画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FM93C46EN | - | ![]() | 9810 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | 93C46 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8ディップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 40 | 1 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 64 x 16 | マイクロワイヤ | 10ms | ||||
![]() | PC28F00AP3335 | - | ![]() | 1659 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F00A | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 95 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 95ns | |||
![]() | 24LC04B/SN | 0.3400 | ![]() | 7347 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC04 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | i²c | 5ms | |||
![]() | AT25PE16-SSHF-T | 2.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT25PE16 | フラッシュ | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 85 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 512バイトx 4096ページ | spi | 8µs 、4ms | ||||
![]() | MT41K256M16HA-125:E Tr | - | ![]() | 7256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (9x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | S29GL256P11FFIV20 | 11.1800 | ![]() | 9199 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL256 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 256mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | 110ns | ||||
DS1245Y-70IND+ | 39.3100 | ![]() | 95 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 32-dipモジュール(0.600 "、15.24mm) | DS1245Y | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 32-EDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | -4941-DS1245Y-70IND+ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 11 | 不揮発性 | 1mbit | 70 ns | nvsram | 128k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | NM24C08M | - | ![]() | 4783 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 14-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | NM24C08 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 14-SOIC | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 100 kHz | 不揮発性 | 8kbit | 3.5 µs | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 10ms | |||
![]() | SM662PXD BFST | 44.7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - | ||||||
![]() | 70V07L35G | - | ![]() | 1376 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 68-BPGA | 70V07 | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 68-PGA (29.46x29.46 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 3 | 揮発性 | 256kbit | 35 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 35ns | ||||
![]() | AT24C01-10PI-1.8 | - | ![]() | 1301 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | AT24C01 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT24C0110PI1.8 | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | 不揮発性 | 1kbit | 900 ns | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 10ms | ||
![]() | SST25VF080B-50-4I-S2AF-T | 1.4500 | ![]() | 8877 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST25 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | SST25VF080 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,100 | 50 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 10µs | ||||
R1LV0208BSA-7SI#B0 | - | ![]() | 1490 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | R1LV0208 | sram | 2.7V〜3.6V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 2mbit | 70 ns | sram | 256k x 8 | 平行 | 70ns | |||||
![]() | IS25LQ016B-JLLE-TR | - | ![]() | 2851 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25LQ016 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 1ms | ||||
![]() | AT93C46W-10SI-2.7 | - | ![]() | 3448 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93C46 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT93C46W10SI2.7 | ear99 | 8542.32.0051 | 94 | 2 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8、64 x 16 | 3線シリアル | 10ms | |||
IS46DR16640C-25DBLA1-TR | 5.4450 | ![]() | 5649 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS46DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | M29W320EB70ZS6E | - | ![]() | 5313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | M29W320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -M29W320EB70ZS6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | AT49F002-12JI | - | ![]() | 4733 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-lcc | AT49F002 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | AT49F00212JI | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 不揮発性 | 2mbit | 120 ns | フラッシュ | 256k x 8 | 平行 | 50µs | |||
![]() | IS43TR81280C-125JBLI-TR | 3.4178 | ![]() | 1087 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43TR81280C-125JBLI-TR | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||||||
![]() | AS4C4M16SA-7BCNTR | 2.5370 | ![]() | 3540 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | AS4C4M16 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 2ns | |||
![]() | AT24C08D-UUM0B-T-894 | - | ![]() | 6442 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 4-XFBGA 、WLCSP | AT24C08 | Eeprom | 1.7V〜3.6V | 4-wlcsp | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 8kbit | 4.5 µs | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | 93C46BX-I/SN | 0.3150 | ![]() | 9474 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93C46B | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 93C46BX-I/SN-NDR | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 64 x 16 | マイクロワイヤ | 2ms | |||
![]() | AT93C46-10SC-2.7 | - | ![]() | 7011 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93C46 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8、64 x 16 | 3線シリアル | 10ms | ||||
![]() | 93LC46B-E/MS | 0.4350 | ![]() | 7373 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 93LC46 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 93LC46B-E/MS-NDR | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 64 x 16 | マイクロワイヤ | 6ms | |||
![]() | 9242500072000 | - | ![]() | 8983 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 862690-091-C | 150.0000 | ![]() | 5802 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-862690-091-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | AT45DB081E-SHNHA-T | 1.8600 | ![]() | 143 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | AT45DB081 | フラッシュ | 1.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 85 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 264バイトx 4096ページ | spi | 8µs 、4ms | ||||
![]() | Cy7C1386D-200AXC | 26.7300 | ![]() | 671 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1386 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 12 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||
![]() | M95256-DFCS6TP/K | 1.0300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufbga wlcsp | M95256 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-wlcsp | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 20 MHz | 不揮発性 | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | M29W640GL70ZF6E | - | ![]() | 6254 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns |
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