画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MEM-DR432L-HL01-ER26-C | 130.0000 | ![]() | 2056 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-MEM-DR432L-HL01-ER26-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | IDT70T3399S166DD | - | ![]() | 1146 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-LQFP露出パッド | IDT70T3399 | sram- デュアルポート、同期 | 2.4V〜2.6V | 144-TQFP (20x20) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 70T3399S166DD | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 166 MHz | 揮発性 | 2mbit | 3.6 ns | sram | 128k x 18 | 平行 | - | |
![]() | S29JL032J70TFI020 | 5.1900 | ![]() | 3841 | 0.00000000 | Infineon Technologies | JL-J | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29JL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | SP005673921 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | ||
![]() | MX66L51235FMJ-10G | - | ![]() | 7215 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MX66L51235 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1092-MX66L51235FMJ-10G | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 30µs、1.5ms | ||
![]() | MT51J256M32HF-60:a | - | ![]() | 4946 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 170-TFBGA | MT51J256 | sgram -gddr5 | 1.31V〜1.39V、1.46V〜1.55V | 170-FBGA(12x14) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,260 | 1.5 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
![]() | IS46TR16128DL-125KBLA2 | 6.2144 | ![]() | 8815 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16128DL-125KBLA2 | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | SST26WF016BA-104I/MF | 2.1150 | ![]() | 7981 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST26SQI® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | SST26WF016 | フラッシュ | 1.65V〜1.95V | 8-wdfn (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 98 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 1.5ms | |||
![]() | 93AA76A-I/SN | 0.5100 | ![]() | 3716 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93AA76 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | マイクロワイヤ | 5ms | |||
![]() | GS8321Z36AGD-333I | 74.8700 | ![]() | 18 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 165-lbga | GS8321Z | sram- zbt | 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V | 165-FPBGA(13x15) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS8321Z36AGD-333I | ear99 | 8542.32.0041 | 18 | 333 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IDT71V2548S133BG8 | - | ![]() | 2175 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | IDT71v2548 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V2548S133BG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 4.2 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | ||
![]() | 11AA160-I/MS | 0.4050 | ![]() | 5673 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 11AA160 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 100 kHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | 単一ワイヤ | 5ms | |||
![]() | M27C512-70C6 | - | ![]() | 9682 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-lcc | M27C512 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0061 | 32 | 不揮発性 | 512kbit | 70 ns | eprom | 64k x 8 | 平行 | - | |||
IS64C25616AL-12CTLA3 | 10.1940 | ![]() | 6242 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS64C25616 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 4mbit | 12 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 12ns | ||||
MX25R1035FOIL0 | - | ![]() | 4512 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | MX25R1035 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 33 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi -quad i/o | 100μs10ms | ||||
CAT93C56V-1.8TE13 | 0.1000 | ![]() | 2973 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT93C56 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8、128 x 16 | マイクロワイヤ | - | ||||
![]() | 7037L20PFI8 | - | ![]() | 8261 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 7037L20 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 576kbit | 20 ns | sram | 32k x 18 | 平行 | 20ns | |||
Cy7C1471v25-133Axc | - | ![]() | 6579 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1471 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 揮発性 | 72mbit | 6.5 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
IS62C5128BL-45TLI-TR | - | ![]() | 3360 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) | IS62C5128 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 45 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | IS42S16400J-6BLI | 2.0410 | ![]() | 1223 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | MT29F2G08ABBFAH4:F | - | ![]() | 1309 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | AS7C1024B-20JCNTR | 3.3915 | ![]() | 1517 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) | AS7C1024 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 20 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 20ns | |||
![]() | AT27LV520-90SC | - | ![]() | 1295 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 20-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | AT27LV520 | eprom -otp | 3V〜3.6V | 20-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT27LV52090SC | ear99 | 8542.32.0061 | 37 | 不揮発性 | 512kbit | 90 ns | eprom | 64k x 8 | 平行 | - | ||
![]() | MX29LV320EBTI-70G | 4.1600 | ![]() | 3387 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29LV | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MX29LV320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8 | 平行 | 70ns | |||
![]() | X28HC256FMB-15 | - | ![]() | 1712 | 0.00000000 | インターシル | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 28-cflatpack | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 28-cflatpack | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A001A2C | 8542.32.0051 | 1 | 不揮発性 | 256kbit | 150 ns | Eeprom | 32k x 8 | 平行 | 5ms | ||||
CAT28LV64H13I20 | - | ![]() | 1059 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | CAT28LV64 | Eeprom | 3V〜3.6V | 28-tsop | ダウンロード | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 234 | 不揮発性 | 64kbit | 200 ns | Eeprom | 8k x 8 | 平行 | 5ms | |||||
![]() | w25q128fvejq | - | ![]() | 4590 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
![]() | AT49BV002NT-90VI | - | ![]() | 6790 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) | AT49BV002 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 32-VSOP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT49BV002NT90VI | ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 不揮発性 | 2mbit | 90 ns | フラッシュ | 256k x 8 | 平行 | 50µs | ||
FT24C512A-ERT-B | - | ![]() | 7628 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | FT24C512 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 512kbit | 900 ns | Eeprom | 64k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | S29GL128P90FFIR23 | 5.8275 | ![]() | 3745 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL128 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 128mbit | 90 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | 90ns | |||
![]() | S25FL164K0XMFA013 | - | ![]() | 5901 | 0.00000000 | Infineon Technologies | 自動車、AEC-Q100 、FL1-K | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | S25FL164 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,100 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms |
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