp Cy7C194bn-15pc 6.6500
RFQ
 ECAD 504 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 24-dip （0.300 "、7.62mm） Cy7C194 sram-非同期 4.5v〜5.5V 24-pdip ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8542.32.0041 46 揮発性 256kbit 15 ns sram 64k x 4 平行 15ns 確認されていません
S34ML02G200GHI003 SkyHigh Memory Limited S34ML02G200GHI003 -
RFQ
 ECAD 1514 0.00000000 Skyhigh Memory Limited - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました S34ML02 - ROHS準拠 3 （168 時間） 2120-S34ML02G200GHI003 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 確認されていません
MT58L128L32P1T-7.5CTR Micron Technology Inc. MT58L128L32P1T-7.5CTR 4.7500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 500 133 MHz 揮発性 4mbit 4 ns sram 128k x 32 平行 -
IS42S16160J-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6TLI-TR 2.9779
RFQ
 ECAD 5382 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
7130LA55J/2930 Renesas Electronics America Inc 7130LA55J/2930 -
RFQ
 ECAD 4251 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 7130la sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0041 24 揮発性 8kbit 55 ns sram 1k x 8 平行 55ns
MT53E2G64D8EG-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G64D8EG-046 WT：C TR -
RFQ
 ECAD 3307 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E2G64D8EG-046WT：CTR 2,000
MT62F2G32D4DS-026 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-026 AAT：B TR 63.8550
RFQ
 ECAD 9218 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F2G32D4DS-026AAT：BTR 2,000 3.2 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 平行 -
IM6654IJG Harris Corporation IM6654IJG 14.5200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 24-CDIP IM6654 EPROM -UV 4.5v〜5.5V 24-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0061 1 不揮発性 4kbit 450 ns eprom 512 x 8 平行 -
AM27C256-90DC Rochester Electronics, LLC AM27C256-90DC 41.6000
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 ロチェスターエレクトロニクス、LLC * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けた 2156-AM27C256-90DC-2156 1
CY7C1011CV33-12ZSXET Infineon Technologies Cy7C1011CV33-12ZSXET -
RFQ
 ECAD 9531 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7C1011 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 2mbit 12 ns sram 128k x 16 平行 12ns
S29GL128S10DHB013 Infineon Technologies S29GL128S10DHB013 4.6757
RFQ
 ECAD 2078 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、GL-S テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） - ROHS3準拠 影響を受けていない 2,200 不揮発性 128mbit 100 ns フラッシュ 16m x 8 CFI 60ns
AT24C04C-XHM-T Microchip Technology AT24C04C-XHM-T 0.3000
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） AT24C04 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 不揮発性 4kbit 550 ns Eeprom 512 x 8 i²c 5ms
MEM-DR432L-HL03-ER26-C ProLabs MEM-DR432L-HL03-ER26-C 130.0000
RFQ
 ECAD 6653 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-MEM-DR432L-HL03-ER26-C ear99 8473.30.5100 1
SST26VF032BEUIT-104I/SM Microchip Technology SST26VF032BEUIT-104I/SM 2.7900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST26SQI® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） SST26VF032 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-SOIJ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,100 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 1.5ms
MT29F128G08AUCBBH3-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AUCBBH3-12：B TR -
RFQ
 ECAD 8041 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lbga MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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