画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IDT71V25761S200PFI | - | ![]() | 7500 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71V25761 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V25761S200PFI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | S99GL256P10FFI010 | - | ![]() | 7042 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S99GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | - | |||||||
![]() | 7024L25PFI | - | ![]() | 2509 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 7024L25 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 揮発性 | 64kbit | 25 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 25ns | |||||
![]() | CG8552AAT | - | ![]() | 7873 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 影響を受けていない | 廃止 | 1,000 | |||||||||||||||||||||
MR1A16ACMA35 | 23.3400 | ![]() | 1738 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-lfbga | MR1A16 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 3V〜3.6V | 48-fbga (8x8) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 819-MR1A 16ACMA35 | ear99 | 8542.32.0071 | 348 | 不揮発性 | 2mbit | 35 ns | ラム | 128k x 16 | spi | 35ns | ||||
![]() | IS22TF16G-JQLA1-TR | 25.4030 | ![]() | 5678 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 100-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS22TF16G-JQLA1-TR | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||
![]() | CyDMX128A16-90BVXI | 7.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-VFBGA | cydmx | sram- デュアルポート、 mobl | 1.8V〜3.3V | 100-VFBGA | - | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 40 | 揮発性 | 128kbit | 90 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 90ns | 確認されていません | |||||
AS4C512M16D3LB-12BCN | 28.3700 | ![]() | 129 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | AS4C512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(13.5x9 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1493 | ear99 | 8542.32.0036 | 180 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |||
w25q64cvzpbg | - | ![]() | 5909 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64CVZPBG | 廃止 | 1 | 80 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||||
MT40A512M8SA-062E AIT:F | 14.0850 | ![]() | 5201 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT40A512M8SA-062EAIT:F | ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 19 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | 7164L45TDB | - | ![]() | 5295 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 28-CDIP (0.300 "、7.62mm) | 7164L | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-CDIP | ダウンロード | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 64kbit | 45 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 45ns | |||||||
![]() | AT24C01BN-SH-B | - | ![]() | 8817 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT24C01 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 1kbit | 550 ns | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | MT29F512G08CKCABH7-10:a | - | ![]() | 9323 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 557-MT29F512G08CKCABH7-10:a | 廃止 | 980 | |||||||||||||||||||
![]() | SNPM9FKFC/32G-C | 170.0000 | ![]() | 3410 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-SNPM9FKFC/32G-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 71V546S100PFGI | 10.8383 | ![]() | 6522 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 71V546 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
w25q16dvtcag | - | ![]() | 4172 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16DVTCAG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||||
![]() | w25q80bvwa | - | ![]() | 6234 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | - | - | W25Q80 | フラッシュ - | 2.5V〜3.6V | - | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80BVWA | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | ||||
![]() | TH58NVG4S0HTAK0 | - | ![]() | 1112 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | TH58NVG4 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1B1 | 8542.32.0051 | 96 | 不揮発性 | 16gbit | 25 ns | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | AT24C128N-10SQ-2.7 | 1.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Atmel | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT24C128 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | 不揮発性 | 128kbit | 900 ns | Eeprom | 16k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | CG7435AF | - | ![]() | 3434 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1460AV33-200AXC | - | ![]() | 4363 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1460 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.2 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | 7025L35GI | - | ![]() | 9828 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 84-bpga | 7025L35 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 84-PGA (27.94x27.94 | - | 800-7025L35GI | 廃止 | 1 | 揮発性 | 128kbit | 35 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 35ns | |||||||
![]() | UCS-MR-2X324RX-CC | 375.0000 | ![]() | 5739 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-UCS-MR-2X324RX-CC | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | X28HC256PIZ-15 | 30.0167 | ![]() | 5466 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 28-dip (0.600 "、15.24mm) | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 28-pdip | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 20-X28HC256PIZ-15 | 1 | 不揮発性 | 256kbit | 150 ns | Eeprom | 32k x 8 | 平行 | 5ms | |||||||
![]() | CG8217AAT | - | ![]() | 5973 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 210 | ||||||||||||||||||
![]() | MT48LC4M16A2P-7E IT:J TR | - | ![]() | 8151 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 14ns | |||
![]() | AS4C512M16D3LC-12BCN | 23.8100 | ![]() | 180 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | AS4C512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1450-AS4C512M16D3LC-12BCN | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | 7025S25PFI8 | - | ![]() | 5054 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 7025S25 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 128kbit | 25 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 25ns | |||||
![]() | MT29F4G08ABBEAH4-IT:e | - | ![]() | 4537 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | |||||
w632gg6nb11i tr | 4.6650 | ![]() | 3157 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W632GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W632GG6NB11ITR | ear99 | 8542.32.0036 | 3,000 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | SSTL_15 | 15ns |
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