画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | cy62138cv33ll-70bai | 1.0800 | ![]() | 344 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-tfbga | Cy62138 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 36-FBGA (7x7) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 2mbit | 70 ns | sram | 256k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
AS4C256M16D3LB-12BAN | - | ![]() | 7252 | 0.00000000 | Alliance Memory | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(13.5x9 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 180 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
X28HC256JI-90R5697 | - | ![]() | 6381 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-lcc | X28HC256 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 256kbit | 90 ns | Eeprom | 32k x 8 | 平行 | 5ms | |||||
MT29C2G24MAABAHAMD-5 E IT | - | ![]() | 6947 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 130-VFBGA | MT29C2G24 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 130-VFBGA (8x9) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 2GBIT (NAND)、1GBIT (LPDRAM) | フラッシュ、ラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||||||
![]() | AT29LV020-12TI | - | ![]() | 6768 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT29LV020 | フラッシュ | 3V〜3.6V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 不揮発性 | 2mbit | 120 ns | フラッシュ | 256k x 8 | 平行 | 20ms | ||||
![]() | Cy7C1399B-15VXC | - | ![]() | 3263 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | Cy7C1399 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 27 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | NM93C46LZM8 | - | ![]() | 9021 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93C46 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 95 | 250 kHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 64 x 16 | マイクロワイヤ | 15ms | ||||
![]() | CG8416AAT | - | ![]() | 1933年年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 影響を受けていない | 廃止 | 1,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | Cy14E512q1a-sxit | - | ![]() | 5504 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | Cy14E512 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 2,500 | 40 MHz | 不揮発性 | 512kbit | nvsram | 64k x 8 | spi | - | ||||
![]() | MT48LC8M16A2P-6A AIT:L TR | - | ![]() | 2465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 12ns | |||
![]() | DS1350ABP-70 | - | ![]() | 1156 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 34-POWERCAP™モジュール | DS1350AB | nvsram (不揮発性 sram) | 4.75v〜5.25V | 34-POWERCAPモジュール | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | nvsram | 512k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | BR93L86FJ-WE2 | - | ![]() | 4591 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | BR93L86 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOP-J | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 2 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 1k x 16 | マイクロワイヤ | 5ms | ||||
![]() | IS42S32160F-7Tli | 15.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | AT29C040A-90JU-T | - | ![]() | 2351 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-lcc | AT29C040 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 750 | 不揮発性 | 4mbit | 90 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 10ms | ||||
CAT28F001G-12T | - | ![]() | 9201 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-lcc | CAT28F001 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 不揮発性 | 1mbit | 120 ns | フラッシュ | 128k x 8 | 平行 | 120ns | ||||||
![]() | 520966231136 | - | ![]() | 1460 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||
![]() | Cy62148ESL-55ZAXAT | - | ![]() | 8105 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | Cy62148 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V 、4.5v〜5.5V | 32 STSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | IS61LPD25636A-200TQLI | 15.4275 | ![]() | 3269 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPD25636 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS42S86400F-6TL | 11.8500 | ![]() | 6956 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S86400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 64m x 8 | 平行 | - | |||
![]() | Cy7C024A-25JXC | 15.7500 | ![]() | 377 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 84-LCC | Cy7C024 | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 84-PLCC (29.31x29.31 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 20 | 揮発性 | 64kbit | 25 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 25ns | 確認されていません | |||||
25LC160AT-E/ST | 0.9200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 25LC160 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 10 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | IS43TR81280BL-107MBL-TR | - | ![]() | 4283 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | Cy7C1570xv18-633bzxc | 473.2900 | ![]() | 288 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1570 | sram- ddr II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | 1 | 633 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||||||
![]() | W25Q16JWSSSQ | - | ![]() | 7719 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JWSSSQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
![]() | IS45S16800F-7BLA1-TR | 4.4911 | ![]() | 3395 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS45S16800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | 71V416L15BEG8 | - | ![]() | 4673 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFBGA | 71V416L | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-cabga (9x9) | ダウンロード | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | |||||||
w25q80bvzpsg | - | ![]() | 2991 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q80 | フラッシュ - | 2.5V〜3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80BVZPSG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||||
![]() | at24c01d-sshm-t | 0.2100 | ![]() | 3436 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT24C01 | Eeprom | 1.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 1kbit | 4.5 µs | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | MT29F8G08ADADAH4-E:d | - | ![]() | 4279 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F8G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,260 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | FM24W256-G | 6.4400 | ![]() | 9231 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM24W256 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 97 | 1 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 550 ns | フラム | 32k x 8 | i²c | - |
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