SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AT34C02CN-SH-B Microchip Technology AT34C02CN-SH-B -
RFQ
ECAD 6099 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) AT34C02 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
CY7C1021CV33-12VXET Infineon Technologies CY7C1021CV33-12VXET -
RFQ
ECAD 7349 0.00000000 Infineon Technologies - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) Cy7C1021 sram-非同期 3V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 500 揮発性 1mbit 12 ns sram 64k x 16 平行 12ns
71256SA15PZG8 Renesas Electronics America Inc 71256SA15PZG8 1.9539
RFQ
ECAD 3114 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) 71256SA sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 2,000 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns
CAT25080LGI Catalyst Semiconductor Inc. CAT25080LGI 0.1700
RFQ
ECAD 7583 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) CAT25080 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ear99 8542.32.0051 1 20 MHz 不揮発性 8kbit 20 ns Eeprom 1k x 8 spi 5ms
MT29F1G08ABAFAM78A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F1G088888ABAFAM78A3WC1 -
RFQ
ECAD 2643 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 死ぬ MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
IS25LP064A-JGLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064A-JGLE -
RFQ
ECAD 8965 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-tbga IS25LP064 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 800µs
70V07L35PF Renesas Electronics America Inc 70V07L35PF -
RFQ
ECAD 5192 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 80-lqfp 70V07L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 80-TQFP(14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 45 揮発性 256kbit 35 ns sram 32k x 8 平行 35ns
IS43QR16256A-093PBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256A-093PBLI-TR -
RFQ
ECAD 1601 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS43QR16256 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 1.066 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 15ns
S29CD032J0PQFM010 Infineon Technologies S29CD032J0PQFM010 -
RFQ
ECAD 1749 0.00000000 Infineon Technologies CD-J トレイ 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 80-BQFP S29CD032 フラッシュ - 1.65V〜2.75V 80-PQFP ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 66 66 MHz 不揮発性 32mbit 54 ns フラッシュ 1M x 32 平行 60ns
CY7C1069GN30-10ZSXI Infineon Technologies Cy7C1069GN30-10ZSXI 53.7600
RFQ
ECAD 5386 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) Cy7C1069 sram-非同期 2.2V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 540 揮発性 16mbit 10 ns sram 2m x 8 平行 10ns
S70FL01GSAGMFI013 Infineon Technologies S70FL01GSAGMFI013 15.1000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) S70FL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o -
IS49NLC96400-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400-25BLI -
RFQ
ECAD 1412 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC96400 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 400 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 64m x 9 平行 -
24AA02-I/P Microchip Technology 24AA02-I/p 0.3900
RFQ
ECAD 849 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) 24AA02 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 60 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
AT24C02A-10TI-1.8 Microchip Technology AT24C02A-10TI-1.8 -
RFQ
ECAD 9846 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) AT24C02 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
MT53D4DBKA-DC Micron Technology Inc. mt53d4dbka-dc -
RFQ
ECAD 4529 0.00000000 Micron Technology Inc. - sicで中止されました mt53d4 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,140
S25FL256LAGBHN030 Infineon Technologies S25FL256LAGBHN030 -
RFQ
ECAD 1886年 0.00000000 Infineon Technologies fl-l トレイ 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 24-tbga S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない SP005660545 3A991B1A 8542.32.0071 338 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi -
AS7C34096A-10JCN Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-10JCN 6.2900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) AS7C34096 sram-非同期 3V〜3.6V 36-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 19 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns
STK15C88-NF25 Simtek STK15C88-NF25 -
RFQ
ECAD 7177 0.00000000 Simtek - バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) STK15C88 nvsram (不揮発性 sram) 4.5v〜5.5V 28-SOIC - ROHS3準拠 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 1 不揮発性 256kbit 25 ns nvsram 32k x 8 平行 25ns
W25Q257FVFIG TR Winbond Electronics w25q257fvfig tr -
RFQ
ECAD 7047 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) W25Q257 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000 104 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
AT27BV010-90VC Microchip Technology AT27BV010-90VC -
RFQ
ECAD 9822 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 32-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) AT27BV010 eprom -otp 2.7V〜3.6V 、4.5v〜5.5V 32-VSOP ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない AT27BV01090VC ear99 8542.32.0061 208 不揮発性 1mbit 90 ns eprom 128k x 8 平行 -
S99FL256SDSMFBG03 Infineon Technologies S99FL256SDSMFBG03 6.5625
RFQ
ECAD 3133 0.00000000 Infineon Technologies - テープ&リール( tr) アクティブ S99FL256 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 0000.00.0000 1,450
CY7C1370D-200BZIT Infineon Technologies Cy7C1370D-200bzit -
RFQ
ECAD 8440 0.00000000 Infineon Technologies NOBL™ テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1370 sram- sdr 3.135V〜3.6V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 200 MHz 揮発性 18mbit 3 ns sram 512K x 36 平行 -
IS43LD16640C-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640C-25BLI 10.0900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-TFBGA IS43LD16640 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.95V 134-TFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 171 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 15ns
AT49LV002T-70TI Microchip Technology AT49LV002T-70TI -
RFQ
ECAD 7534 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) AT49LV002 フラッシュ 3V〜3.6V 32-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 156 不揮発性 2mbit 70 ns フラッシュ 256k x 8 平行 50µs
M29W640FB70ZA6E Micron Technology Inc. M29W640FB70ZA6E -
RFQ
ECAD 2860 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
S34ML04G204BHI013 Cypress Semiconductor Corp S34ML04G204BHI013 4.2700
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-2 バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA S34ML04 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-bga (11x9) ダウンロード ROHS3準拠 2832-S34ML04G204BHI013 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 25ns
DS2502AX-500+T Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS2502AX-500+T -
RFQ
ECAD 4122 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 4-ufbga、wlcsp DS2502 eprom -otp 2.8V〜6V 4-wlp(1.62x0.93 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0061 10,000 不揮発性 1kbit eprom 128 x 8 1-Wire® -
S99AL008J0290 P Infineon Technologies S99AL008J0290 p -
RFQ
ECAD 7430 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない S99AL008J0290P 廃止 0000.00.0000 1
IS64LV25616AL-12TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LV25616AL-12TLA3-TR 9.0000
RFQ
ECAD 8168 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS64Lv25616 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 12 ns sram 256k x 16 平行 12ns
S25FS064SDSNFN030 Infineon Technologies S25FS064SDSNFN030 3.0625
RFQ
ECAD 4388 0.00000000 Infineon Technologies FS-S トレイ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-wlga S25FS064 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-lga (5x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,900 80 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫