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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー sicプログラム可能 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MTFC16GAPALNA-AIT ES TR Micron Technology Inc. mtfc16gapalna-ait es tr -
RFQ
 ECAD 6472 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 MTFC16 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,000
5962-8700205ZA Renesas Electronics America Inc 5962-8700205ZA -
RFQ
 ECAD 6456 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -55°C〜125°C 穴を通して 48-dip（0.600 "、15.24mm） 5962-8700205 sram- デュアルポート、同期 4.5v〜5.5V 48サイドろう付け ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 800-5962-8700205ZA 廃止 8 揮発性 16kbit 45 ns sram 2k x 8 平行 45ns
S25FS512SAGMFV010 Infineon Technologies S25FS512SAGMFV010 10.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies FS-S トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FS512 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 240 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、qpi -
M27C2001-12F1 STMicroelectronics M27C2001-12F1 -
RFQ
 ECAD 2137 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 32-CDIP （0.600 "、15.24mm ）ウィンドウ M27C2001 EPROM -UV 4.5v〜5.5V ウィンドウ付きの32-CDIPフリットシール ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0061 12 不揮発性 2mbit 120 ns eprom 256k x 8 平行 -
5962-8866203XA Renesas Electronics America Inc 5962-8866203XA 36.4561
RFQ
 ECAD 5454 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 前回購入します -55°C〜125°C 穴を通して 28-CDIP （0.600 "、15.24mm） 5962-8866203 sram-同期 4.5v〜5.5V 28-CDIP ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 800-5962-8866203XA 13 揮発性 256kbit 55 ns sram 32k x 8 平行 55ns
S25FL256SDPMFIG00 Infineon Technologies S25FL256SDPMFIG00 4.5850
RFQ
 ECAD 8360 0.00000000 Infineon Technologies fl-s トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,400 66 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
AS6C1608B-45TIN Alliance Memory, Inc. AS6C1608B-45TIN 11.6114
RFQ
 ECAD 8327 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS6C1608 sram-非同期 2.7V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS6C1608B-45TIN ear99 8542.32.0041 135 揮発性 16mbit 45 ns sram 2m x 8 平行 45ns
S29GL01GS10DHI023 Infineon Technologies S29GL01GS10DHI023 12.4950
RFQ
 ECAD 7350 0.00000000 Infineon Technologies gl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,200 不揮発性 1gbit 100 ns フラッシュ 64m x 16 平行 60ns
71T75802S166PFG8 Renesas Electronics America Inc 71T75802S166PFG8 21.4595
RFQ
 ECAD 5047 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 71T75802 sram- sdr（zbt） 2.375V〜2.625V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 166 MHz 揮発性 18mbit 3.5 ns sram 1m x 18 平行 -
CY7C185-20PXC Infineon Technologies Cy7C185-20PXC -
RFQ
 ECAD 7699 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 28-dip （0.300 "、7.62mm） Cy7C185 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-pdip ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 450 揮発性 64kbit 20 ns sram 8k x 8 平行 20ns
MR5A16AMA35 Everspin Technologies Inc. MR5A16AMA35 63.9000
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 Everspin Technologies Inc. aec-q100 トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-lfbga MR5A16 ミスター（磁気抵抗ラム） 3V〜3.6V 48-fbga （10x10） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 819-MR5A16AMA35 ear99 8542.32.0071 240 不揮発性 32mbit 35 ns ラム 2m x 16 平行 35ns
MR256A08BYS35R Everspin Technologies Inc. MR256A08BYS35R 7.3228
RFQ
 ECAD 8516 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MR256A08 ミスター（磁気抵抗ラム） 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 256kbit 35 ns ラム 32k x 8 平行 35ns
AS7C34098A-12TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-12TIN 5.0129
RFQ
 ECAD 2850 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS7C34098 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 12 ns sram 256k x 16 平行 12ns
IS61LV6416-8KL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61Lv6416-8kl -
RFQ
 ECAD 7908 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） IS61Lv6416 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 480 揮発性 1mbit 8 ns sram 64k x 16 平行 8ns
MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J 9.9000
RFQ
 ECAD 6525 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ MT29GZ5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,260
D2516ACXGXGRK-U Kingston D2516ACXGXGRK-U 2.4700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 キングストン - トレイ アクティブ 0°C〜95°C 表面マウント SDRAM -DDR4 1.2V ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3217-D2516ACXGXGRK-U ear99 8542.31.0001 1 揮発性 ドラム 平行
S29GL128N11FFI010 Cypress Semiconductor Corp S29GL128N11FFI010 5.8587
RFQ
 ECAD 179 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp gl-n トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 2832-S29GL128N11FFI010 179 不揮発性 128mbit 110 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 110ns 確認されていません
S99GL08GT Infineon Technologies S99GL08GT -
RFQ
 ECAD 3830 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 - 未定義のベンダー 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
MT29F128G08CBEABH6-12M:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBEABH6-12M：TR -
RFQ
 ECAD 9078 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
25AA080/P Microchip Technology 25AA080/p 1.2400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） 25AA080 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 60 1 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 spi 5ms
S25FL128LAGMFA003 Infineon Technologies S25FL128LAGMFA003 3.5175
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 Infineon Technologies 自動車、AEC-Q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi -
MX29GL128EHXCI-90G Macronix MX29GL128EHXCI-90G 4.8440
RFQ
 ECAD 2214 0.00000000 マクロニックス MX29GL トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント MX29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 144 不揮発性 128mbit 90 ns フラッシュ 16m x 8 平行 90ns
EM68B08CWAH-25H Etron Technology, Inc. EM68B08CWAH-25H 3.1099
RFQ
 ECAD 2679 0.00000000 ETRON TECHNOLOGY 、INC。 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 60-TFBGA EM68B08 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2174-EM68B08CWAH-25HTR ear99 8542.32.0028 2,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT52L4DAGN-DC TR Micron Technology Inc. mt52l4dagn-dc tr -
RFQ
 ECAD 4967 0.00000000 Micron Technology Inc. * テープ＆リール（ tr） アクティブ MT52L4 確認されていません - 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000
RM24C32DS-LSNI-B Adesto Technologies RM24C32DS-LSNI-B -
RFQ
 ECAD 3246 0.00000000 Adesto Technologies Mavriq™ チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） RM24C32 CBRAM 1.65v〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない -RM24C32DS-LSNI-B 3A991B1A 8542.32.0071 98 1 MHz 不揮発性 32kbit CBRAM® 4k x 8 i²c 100µs、2.5ms
GD25Q40CEJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CEJGR 0.7100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25Q40 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 80 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
IS46TR16512S2DL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512S2DL-125KBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-LWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16512S2DL-125KBLA1-TR ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
CY14B101LA-SZ45XI Infineon Technologies Cy14B101LA-SZ45XI -
RFQ
 ECAD 1784 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） Cy14B101 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 32-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 22 不揮発性 1mbit 45 ns nvsram 128k x 8 平行 45ns
MX25V2006EZNI-13G Macronix MX25V2006EZNI-13G -
RFQ
 ECAD 3386 0.00000000 マクロニックス MX25XXX05/06 トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MX25V2006 フラッシュ - 2.35V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 570 75 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 50µs、1ms
CY7S1041G-10ZSXI Infineon Technologies CY7S1041G-10ZSXI 9.6250
RFQ
 ECAD 5576 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7S1041 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,350 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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