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メモリ（69470）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Cy7C1370SV25-200BZC | - |  | 1417 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1370 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA | - | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
 | 599092-002-C | 30.0000 | | 9941 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-599092-002-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | BR25020-10TU-1.8 | 0.5869 | | 4638 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | BR25020 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-TSSOP-B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | BR2502010TU1.8 | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 3 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | spi | 5ms | |||
 | MT41K256M16TW-107 IT：P Tr | 5.7000 | | 2247 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT41K256M16TW-107IT：PTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | 731765-B21-C | 112.5000 | | 1495 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-731765-B21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| GD25WQ16EEIGR | 0.5824 | | 6087 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25WQ16EEIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 12 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | ||||||||
| 70P27L15PFG8 | - | | 2057 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram- デュアルポート、非同期 | 1.7V〜1.95V | 100-TQFP（14x14 | - | 800-70P27L15PFG8TR | 1 | 揮発性 | 512kbit | 15 ns | sram | 32k x 16 | lvttl | 15ns | |||||||||
| M25P16-VMN3TPB | 0.7747 | | 6183 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-SO | - | 3 （168 時間） | 1450-M25P16-VMN3TPBTR | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 5ms | |||||||
| IS25WP032D-JBLA3 | 1.2578 | | 3033 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25WP032D-JBLA3 | 90 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | ||||||
 | IS43LR32100D-6BL-TR | 2.6516 | | 9540 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 90-TFBGA | IS43LR32100 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 32mbit | 5.5 ns | ドラム | 1M x 32 | 平行 | 15ns | |||
 | CY7C1415BV18-167BZC | 44.8600 | | 433 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1415 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA （15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 167 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
| Cy7C1051H30-10ZSXE | 17.6491 | | 7857 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 44-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1,350 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 10ns | ||||||||
 | GS82582DT20GE-500I | 448.5000 | | 6369 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C （TJ | 表面マウント | 165-lbga | GS82582DT20 | sram- クアッドポート、同期 | 1.7V〜1.9V | 165-fpbga（15x17 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 2364-GS82582DT20GE-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 500 MHz | 揮発性 | 288mbit | sram | 16m x 18 | 平行 | - | |||
| MT53E1G64D4HJ-046 WT：a | 47.4300 | | 3713 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT53E1G64D4HJ-046WT：a | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | w29n02kzbibf tr | - | | 7143 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | W29N02 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W29N02KZBIBFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 2Gbit | 22 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 25ns | |||
| CG8240AAT | - | | 3739 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| 71V016SA10BFGI | 6.8100 | | 5975 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-lfbga | 71V016 | sram-非同期 | 3.15V〜3.6V | 48-cabga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 476 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 10ns | ||||
| IS43LD32128C-18bpli-tr | 11.5650 | | 7355 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43LD32128C-18bpli-tr | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | |||||||||||||||||
| MT62F1G64D4EK-026 WT：B TR | 45.6900 | | 4770 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1G64D4EK-026WT：BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | 平行 | - | |||||||||
| RM24C64BF-7-GCSI-T | - | | 1123 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 4-XFBGA 、WLCSP | RM24C64 | Eeprom | 1.65V〜2.2V | 4-wlcsp（ 0.75x0.75） | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 廃止 | 8542.32.0051 | 10,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 500µs | ||||
| w29n02kwbibf | - | | 5994 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | W29N02 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W29N02KWBIBF | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 2Gbit | 22 ns | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | 25ns | |||
| MT49H32M18FM-25：b | - | | 5108 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | sicで中止されました | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H32M18 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | |||
 | W25N512GWBIR | - | | 1493 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N512 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W25N512GWBIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
 | MEM-DR480L-CL03-ER24-C | 87.5000 | | 6192 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-MEM-DR480L-CL03-ER24-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| S34MS02G200GHI000 | - | | 7262 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | トレイ | sicで中止されました | S34MS02 | - | ROHS準拠 | 3 （168 時間） | 2120-S34MS02G200GHI000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 確認されていません | ||||||||||||||||
 | Cy14b101la-ba25xi | 23.9750 | | 3990 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | Cy14B101 | nvsram （不揮発性 sram） | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 598 | 不揮発性 | 1mbit | 25 ns | nvsram | 128k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
| 707288S15PFI | - | | 7137 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP（14x14 | - | 800-707288S15PFI | 1 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||
| MT62F1G64D4EK-023 AAT：C Tr | 63.8550 | | 6308 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT62F1G64D4EK-023AAT：CTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
 | CAT25C08SE-26671 | 0.1400 | | 2 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | CAT25C08 | Eeprom | 2.5V〜6V | 8-SOIC | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 10 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | ||||
| PC28F256P33BFE | 6.9000 | | 3742 | 0.00000000 | Alliance Memory | axcell™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | フラッシュ-MLCもありません） | 2.3V〜3.6V | 64-lbga（11x13） | - | 3 （168 時間） | 1450-PC28F256P33BFE | 300 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 16m x 16 | CFI | 95ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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