画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 11AA160-I/MS | 0.4050 | ![]() | 5673 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 11AA160 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 100 kHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | 単一ワイヤ | 5ms | ||||
![]() | M27C512-70C6 | - | ![]() | 9682 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-lcc | M27C512 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0061 | 32 | 不揮発性 | 512kbit | 70 ns | eprom | 64k x 8 | 平行 | - | ||||
IS64C25616AL-12CTLA3 | 10.1940 | ![]() | 6242 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS64C25616 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 4mbit | 12 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 12ns | |||||
MX25R1035FOIL0 | - | ![]() | 4512 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | MX25R1035 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 33 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi -quad i/o | 100μs10ms | |||||
CAT93C56V-1.8TE13 | 0.1000 | ![]() | 2973 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT93C56 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8、128 x 16 | マイクロワイヤ | - | |||||
![]() | 7037L20PFI8 | - | ![]() | 8261 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 7037L20 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 576kbit | 20 ns | sram | 32k x 18 | 平行 | 20ns | ||||
Cy7C1471v25-133Axc | - | ![]() | 6579 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1471 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 揮発性 | 72mbit | 6.5 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||||
IS62C5128BL-45TLI-TR | - | ![]() | 3360 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) | IS62C5128 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 45 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 45ns | |||||
![]() | IS42S16400J-6BLI | 2.0410 | ![]() | 1223 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | MT29F2G08ABBFAH4:F | - | ![]() | 1309 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | AS7C1024B-20JCNTR | 3.3915 | ![]() | 1517 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) | AS7C1024 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 20 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | AT27LV520-90SC | - | ![]() | 1295 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 20-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | AT27LV520 | eprom -otp | 3V〜3.6V | 20-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT27LV52090SC | ear99 | 8542.32.0061 | 37 | 不揮発性 | 512kbit | 90 ns | eprom | 64k x 8 | 平行 | - | |||
![]() | MX29LV320EBTI-70G | 4.1600 | ![]() | 3387 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29LV | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MX29LV320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | X28HC256FMB-15 | - | ![]() | 1712 | 0.00000000 | インターシル | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 28-cflatpack | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 28-cflatpack | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A001A2C | 8542.32.0051 | 1 | 不揮発性 | 256kbit | 150 ns | Eeprom | 32k x 8 | 平行 | 5ms | |||||
CAT28LV64H13I20 | - | ![]() | 1059 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | CAT28LV64 | Eeprom | 3V〜3.6V | 28-tsop | ダウンロード | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 234 | 不揮発性 | 64kbit | 200 ns | Eeprom | 8k x 8 | 平行 | 5ms | ||||||
![]() | w25q128fvejq | - | ![]() | 4590 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | ||||
![]() | AT49BV002NT-90VI | - | ![]() | 6790 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) | AT49BV002 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 32-VSOP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT49BV002NT90VI | ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 不揮発性 | 2mbit | 90 ns | フラッシュ | 256k x 8 | 平行 | 50µs | |||
FT24C512A-ERT-B | - | ![]() | 7628 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | FT24C512 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 512kbit | 900 ns | Eeprom | 64k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | S29GL128P90FFIR23 | 5.8275 | ![]() | 3745 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL128 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 128mbit | 90 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | 90ns | ||||
![]() | S25FL164K0XMFA013 | - | ![]() | 5901 | 0.00000000 | Infineon Technologies | 自動車、AEC-Q100 、FL1-K | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | S25FL164 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,100 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | M24256-DRMN3TP/K | 1.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | M24256 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 450 ns | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | Cy7C25652KV18-400BZXI | 222.0000 | ![]() | 102 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C25652 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 136 | 400 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||||
AS6C1608-55TIN | - | ![]() | 5152 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS6C1608 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1116 | 3A991B2A | 8542.32.0036 | 135 | 揮発性 | 16mbit | 55 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | S29GL01GS11DHAV23 | 16.2400 | ![]() | 6527 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、GL-S | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL01 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,200 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | SST25PF040CT-40I/SN | 1.0600 | ![]() | 20 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST25 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SST25PF040 | フラッシュ | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,300 | 40 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | C-2400D4SR8N/8G | 38.0000 | ![]() | 5171 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-2400D4SR8N/8G | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | GS81280Z18GT-333I | 277.5900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 100-lqfp | GS81280Z18 | sram- zbt | 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V | 100-TQFP (20x14 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS81280Z18GT-333I | ear99 | 8542.32.0041 | 15 | 333 MHz | 揮発性 | 144mbit | sram | 8m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | M25P80-VMC6G | - | ![]() | 1124 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | M25P80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-UFDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
![]() | MT28F640J3FS-115 MET TR | - | ![]() | 7885 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-FBGA | MT28F640J3 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (10x13) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64mbit | 115 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | MT53E2G64D8TN-046 WT:C TR | 90.4650 | ![]() | 4586 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 556-LFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 556-LFBGA(12.4x12.4 | ダウンロード | 557-MT53E2G64D8TN-046WT:CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 128GBIT | 3.5 ns | ドラム | 2g x 64 | 平行 | 18ns |
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