画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | sicプログラム可能 | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MD2147H3 | 10.6700 | ![]() | 215 | 0.00000000 | インテル | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 18-CDIP | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 18-CDIP | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | 揮発性 | 4kbit | 55 ns | sram | 4k x 1 | 平行 | 55ns | ||||||
![]() | NM93C46TEM8 | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93C46 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 64 x 16 | マイクロワイヤ | 10ms | ||||
![]() | C-160D3DR4RN/32GK2-TAA | 250.0000 | ![]() | 5327 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-160D3DR4RN/32GK2-TAA | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | NDQ46PFP-7NET | - | ![]() | 2479 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | - | 1982-NDQ46PFP-7NET | 廃止 | 2,500 | 1.333 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 256m x 16 | ポッド | 15ns | |||||||
IDT71V256SA20YG8 | - | ![]() | 6306 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | IDT71v256 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 28-SOJ | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V256SA20YG8 | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 256kbit | 20 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 20ns | |||||
AT25256A-10TI-1.8 | - | ![]() | 2509 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT25256 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 MHz | 不揮発性 | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | JR28F032M29EWBB TR | - | ![]() | 4402 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | JR28F032M29 | フラッシュ - | 確認されていません | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | S29GL064S70DHI030 | 3.9479 | ![]() | 4607 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 520 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | IS64LPS12832A-200TQLA3-TR | 11.0250 | ![]() | 4176 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS64LPS12832 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 揮発性 | 4mbit | 3.1 ns | sram | 128k x 32 | 平行 | - | |||
![]() | M95512-DFCS6TP/K | 1.2300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufbga wlcsp | M95512 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-wlcsp | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 16 MHz | 不揮発性 | 512kbit | Eeprom | 64k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | AM29DL800BT-90FC | 2.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 高度なマイクロデバイス | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AM29DL800 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 8mbit | 90 ns | フラッシュ | 512K x 16、1m x 8 | 平行 | 90ns | ||||
![]() | S99-50306 | - | ![]() | 6617 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S98WS256PC0HH3YR0 | - | ![]() | 2858 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 200 | ||||||||||||||||||
![]() | MT46V64M8TG-75:D Tr | - | ![]() | 2844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | - | ROHS非準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 750 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | TC58NVG0S3HTA00 | - | ![]() | 7383 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | TC58NVG0 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 1gbit | 25 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | IDT71V3577S85PF8 | - | ![]() | 3787 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71V3577 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V3577S85PF8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4.5mbit | 8.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | MX29LV400CTXEI-70G | 1.5730 | ![]() | 1537 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29LV | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-lfbga、Cspbga | MX29Lv400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
MT48LC8M32LFF5-10 IT | - | ![]() | 9417 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48LC8M32 | SDRAM- lPSDR | 3V〜3.6V | 90-VFBGA (8x13 | - | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100 MHz | 揮発性 | 256mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | MT46V16M8P-6T:DTR | - | ![]() | 4262 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT46V16M8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | AS4C32M16D2-25BINTR | - | ![]() | 6965 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | AS4C2M32 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TFBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | Cy14b101la-sp45xi | 34.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-BSSOP (0.295 "、幅7.50mm) | Cy14B101 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 48スソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 30 | 不揮発性 | 1mbit | 45 ns | nvsram | 128k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | MT28F008B5VG-8 BET TR | - | ![]() | 2304 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 40-tfsop (0.724 "、18.40mm | MT28F008B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 40-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8mbit | 80 ns | フラッシュ | 1m x 8 | 平行 | 80ns | ||||
![]() | V29GL256P11TAI020 | - | ![]() | 3301 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY7C106D-10VXIT | - | ![]() | 1145 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C106 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 256k x 4 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | S34ML01G100BHA003 | - | ![]() | 3582 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | ML-1 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | S34ML01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-bga (11x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | |||||
![]() | IS46R16160D-6TLA1-TR | 5.6024 | ![]() | 8574 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS46R16160 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | TMS2114L-25NL | - | ![]() | 8250 | 0.00000000 | テキサスの楽器 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT46V128M4TG-5B:D Tr | 15.5000 | ![]() | 879 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT46V128M4 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 128m x 4 | 平行 | 15ns | |||
![]() | AT28LV64B-25JC | - | ![]() | 1452 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 32-lcc | at28lv64 | Eeprom | 確認されていません | 3V〜3.6V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | AT28LV64B25JC | ear99 | 8542.32.0051 | 32 | 不揮発性 | 64kbit | 250 ns | Eeprom | 8k x 8 | 平行 | 10ms | ||
![]() | GD25LQ80CTIG | 0.3686 | ![]() | 6654 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | GD25LQ80 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms |
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