画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS43LD32128C-18BPL-TR | - | ![]() | 3021 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS43LD32128C-18BPL-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | CYD18S72V18-167BGXC | 272.5600 | ![]() | 110 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 484-FBGA | CYD18S72 | sram- デュアルポート、同期 | 1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V | 484-PBGA (27x27 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 4 ns | sram | 256k x 72 | 平行 | - | 確認されていません | ||||
![]() | Cy62147EV30LL-55ZSXET | 14.3400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy62147 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2832-CY62147EV30LL-55ZSXETTR | 35 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 55ns | 確認されていません | ||||||
S26KL256SDABHM030 | 10.3600 | ![]() | 878 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Automotive 、AEC-Q100、HyperFlash™Kl | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | S26KL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | 29 | 100 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 96 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | - | 確認されていません | ||||||||
MX25V80066M2I02 | 0.3175 | ![]() | 2757 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 8ソップ | - | 3 (168 時間) | 1092-MX25V80066M2I02 | 92 | 80 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 8 ns | フラッシュ | 4m x 2、8m x 1 | spi | 200μs5ms | ||||||||
GS82582TT19GE-450I | 465.0000 | ![]() | 2804 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 165-lbga | GS82582TT19 | sram- クアッドポート、同期 | 1.7V〜1.9V | 165-fpbga(15x17 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS82582TT19GE-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450 MHz | 揮発性 | 288mbit | sram | 16m x 18 | 平行 | - | ||||
25LC640AX-I/ST | 0.8400 | ![]() | 3198 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 25LC640 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 25LC640AXIST | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | 不揮発性 | 64kbit | Eeprom | 8k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | S25FL512SDPBHI310 | - | ![]() | 4026 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S25FL512SDPBHI310 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL032P0XMFI010 | 2.4200 | ![]() | 107 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl-p | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | S25FL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 207 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 5µs、3ms | ||||||
CAT93C66VI | 0.2200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT93C66 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-CAT93C66VI-488 | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 2 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 250 ns | Eeprom | 256 x 16、512 x 8 | マイクロワイヤ | - | ||||
![]() | Cy7C136E-25JXI | 52.7400 | ![]() | 211 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 52-lcc | Cy7C136 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | - | ROHS非準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 10 | 揮発性 | 16kbit | 25 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 25ns | ||||||
![]() | CY7C1387BV25-167AC | 22.6000 | ![]() | 105 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1387 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.4 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | SST26VF016B-80E/SN70SVAO | - | ![]() | 1319 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | Automotive 、AEC-Q100、SST26SQI® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SST26VF016 | フラッシュ | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-SST26VF016B-80E/SN70SVAO | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 80 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 1.5ms | ||||
![]() | A8868767-C | 770.0000 | ![]() | 8381 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A8868767-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS25WJ032F-JNLE-TR | 0.7291 | ![]() | 4029 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25WJ032F-JNLE-TR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、1.6ms | ||||||
![]() | MT29F1G08888ABAFAH4-AAT:F Tr | 2.9665 | ![]() | 5767 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G08 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MT29F1G08ABAFAH4-AAT:FTR | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 1gbit | 20 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | Cy7C1425Kv18-250ckb | 35.9700 | ![]() | 272 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | Cy7C1425 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 4m x 9 | 平行 | - | |||||||
![]() | Cy7C1515V18-200BZC | 161.7800 | ![]() | 183 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1515 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 | 200 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | CG8201AA | - | ![]() | 5659 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | IDT71V3557SA85BGGI8 | - | ![]() | 7511 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 119-BGA | IDT71V3557 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V3557SA85BGGI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4.5mbit | 8.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | CYD09S72V18-200BGXI | - | ![]() | 8072 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 484-FBGA | CYD09S72 | sram- デュアルポート、同期 | 1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V | 484-PBGA (27x27 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.3 ns | sram | 128k x 72 | 平行 | - | |||
![]() | TE28F400CVT80 | 3.1200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | インテル | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | フラッシュ -ブートブロック | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | cui | 80ns | |||||
R1EX24016ATAS0A #S0 | 1.4900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | R1EX24016 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 16kbit | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | ||||||
![]() | S25FL116K0XMFN041 | - | ![]() | 1624 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl1-k | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | S25FL116 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 97 | 108 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | Cy7C057V-15AXCT | - | ![]() | 2994 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-LQFP | Cy7C057 | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 144-TQFP (20x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 1.152mbit | 15 ns | sram | 32K x 36 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | NDS36PT5-16IT | 2.7110 | ![]() | 4083 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDS36P | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1982-NDS36PT5-16IT | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 16 | lvttl | 12ns | ||||||
![]() | 7024S12JI8 | - | ![]() | 5179 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-LCC | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31 | - | 800-7024S12JI8TR | 1 | 揮発性 | 64kbit | 12 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 12ns | |||||||||
![]() | MT53E512M32D2FW-046 AUT:D TR | - | ![]() | 2642 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D2FW-046AUT:DTR | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 32 | 平行 | 18ns | ||||||||
![]() | IDT71V65603S100PFI8 | - | ![]() | 1001 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71v65603 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V65603S100PFI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 100 MHz | 揮発性 | 9mbit | 5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | 7104493-C | 48.5000 | ![]() | 2634 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-7104493-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
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