画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | M29W128GH70ZA6F TR | - | ![]() | 8350 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | Cy7C131-55JXCT | - | ![]() | 4482 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | Cy7C131 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 350 | 揮発性 | 8kbit | 55 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 55ns | |||
![]() | 24LC044T-E/MUY | - | ![]() | 7202 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | 24LC044 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-udfn (2x3) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 256 x 8 x 2 | i²c | - | |||
![]() | IDT71V3556S166BQG8 | - | ![]() | 7254 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IDT71V3556 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V3556S166BQG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | Cy7C1019CV33-10ZXAT | - | ![]() | 2470 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy7C1019 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 32-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2832-CY7C1019CV33-10ZXATTR | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 10ns | ||
![]() | AS4C128M8D1-6TINTR | - | ![]() | 1435 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS4C128 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 1gbit | 700 ps | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
MT48H8M16LFB4-75:K Tr | - | ![]() | 5387 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | 70V9179L7PFG8 | - | ![]() | 9258 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 70V9179 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 288kbit | 7.5 ns | sram | 32K x 9 | 平行 | - | |||
![]() | 7006L25J8 | - | ![]() | 4617 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | 7006L25 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC(24.21x24.21 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 250 | 揮発性 | 128kbit | 25 ns | sram | 16k x 8 | 平行 | 25ns | |||
AT25010B-XHL-B | 0.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT25010 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT25010BXHLB | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | SST39VF1601C-70-4C-B3KE-T | 1.9650 | ![]() | 5773 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST39 MPF™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFBGA | SST39VF1601 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 1m x 16 | 平行 | 10µs | |||
![]() | AT28C010-15JA | - | ![]() | 4887 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 32-lcc | AT28C010 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | - | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 32 | 不揮発性 | 1mbit | 150 ns | Eeprom | 128k x 8 | 平行 | 10ms | |||
![]() | IS62WV2568DBLL-45HLI-TR | - | ![]() | 6616 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | IS62WV2568 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 32 stsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 2mbit | 45 ns | sram | 256k x 8 | 平行 | 45ns | |||
![]() | Cy7C1480V33-200AXCT | - | ![]() | 3004 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1480 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 200 MHz | 揮発性 | 72mbit | 3 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | Cy7C25682Kv18-450bzc | - | ![]() | 3270 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C25682 | sram- ddr II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | |||
S25FL129P0XBHIZ13 | - | ![]() | 8835 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-p | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL129 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 5µs、3ms | ||||
![]() | AT49BV512-90TC | - | ![]() | 3842 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT49BV512 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 不揮発性 | 512kbit | 90 ns | フラッシュ | 64k x 8 | 平行 | 30µs | |||
![]() | at93c46en-sh-t | 0.3000 | ![]() | 44 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93C46 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 2 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 64 x 16 | 3線シリアル | 5ms | |||
![]() | AT28HC256-70JI | - | ![]() | 8667 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-lcc | AT28HC256 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | AT28HC25670JI | ear99 | 8542.32.0051 | 32 | 不揮発性 | 256kbit | 70 ns | Eeprom | 32k x 8 | 平行 | 10ms | ||
![]() | Cy7C1512V18-250BZC | - | ![]() | 1525 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1512 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | |||
25AA040X/ST | - | ![]() | 1034 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 25AA040 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 25AA040X/ST-NDR | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | AS4C128M8D2A-25BCNTR | 4.4911 | ![]() | 2146 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | AS4C128 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga (8x10) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | AT27C256R-55TI | - | ![]() | 2991 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | AT27C256 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 28-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT27C256R55TI | ear99 | 8542.32.0061 | 234 | 不揮発性 | 256kbit | 55 ns | eprom | 32k x 8 | 平行 | - | ||
![]() | IS42SM32100D-6BLI | 2.3119 | ![]() | 2118 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42SM32100 | sdram-モバイル | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 32mbit | 5.5 ns | ドラム | 1M x 32 | 平行 | - | ||
![]() | 46C7449-C | 62.5000 | ![]() | 7117 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-46C7449-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT47H32M16NF-25E AAT:h | 5.7800 | ![]() | 582 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (8x12.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,368 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | 483194-001-C | 17.5000 | ![]() | 4631 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-483194-001-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | M27C256B-12B1 | - | ![]() | 1638 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 28-dip (0.600 "、15.24mm) | M27C256 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 28-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 8542.32.0061 | 13 | 不揮発性 | 256kbit | 120 ns | eprom | 32k x 8 | 平行 | - | |||
![]() | Cy62256-70zct | 0.6700 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | Cy62256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 256kbit | 70 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 70ns | |||
![]() | 7024S55FB | - | ![]() | 2181 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜125°C | 表面マウント | 84フラットパック | 7024S55 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 84-FPACK | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 64kbit | 55 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 55ns |
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