画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AT34C02CN-SH-B | - | ![]() | 6099 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT34C02 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | CY7C1021CV33-12VXET | - | ![]() | 7349 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy7C1021 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 12ns | |||
71256SA15PZG8 | 1.9539 | ![]() | 3114 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | 71256SA | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | CAT25080LGI | 0.1700 | ![]() | 7583 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | CAT25080 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 20 MHz | 不揮発性 | 8kbit | 20 ns | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | MT29F1G088888ABAFAM78A3WC1 | - | ![]() | 2643 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 死ぬ | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | IS25LP064A-JGLE | - | ![]() | 8965 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | IS25LP064 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 800µs | |||
![]() | 70V07L35PF | - | ![]() | 5192 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 80-lqfp | 70V07L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 80-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 揮発性 | 256kbit | 35 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 35ns | |||
![]() | IS43QR16256A-093PBLI-TR | - | ![]() | 1601 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43QR16256 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 1.066 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | S29CD032J0PQFM010 | - | ![]() | 1749 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CD-J | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 80-BQFP | S29CD032 | フラッシュ - | 1.65V〜2.75V | 80-PQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 66 | 66 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 54 ns | フラッシュ | 1M x 32 | 平行 | 60ns | ||
![]() | Cy7C1069GN30-10ZSXI | 53.7600 | ![]() | 5386 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1069 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 540 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 10ns | |||
S70FL01GSAGMFI013 | 15.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S70FL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
![]() | IS49NLC96400-25BLI | - | ![]() | 1412 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC96400 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 64m x 9 | 平行 | - | ||
24AA02-I/p | 0.3900 | ![]() | 849 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | 24AA02 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
AT24C02A-10TI-1.8 | - | ![]() | 9846 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT24C02 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | mt53d4dbka-dc | - | ![]() | 4529 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | mt53d4 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,140 | |||||||||||||||||||
![]() | S25FL256LAGBHN030 | - | ![]() | 1886年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-l | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | SP005660545 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||
![]() | AS7C34096A-10JCN | 6.2900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) | AS7C34096 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 36-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 10ns | |||
![]() | STK15C88-NF25 | - | ![]() | 7177 | 0.00000000 | Simtek | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | STK15C88 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 28-SOIC | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 不揮発性 | 256kbit | 25 ns | nvsram | 32k x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | w25q257fvfig tr | - | ![]() | 7047 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q257 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
![]() | AT27BV010-90VC | - | ![]() | 9822 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 32-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) | AT27BV010 | eprom -otp | 2.7V〜3.6V 、4.5v〜5.5V | 32-VSOP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT27BV01090VC | ear99 | 8542.32.0061 | 208 | 不揮発性 | 1mbit | 90 ns | eprom | 128k x 8 | 平行 | - | ||
![]() | S99FL256SDSMFBG03 | 6.5625 | ![]() | 3133 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | S99FL256 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,450 | |||||||||||||||||
![]() | Cy7C1370D-200bzit | - | ![]() | 8440 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1370 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS43LD16640C-25BLI | 10.0900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-TFBGA | IS43LD16640 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.95V | 134-TFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 171 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | AT49LV002T-70TI | - | ![]() | 7534 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT49LV002 | フラッシュ | 3V〜3.6V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 不揮発性 | 2mbit | 70 ns | フラッシュ | 256k x 8 | 平行 | 50µs | |||
![]() | M29W640FB70ZA6E | - | ![]() | 2860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | S34ML04G204BHI013 | 4.2700 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | ML-2 | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | S34ML04 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-bga (11x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2832-S34ML04G204BHI013 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | 25ns | |||||
![]() | DS2502AX-500+T | - | ![]() | 4122 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 4-ufbga、wlcsp | DS2502 | eprom -otp | 2.8V〜6V | 4-wlp(1.62x0.93 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0061 | 10,000 | 不揮発性 | 1kbit | eprom | 128 x 8 | 1-Wire® | - | ||||
![]() | S99AL008J0290 p | - | ![]() | 7430 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | S99AL008J0290P | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||
IS64LV25616AL-12TLA3-TR | 9.0000 | ![]() | 8168 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS64Lv25616 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 12 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | S25FS064SDSNFN030 | 3.0625 | ![]() | 4388 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FS-S | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wlga | S25FS064 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-lga (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,900 | 80 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | - |
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