画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT48LC4M16A2B4-7E:G TR | - | ![]() | 2917 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 14ns | ||||
![]() | IDT71V424S12PHI8 | - | ![]() | 4891 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IDT71v424 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V424S12PHI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 4mbit | 12 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 12ns | |||
![]() | 71V65703S80PFGI8 | 26.9705 | ![]() | 3159 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 71v65703 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 9mbit | 8 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||||
IDT71256SA20PZI | - | ![]() | 2317 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | IDT71256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71256SA20PZI | ear99 | 8542.32.0041 | 234 | 揮発性 | 256kbit | 20 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 20ns | ||||
S25FL512SDSBHMC10 | 12.9500 | ![]() | 4170 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 676 | 80 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||
![]() | SST39VF040-70-4C-NHE-T | 2.5650 | ![]() | 7864 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST39 MPF™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-lcc | SST39VF040 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 32-PLCC (11.43x13.97 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 750 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 20µs | ||||
![]() | X28C010DI-12 | 119.9800 | ![]() | 106 | 0.00000000 | インターシル | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 32-CDIP (0.600 "、15.24mm) | X28C010 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8542.32.0051 | 11 | 不揮発性 | 1mbit | 120 ns | Eeprom | 128k x 8 | 平行 | 10ms | ||||||
![]() | Cy7C131-15JC | - | ![]() | 7632 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | Cy7C131 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 690 | 揮発性 | 8kbit | 15 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 15ns | 確認されていません | |||||
![]() | S34SL02G200BHI000 | - | ![]() | 6866 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | トレイ | sicで中止されました | S34SL02 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 2120-S34SL02G200BHI000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 確認されていません | ||||||||||||||||
![]() | R1LV0108ESN-5SI #S0 | - | ![]() | 5696 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.450 "、11.40mm 幅) | R1LV0108 | sram | 2.7V〜3.6V | 32ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 55 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | AT24HC02B-PU | - | ![]() | 8860 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | AT24HC02 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 MHz | 不揮発性 | 2kbit | 550 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | MT58L256L36PT-10 | 6.0300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 8mbit | 5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||||
FM34W02ULEMT8 | - | ![]() | 8073 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | FM34W02 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 15ms | ||||
![]() | rmlv0816bgsd-4s2#AC0 | - | ![]() | 8458 | 0.00000000 | ロチェスターエレクトロニクス、LLC | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 52-TFSOP (0.350 "、幅8.89mm) | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 52-TSOP II | - | 2156-RMLV0816BGSD-4S2#AC0 | 1 | 揮発性 | 8mbit | 45 ns | sram | 512K x 16、1m x 8 | 平行 | 45ns | |||||||||
![]() | MT47H32M16U67A3WC1 | - | ![]() | 7012 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | - | - | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | SST38VF6401-90-5I-B3KE-T | 6.7700 | ![]() | 9113 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST38 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | SST38VF6401 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 64mbit | 90 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 10µs | ||||
![]() | IS61QDPB42M36A-500B4L | 111.7063 | ![]() | 1500 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDPB42 | sram- quadp | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 500 MHz | 揮発性 | 72mbit | 8.4 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | S34ML04G104BHI010 | - | ![]() | 1907 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | ML-1 | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | S34ML04 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-bga (11x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | 25ns | |||||
![]() | IS43DR16128B-25EBLI | - | ![]() | 5190 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16128 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TW-BGA(10.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 162 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | 46W0711-C | 72.5000 | ![]() | 5604 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-46W0711-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S25FL127SABBHID00 | 2.2700 | ![]() | 185 | 0.00000000 | スパンション | fl-s | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL127 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 133 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | 確認されていません | ||||||
93c56ct-i/st | 0.3900 | ![]() | 2901 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 93C56C | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 93C56CT-I/ST-NDR | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 3 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8、128 x 16 | マイクロワイヤ | 2ms | ||||
MT40A1G8SA-062E:R | 6.2003 | ![]() | 4083 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MT40A1G8SA-062E:R | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | CG7137AAT | - | ![]() | 1243 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2,000 | ||||||||||||||||||||
AT24C04D-XHM-T | 0.2700 | ![]() | 3336 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT24C04 | Eeprom | 1.7V〜3.6V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 450 ns | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | S25FS064SDSMFA010 | 3.3000 | ![]() | 6099 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FS-S | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | S25FS064 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 280 | 80 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||
MT29F32G08CBADBWP-12:D TR | - | ![]() | 6324 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | 803655-081-C | 122.5000 | ![]() | 1651 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-803655-081-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S29PL127J70BFI003 | - | ![]() | 6198 | 0.00000000 | Infineon Technologies | pl-j | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 80-VFBGA | S29PL127 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 80-FBGA (8x11 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | S29GL032N11FFIV10 | - | ![]() | 2089 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-n | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL032 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 32mbit | 110 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 110ns |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫