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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
IDT71V35761YSA166BQ Renesas Electronics America Inc IDT71V35761YSA166BQ -
RFQ
 ECAD 2177 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IDT71V35761 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V35761YSA166BQ 3A991B2A 8542.32.0041 136 166 MHz 揮発性 4.5mbit 3.5 ns sram 128k x 36 平行 -
MT48H8M32LFB5-10 Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-10 -
RFQ
 ECAD 9221 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48H8M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 100 MHz 揮発性 256mbit 7 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
CY14MB064J1-SXI Cypress Semiconductor Corp Cy14Mb064j1-sxi 3.1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） Cy14MB064 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 94 3.4 MHz 不揮発性 64kbit nvsram 8k x 8 i²c - 確認されていません
23A256-I/P Microchip Technology 23A256-I/p 1.5150
RFQ
 ECAD 2259 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） 23A256 sram 1.7V〜1.95V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 60 20 MHz 揮発性 256kbit sram 32k x 8 spi -
S26HS01GTFPBHV020 Infineon Technologies S26HS01GTFPBHV020 20.9300
RFQ
 ECAD 2963 0.00000000 Infineon Technologies Semper™ トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-VBGA フラッシュ - （slc） 1.7V〜2V 24-FBGA （8x8） ダウンロード 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 260 166 MHz 不揮発性 1gbit 5.45 ns フラッシュ 128m x 8 ハイパーバス 1.7ms
IS61WV102416EDALL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDALL-10BLI-TR -
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV102416EDALL-10BLI-TR 2,500 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
709349L9PF8 Renesas Electronics America Inc 709349L9PF8 -
RFQ
 ECAD 2749 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 709349L sram- デュアルポート、同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 750 揮発性 72kbit 9 ns sram 4k x 18 平行 -
AT29LV512-12JC Microchip Technology AT29LV512-12JC -
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 32-lcc at29lv512 フラッシュ 3V〜3.6V 32-PLCC（ 13.97x11.43 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 32 不揮発性 512kbit 120 ns フラッシュ 64k x 8 平行 20ms
M5M51008DKV-70HIST Renesas Electronics America Inc M5M51008DKV-70HIST 6.3000
RFQ
 ECAD 960 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 1,000
71V124SA12PHG8 Renesas Electronics America Inc 71V124SA12PHG8 -
RFQ
 ECAD 1358 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm） 71V124 sram-非同期 3V〜3.6V 32-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 1,500 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
11LC080-E/P Microchip Technology 11lc080-e/p 0.5400
RFQ
 ECAD 7024 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） 11LC080 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 60 100 kHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 単一ワイヤ 5ms
MT47H256M8THN-3:H TR Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-3：H TR -
RFQ
 ECAD 2900 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 63-TFBGA MT47H256M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 63-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
AT24C01BY6-YH-T Atmel at24c01by6-yh-t 0.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Atmel - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド AT24C01 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-mini ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 不揮発性 1kbit 550 ns Eeprom 128 x 8 i²c 5ms
M29W640GL7AZF6E Micron Technology Inc. M29W640GL7AZF6E -
RFQ
 ECAD 2263 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 136 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
CY62256VNLL-70ZXA Infineon Technologies cy62256vnll-70zxa -
RFQ
 ECAD 2771 0.00000000 Infineon Technologies mobl® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） Cy62256 sram-非同期 2.7V〜3.6V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 234 揮発性 256kbit 70 ns sram 32k x 8 平行 70ns
S25FL256SAGBHMC10 Nexperia USA Inc. S25FL256SAGBHMC10 -
RFQ
 ECAD 7887 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク アクティブ - 2156-S25FL256SAGBHMC10 1
S29GL256P11FFIV12 Infineon Technologies S29GL256P11FFIV12 9.1700
RFQ
 ECAD 5001 0.00000000 Infineon Technologies GL-P テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 400 不揮発性 256mbit 110 ns フラッシュ 32m x 8 平行 110ns
MT41K256M16TW-107 AT:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 at：p -
RFQ
 ECAD 5245 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） MT41K256M16TW-107AT：p ear99 8542.32.0036 1 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
IS61LV5128AL-10K ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10K -
RFQ
 ECAD 8174 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 36-bsoj（0.400 "、10.16mm 幅） IS61LV5128 sram-非同期 3.135V〜3.6V 36-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 19 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns
MC68HC11L0FU Motorola MC68HC11L0FU 11.3200
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 モトローラ * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 0000.00.0000 1
70V3579S5BF8 Renesas Electronics America Inc 70V3579S5BF8 131.2286
RFQ
 ECAD 2005年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 208-LFBGA 70V3579 sram- デュアルポート、同期 3.15V〜3.45V 208-CABGA （15x15 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 1.125mbit 5 ns sram 32K x 36 平行 -
S25FL208K0RMFI041 Infineon Technologies S25FL208K0RMFI041 -
RFQ
 ECAD 2513 0.00000000 Infineon Technologies FL2-K チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） S25FL208 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 97 76 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 5ms
MT54V512H18EF-10 Micron Technology Inc. MT54V512H18EF-10 19.2500
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 Micron Technology Inc. QDR™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA MT54V512 sram- クアッドポート、同期 2.4V〜2.6V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 9mbit sram 512K x 18 平行 -
MT29VZZZBD9GQFPR-046 W.9Q9 Micron Technology Inc. MT29VZZZBD9GQFPR-046 W.9Q9 -
RFQ
 ECAD 2488 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - 1
71321SA20PF8 Renesas Electronics America Inc 71321SA20PF8 -
RFQ
 ECAD 9571 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-LQFP 71321SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 64-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 750 揮発性 16kbit 20 ns sram 2k x 8 平行 20ns
A6993649-C ProLabs A6993649-C 17.5000
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A6993649-C ear99 8473.30.5100 1
CY7C1565KV18-400BZXI Infineon Technologies Cy7C1565KV18-400BZXI 245.4375
RFQ
 ECAD 8138 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1565 sram- qdr ii+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 272 400 MHz 揮発性 72mbit sram 2m x 36 平行 -
CY62147EV18LL-55BVXIT Infineon Technologies Cy62147EV18LL-55BVXIT 5.8800
RFQ
 ECAD 9674 0.00000000 Infineon Technologies mobl® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy62147 sram-非同期 1.65V〜2.25V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 4mbit 55 ns sram 256k x 16 平行 55ns
MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT TR Micron Technology Inc. mt29c4g96mazbbcjv-48 it tr -
RFQ
 ECAD 7320 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-VFBGA MT29C4G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 208 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 256m x 16 平行 -
X28HC64PZ-12 Renesas Electronics America Inc X28HC64PZ-12 15.8270
RFQ
 ECAD 2350 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 28-dip （0.600 "、15.24mm） Eeprom 4.5v〜5.5V 28-pdip - ROHS3準拠 3 （168 時間） 20-X28HC64PZ-12 1 不揮発性 64kbit 120 ns Eeprom 8k x 8 平行 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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