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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
AS7C3256A-20TIN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-20TIN 2.3566
RFQ
 ECAD 2521 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） AS7C3256 sram-非同期 3V〜3.6V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 234 揮発性 256kbit 20 ns sram 32k x 8 平行 20ns
W25Q128JVEIM Winbond Electronics w25q128jveim 1.7203
RFQ
 ECAD 5842 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 63 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2 2.8659
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 ECAD 3814 0.00000000 Kaga Fei America - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） MB85RS256 フラム（強誘電性ラム） 1.8V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 865-MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2TR ear99 8542.32.0071 1,500 33 MHz 不揮発性 256kbit 13 ns フラム 32k x 8 spi -
AT49BV161-90CI Microchip Technology AT49BV161-90CI -
RFQ
 ECAD 2323 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 48-TFBGA 、CSPBGA AT49BV161 フラッシュ 2.65V〜3.3V 48-CBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 378 不揮発性 16mbit 90 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 200µs
IS43R32800D-5B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800D-5B -
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 ECAD 2525 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 144-LFBGA IS43R32800 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 144-LFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 189 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT48H16M32L2B5-8 Micron Technology Inc. MT48H16M32L2B5-8 -
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 ECAD 7469 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 125 MHz 揮発性 512mbit 7.5 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS43R16160D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6TL 4.5300
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 ECAD 1808 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS43R16160 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
CY7C1512KV18-333BZI Infineon Technologies Cy7C1512KV18-333BZI 190.9250
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 ECAD 6551 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1512 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 680 333 MHz 揮発性 72mbit sram 4m x 18 平行 -
MT48H16M16LFBF-75 AT:G TR Micron Technology Inc. MT48H16M16LFBF-75 AT：G TR -
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 ECAD 7852 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48H16M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
EMMC04G-W627-06D00 Kingston EMMC04G-W627-06D00 5.4600
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 ECAD 278 0.00000000 キングストン E•MMC™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 153-FBGA 1.8V〜3.3V 153-FBGA （11.5x13x0.8 ダウンロード 3217-EMMC04G-W627-06D00 1 不揮発性 フラッシュ 4g x 8 EMMC_5.1 確認されていません
UFS32G-TXA7-GA20 Kingston UFS32G-TXA7-GA20 10.4000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 キングストン - トレイ アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 153-FBGA フラッシュ -ナンド 1.8V 、3.3V 153-FBGA （11.5x13x0.8 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3217-UFS32G-TXA7-GA20 ear99 8542.31.0001 1 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8
M29W256GH7AN6E Micron Technology Inc. M29W256GH7AN6E -
RFQ
 ECAD 8097 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 70ns
W25N01GWZEIT TR Winbond Electronics W25N01GWZEIT TR -
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 ECAD 7837 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N01GWZEITTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 1gbit 8 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
X28HC256JIZ-12T1 Renesas Electronics America Inc X28HC256JIZ-12T1 39.3452
RFQ
 ECAD 3370 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-lcc X28HC256 Eeprom 4.5v〜5.5V 32-PLCC （11.43x13.97 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 750 不揮発性 256kbit 120 ns Eeprom 32k x 8 平行 5ms
W25Q32JVSFIQ TR Winbond Electronics w25q32jvsfiq tr -
RFQ
 ECAD 4782 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
25AA080B-I/SNG Microchip Technology 25AA080B-I/SNG -
RFQ
 ECAD 4700 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 25AA080 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 25AA080B-I/SNG-NDR ear99 8542.32.0051 100 10 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 spi 5ms
S26361-F4026-L216-C ProLabs S26361-F4026-L216-C 162.0000
RFQ
 ECAD 5230 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-S26361-F4026-L216-C ear99 8473.30.5100 1
71V016SA10BFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA10BFG 5.0600
RFQ
 ECAD 2522 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-lfbga 71V016 sram-非同期 3.15V〜3.6V 48-cabga ダウンロード 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
25AA080A-I/MS Microchip Technology 25AA080A-I/MS 0.8100
RFQ
 ECAD 7932 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） 25AA080 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 25AA080AIMS ear99 8542.32.0051 100 10 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 spi 5ms
CAT24C32C5CTR onsemi CAT24C32C5CTR 0.7800
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 ECAD 8 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 5-XFBGA 、WLCSP CAT24C32 Eeprom 1.7V〜5.5V 5-wlcsp（1.34x0.91 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 不揮発性 32kbit 400 ns Eeprom 4k x 8 i²c 5ms
AT29C010A-15TI Microchip Technology AT29C010A-15TI -
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 ECAD 2022 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） AT29C010 フラッシュ 4.5v〜5.5V 32-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない AT29C010A15TI ear99 8542.32.0071 156 不揮発性 1mbit 150 ns フラッシュ 128k x 8 平行 10ms 確認されていません
AS4C64M8D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D3L-12BINTR 4.2627
RFQ
 ECAD 8700 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（タタ 表面マウント 78-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 800 MHz 揮発性 512mbit 20 ns ドラム 64m x 8 平行
CY7C1354SV25-166AXCT Infineon Technologies Cy7C1354SV25-166AXCT -
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 ECAD 4671 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1354 sram- sdr 2.375V〜2.625V 100-TQFP（14x14 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 750 166 MHz 揮発性 9mbit 3.5 ns sram 256k x 36 平行 -
5962F1120101QXA Infineon Technologies 5962F1120101QXA -
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 ECAD 5422 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 -55°C〜125°C 穴を通して 165-BFCPGA 5962F1120101 sram- qdr ii+ 1.7V〜1.9V 165-CCGA （21x25） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 250 MHz 揮発性 72mbit sram 4m x 18 平行 -
W25Q80DVSVIG TR Winbond Electronics w25q80dvsvig tr -
RFQ
 ECAD 8484 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 3ms
MSR830AGE-1512 MoSys, Inc. MSR830AGE-1512 -
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 ECAD 8393 0.00000000 mosys 、Inc。 - トレイ 前回購入します - 表面マウント 1512-BGA 、FCBGA sram、rldram - 1512-FCBGA （27x27） - 2331-MSR830AGE-1512 1 揮発性 1gbit 2.7 ns ラム 16m x 72 平行 -
W66CQ2NQUAFJ Winbond Electronics w66cq2nquafj 9.2800
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 ECAD 98 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA W66CQ2 SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W66CQ2NQUAFJ ear99 8542.32.0036 144 2.133 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL_11 -
Z4Y86AA#ABA-C ProLabs Z4Y86AA＃ABA-C 81.7500
RFQ
 ECAD 7459 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-Z4Y86AA ear99 8473.30.5100 1
IDT6116LA45TP Renesas Electronics America Inc IDT6116LA45TP -
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 ECAD 8334 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 24-dip （0.300 "、7.62mm） IDT6116 sram-非同期 4.5v〜5.5V 24-pdip ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 6116LA45TP ear99 8542.32.0041 15 揮発性 16kbit 45 ns sram 2k x 8 平行 45ns
MT45W8MW16BGX-708 WT TR Micron Technology Inc. mt45w8mw16bgx-708 wt tr -
RFQ
 ECAD 2254 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 54-VFBGA MT45W8MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 80 MHz 揮発性 128mbit 70 ns psram 8m x 16 平行 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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