画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 25LC080B-I/S15K | - | ![]() | 7646 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 死ぬ | 25LC080 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | |||
24AA64-I/p | 0.6100 | ![]() | 2548 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | 24AA64 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 400 kHz | 不揮発性 | 64kbit | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 5ms | |||
7164S25yg | - | ![]() | 4785 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | 7164S | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 27 | 揮発性 | 64kbit | 25 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
AT24CS32-XHM-B | 0.5100 | ![]() | 2800 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT24CS32 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 32kbit | 550 ns | Eeprom | 4k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | IS61NLP25672-200B1li | - | ![]() | 9980 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 209-BGA | IS61NLP25672 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 209-LFBGA(14x22) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 72 | 平行 | - | ||
S70FL01GSDPMFI010 | 16.8600 | ![]() | 3416 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S70FL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 66 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
![]() | MT53D768M32D4CB-053 WT:c | - | ![]() | 3718 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | - | - | MT53D768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 768m x 32 | - | - | |||
![]() | AS7C31024B-12TCNTR | 2.8125 | ![]() | 7412 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AS7C31024 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | |||
![]() | IS61LV5128AL-10KLI | 4.1694 | ![]() | 4295 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) | IS61LV5128 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 36-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 10ns | |||
AT24C128C-CUM-T | - | ![]() | 2174 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vfbga dsbga | AT24C128C | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-dbga (2.35x3.73) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 128kbit | 550 ns | Eeprom | 16k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | 24FC256-I/SN | 1.1600 | ![]() | 3305 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24FC256 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 400 ns | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 5ms | ||
CAT25160VE-GT3 | - | ![]() | 8142 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT25160 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | S29GL512S11TFV020 | 9.6600 | ![]() | 9120 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 910 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 60ns | |||
![]() | Cy7C025-55AXC | - | ![]() | 9706 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C025 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 揮発性 | 128kbit | 55 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | IS45S16100H-7TLA2 | 2.4926 | ![]() | 4646 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 143 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | 24LC128T-I/SN | 0.8000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC128 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 不揮発性 | 128kbit | 900 ns | Eeprom | 16k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | S-24C16DI-I8T1U5 | 0.2398 | ![]() | 1843年 | 0.00000000 | Ablic Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | S-24C16 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | SNT-8A | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 500 ns | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | NMC27C16BQ200 | - | ![]() | 6081 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 24-dip (0.600 "、15.24mm )ウィンドウ | NMC27C16 | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | 24ディップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0061 | 14 | 不揮発性 | 16kbit | 200 ns | eprom | 2k x 8 | 平行 | - | |||
![]() | AS4C256M16D3LB-10BINTR | - | ![]() | 7801 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(13.5x9 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-AS4C256M16D3LB-10BINTR | 廃止 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | AT25256T2-10TI-2.7 | - | ![]() | 7658 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 20-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT25256 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 20-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 74 | 3 MHz | 不揮発性 | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | S98WS512P00FW0040 | - | ![]() | 4149 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
MT25QL512ABB8E12-1SIT TR | - | ![]() | 3295 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||||
![]() | IS42S32160B-75EBLI | - | ![]() | 9013 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-WBGA (11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 144 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
70V7319S166BF | 188.0752 | ![]() | 1908年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 208-LFBGA | 70V7319 | sram- デュアルポート、同期 | 3.15V〜3.45V | 208-CABGA (15x15 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 166 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.6 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | |||
![]() | MT29F64G08CECCBH1-12Z:c | - | ![]() | 5171 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | 7024L12PFI | - | ![]() | 2661 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | - | 800-7024L12PFI | 1 | 揮発性 | 64kbit | 12 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 12ns | ||||||||
![]() | Cy7C1062AV33-10BGI | - | ![]() | 1769 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 119-BGA | Cy7C1062 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 512K x 32 | 平行 | 10ns | |||
![]() | M27V160-100K1 | - | ![]() | 6193 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-lcc | M27V160 | eprom -otp | 3V〜3.6V | 44-PLCC(16.51x16.51 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 8542.32.0061 | 580 | 不揮発性 | 16mbit | 100 ns | eprom | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | IS25WQ040-JNLE | - | ![]() | 9997 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25WQ040 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 1ms | |||
![]() | Cy7C1245Kv18-450bzc | - | ![]() | 2632 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1245 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - |
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