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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F1G08ABADAH4-ITX:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAH4-ITX：D TR -
RFQ
 ECAD 1993年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
W25X40BVSNIG Winbond Electronics w25x40bvsnig -
RFQ
 ECAD 1919年年 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25x40 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 3ms
IDT71V416VS10Y8 Renesas Electronics America Inc IDT71V416VS10Y8 -
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 ECAD 8315 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） IDT71V416 sram-非同期 3V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V416VS10Y8 3A991B2A 8542.32.0041 500 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
71321LA55J Renesas Electronics America Inc 71321LA55J -
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 ECAD 6032 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 71321LA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 24 揮発性 16kbit 55 ns sram 2k x 8 平行 55ns
MX25V40066M1I02 Macronix MX25V40066M1I02 0.2657
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 ECAD 5327 0.00000000 マクロニックス MXSMIO™ チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） フラッシュ - （slc） 2.3V〜3.6V 8ソップ - 3 （168 時間） 1092-MX25V40066M1I02 98 80 MHz 不揮発性 4mbit 8 ns フラッシュ 2m x 2、4m x 1 spi 200μs5ms
M29W640GH70ZF6E Micron Technology Inc. M29W640GH70ZF6E -
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 ECAD 4498 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 816 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
CAT24C08YI-GT3 onsemi CAT24C08YI-GT3 0.2800
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 ECAD 37 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） CAT24C08 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 8kbit 900 ns Eeprom 1k x 8 i²c 5ms
UPD44645184AF5-E50-FQ1 Renesas Electronics America Inc upd44645184af5-e50-fq1 71.5600
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 ECAD 11 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1
MX25S6473FZCI42 Macronix MX25S6473FZCI42 1.8684
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 ECAD 2868 0.00000000 マクロニックス - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 3 （168 時間） 1092-MX25S6473FZCI42TR 9,000
NDT18PFH-8KIT TR Insignis Technology Corporation NDT18PFH-8KIT TR -
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 ECAD 2628 0.00000000 Insignis Technology Corporation - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA NDT18 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT53D4DAKA-DC TR Micron Technology Inc. mt53d4daka-dc tr -
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 ECAD 1203 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました - - mt53d4 SDRAM-モバイルLPDDR4 - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 2,000 揮発性 ドラム
CY62158GE30-45BVXI Infineon Technologies Cy62158GE30-45BVXI 15.4000
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 ECAD 1801 0.00000000 Infineon Technologies mobl® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy62158 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 8mbit 45 ns sram 1m x 8 平行 45ns
AT27BV512-70RU Microchip Technology AT27BV512-70RU -
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 ECAD 7407 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 28-SOIC （0.342 "、幅8.69mm） AT27BV512 eprom -otp 2.7V〜3.6V 、4.5v〜5.5V 28-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1B2 8542.32.0061 26 不揮発性 512kbit 70 ns eprom 64k x 8 平行 -
BQ4011LYMA-70N Texas Instruments BQ4011LYMA-70N -
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 ECAD 2473 0.00000000 テキサスの楽器 - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 28-dip モジュール（0.61 "、15.49mm） BQ4011 nvsram （不揮発性 sram） 3V〜3.6V 28-dipモジュール（ 18.42x37.72） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8473.30.1180 12 不揮発性 256kbit 70 ns nvsram 32k x 8 平行 70ns
IDT71V256SA15PZ8 Renesas Electronics America Inc IDT71V256SA15PZ8 -
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 ECAD 1407 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） IDT71v256 sram-非同期 3V〜3.6V 28-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V256SA15PZ8 ear99 8542.32.0041 2,000 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns
5962-3829406MZA Renesas Electronics America Inc 5962-3829406MZA -
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 ECAD 9063 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -55°C〜125°C 穴を通して 28-CDIP （0.300 "、7.62mm） 5962-3829406 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-CDIP ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 800-5962-3829406MZA 廃止 13 揮発性 64kbit 70 ns sram 8k x 8 平行 70ns
IS63LV1024-10J ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-10J -
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 ECAD 7385 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） IS63LV1024 sram-非同期 3V〜3.6V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 22 揮発性 1mbit 10 ns sram 128k x 8 平行 10ns
W25Q128JVESQ Winbond Electronics w25q128jvesq -
RFQ
 ECAD 7040 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128JVESQ 1 133 MHz 不揮発性 128mbit 6 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
CAT24WC16LI Catalyst Semiconductor Inc. cat24wc16li -
RFQ
 ECAD 5260 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） CAT24WC16 Eeprom 2.5V〜6V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 400 kHz 不揮発性 16kbit 3.5 µs Eeprom 2k x 8 i²c 10ms
IS46TR16512B-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512B-125KBLA1-TR 20.6682
RFQ
 ECAD 6874 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR16512B-125KBLA1-TR 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
S26HS512TGABHI000 Infineon Technologies S26HS512TGABHI000 15.4500
RFQ
 ECAD 3776 0.00000000 Infineon Technologies HS-T トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-VBGA S26HS512 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 338 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -
BR24T64FVT-WE2 Rohm Semiconductor BR24T64FVT-WE2 0.5400
RFQ
 ECAD 9138 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） BR24T64 Eeprom 1.6V〜5.5V 8-TSSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 64kbit Eeprom 8k x 8 i²c 5ms
AS6C1616B-45BIN Alliance Memory, Inc. AS6C1616B-45bin 11.0600
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-lfbga sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1450-AS6C1616B-45bin ear99 8542.32.0041 480 揮発性 16mbit 45 ns sram 1m x 16 平行 45ns
W25Q64DWZPIG Winbond Electronics w25q64dwzpig -
RFQ
 ECAD 7768 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 3ms
MT62F3G32D8DV-023 AUT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 AUT：b 109.0500
RFQ
 ECAD 2781 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜125°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-023AUT：b 1 4.266 GHz 揮発性 96gbit ドラム 3g x 32 平行 -
IS49RL18320A-093EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320A-093EBLI 76.6200
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 ECAD 1858年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 168-lbga rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA（13.5x13.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49RL18320A-093EBLI ear99 8542.32.0032 119 1.066 GHz 揮発性 576mbit 7.5 ns ドラム 32m x 18 平行 -
FM24C256LEN Fairchild Semiconductor FM24C256LEN -
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 ECAD 8589 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） FM24C256 Eeprom 2.7V〜5.5V 8ディップ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 100 kHz 不揮発性 256kbit 3.5 µs Eeprom 32k x 8 i²c 6ms
CAT28C17AWI-20T onsemi CAT28C17AWI-20T 3.6900
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi CAT28C17A バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） Eeprom 4.5v〜5.5V 28-SOIC - 2156-CAT28C17AWI-20T 82 不揮発性 16kbit 200 ns Eeprom 2k x 8 平行 10ms
MT53E256M32D1KS-046 WT:L Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 WT：L 9.6500
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 表面マウント 200-VFBGA 200-VFBGA （10x14.5 - 影響を受けていない 557-MT53E256M32D1KS-046WT：L 1
70T3509MS166BPI Renesas Electronics America Inc 70T3509MS166BPI -
RFQ
 ECAD 8562 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 256-BGA sram- デュアルポート、標準 2.4V〜2.6V 256-CABGA （17x17） - 800-70T3509MS166BPI 1 166 MHz 揮発性 36mbit sram 1m x 36 lvttl -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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