画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SESY2C1Z-C | 37.5000 | ![]() | 3835 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-SESY2C1Z-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | AS7C1026B-10TIN | 3.5700 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1450-AS7C1026B-10TIN | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 10ns | |||||
![]() | STK14D88-RF45I | 11.1200 | ![]() | 896 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-BSSOP (0.295 "、幅7.50mm) | STK14D88 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 48スソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 27 | 不揮発性 | 256kbit | 45 ns | nvsram | 32k x 8 | 平行 | 45ns | 確認されていません | |||||
![]() | IS25WP128-JMLE-TY | - | ![]() | 6659 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25WP128-JMLE-TY | 176 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | ||||||
![]() | MT28GU01GAAA1EGC-0SIT TR | - | ![]() | 9442 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | MT28GU01 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA (10x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 96 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | IS61WV102416FBLL-8BLI | 9.7363 | ![]() | 1319 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS61WV102416FBLL-8BLI | 480 | 揮発性 | 16mbit | 8 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 8ns | |||||||
MX25L3235EM2I-10G | 0.7612 | ![]() | 1052 | 0.00000000 | マクロニックス | MX25XXX35/36 -MXSMIO™ | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | MX25L3235 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi | 50µs、3ms | |||||
![]() | 71P72804S200BQG | 6.6800 | ![]() | 161 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | 71p72 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.88 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||
Cy7C1380D-167AXI | - | ![]() | 6321 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1380 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.4 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | Cy7C1512KV18-200BZXI | 102.2300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1512 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | IS43TR16512B-107MBLI | 21.2818 | ![]() | 9274 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43TR16512B-107MBLI | 136 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||
![]() | CG6852AMT | - | ![]() | 5318 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 1,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | M29W640GL70ZF3E | - | ![]() | 2089 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | S99-50536 | - | ![]() | 6166 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 前回購入します | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MT29VZZZ7D8GQFSL-046 W.9P8 | - | ![]() | 3924 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | A02-M316GB4-2-C | 140.0000 | ![]() | 5373 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A02-M316GB4-2-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 13L72AA-C | 200.7500 | ![]() | 6495 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-13L72AA-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | SST49LF160C-33-4C-NHE | - | ![]() | 5611 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST49 | チューブ | 廃止 | 0°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-lcc | SST49LF160 | フラッシュ | 3V〜3.6V | 32-PLCC (11.43x13.97 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | SST49LF160C334CNHE | ear99 | 8542.32.0071 | 30 | 33 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 120 ns | フラッシュ | 2m x 8 | 平行 | 20µs | ||
![]() | MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:E TR | 22.0500 | ![]() | 8444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:ETR | 8542.32.0071 | 2,000 | 267 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | GD25Q80ESJGR | 0.4077 | ![]() | 2689 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25Q80ESJGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 7 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | ||||||||
![]() | w25q64jvsfam | - | ![]() | 5423 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64JVSFAM | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
![]() | w25q128jvtiq | - | ![]() | 5626 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||
![]() | A5272870-C | 51.2500 | ![]() | 3275 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A5272870-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
CAT25160VI-GT3 | - | ![]() | 8587 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT25160 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 20 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | spi | 5ms | ||||||||
![]() | 5962-8969002la | 21.8770 | ![]() | 8166 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | -55°C〜125°C | 穴を通して | 24-CDIP (0.300 "、7.62mm) | 5962-8969002 | sram-同期 | 4.5v〜5.5V | 24-CDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 800-5962-8969002LA | 15 | 揮発性 | 16kbit | 20 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 20ns | |||||
![]() | MX30UF2G28AD-XKI | 3.1248 | ![]() | 3185 | 0.00000000 | マクロニックス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MX30UF2 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1092-MX30UF2G28AD-XKI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 220 | 不揮発性 | 2Gbit | 22 ns | フラッシュ | 256m x 8 | onfi | 25ns | |||
MX25UM25645GXDI00 | 5.6100 | ![]() | 7880 | 0.00000000 | マクロニックス | Octabus™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-TBGA 、CSPBGA | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 24-cspbga | - | 3 (168 時間) | 1092-MX25UM25645GXDI00 | 480 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 5 ns | フラッシュ | 32m x 8、256m x 1 | spi | 60µs 、750µs | ||||||||
![]() | R1RW0416DSB-0PR #D1 | 6.2000 | ![]() | 7154 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 559-R1RW0416DSB-0PR#D1 | 135 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | |||||||
![]() | IS25WE01G-RILE | 12.5055 | ![]() | 2855 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-lbga | フラッシュ - (slc) | 1.7V〜1.95V | 24-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25WE01G-RILE | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 10 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 50µs 、2ms | ||||||
![]() | IS62WV51216EFBLL-45BLI-TR | 4.6281 | ![]() | 6802 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | IS62WV51216 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 8mbit | 45 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 55ns |
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