画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 40060108-001 | - | ![]() | 2198 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | 影響を受けていない | 廃止 | 91 | ||||||||||||||||||||
![]() | S70KL1282GABHB023 | 9.8525 | ![]() | 4176 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hyperram™kl | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-VBGA | psram(pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 35 ns | psram | 16m x 8 | ハイパーバス | 35ns | ||||
![]() | AS4C128M16D2A-25BCN | 12.5200 | ![]() | 283 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | AS4C128 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA(10.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1312 | ear99 | 8542.32.0036 | 209 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS46LQ16256A-062BLA1-TR | - | ![]() | 4120 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-VFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-VFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46LQ16256A-062BLA1-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | - | ||||||
IS25LP020E-JYLE-TR | 0.3100 | ![]() | 3706 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | IS25LP020 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25LP020E-JYLE-TR | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 8 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 1.2ms | ||
24FC08-E/ST | 0.3200 | ![]() | 9967 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 24FC08 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-24FC08-E/ST | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 8kbit | 450 ns | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | IS42S16320D-7BLI | 14.6759 | ![]() | 4484 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TW-BGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | MT41K512M16HA-107:a | - | ![]() | 1214 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (9x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | AT29C040A-12JI | - | ![]() | 4190 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-lcc | AT29C040 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 不揮発性 | 4mbit | 120 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 10ms | |||
![]() | 24FC256-I/MS | 1.2000 | ![]() | 8322 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 24FC256 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 400 ns | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | S29GL01GT13TFNV20 | 16.8525 | ![]() | 8264 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL01 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 910 | 不揮発性 | 1gbit | 130 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 60ns | |||
![]() | S25FL256SAGMFNG03 | 5.8800 | ![]() | 4316 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
70V24L20JI8 | - | ![]() | 3848 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-LCC | 70V24L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 84-PLCC (29.31x29.31 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 200 | 揮発性 | 64kbit | 20 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | AT93C66W-10SI-2.7 | - | ![]() | 8243 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93C66 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT93C66W10SI2.7 | ear99 | 8542.32.0051 | 94 | 2 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8、256 x 16 | 3線シリアル | 10ms | ||
![]() | M27C1001-15C1 | - | ![]() | 3740 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-lcc | M27C1001 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC(11.35x13.89) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 8542.32.0061 | 32 | 不揮発性 | 1mbit | 150 ns | eprom | 128k x 8 | 平行 | - | |||
![]() | S25FL164K0XBHV030 | - | ![]() | 3208 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl1-k | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | S25FL164 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | S99-50303 | - | ![]() | 9295 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S34MS01G100BHB003 | - | ![]() | 8038 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MS-1 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | S34MS01 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-bga (11x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 不揮発性 | 1gbit | 45 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 45ns | |||
![]() | GD25LQ32DWIGR | 0.8494 | ![]() | 7584 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | GD25LQ32 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8-wson | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 2.4ms | |||
![]() | 24AA256-I/MS | 1.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 24AA256 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 256kbit | 900 ns | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | DS1265AB-70IND | - | ![]() | 6122 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 36-dip モジュール(0.610 "、15.49mm) | DS1265AB | nvsram (不揮発性 sram) | 4.75v〜5.25V | 36-EDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | nvsram | 1m x 8 | 平行 | 70ns | |||
![]() | Cy7C1245KV18-400BZXI | - | ![]() | 7524 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1245 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 680 | 400 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||
IS62WV25616DALL -55TI -TR | - | ![]() | 9934 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS62WV25616 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | S39MS01GR25WPW009 | - | ![]() | 1573 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | W25M512JVCIQ | - | ![]() | 9972 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25M512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | - | |||
![]() | IS43R16320F-6TL-TR | 2.8194 | ![]() | 7381 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43R16320F-6TL-TR | 1,500 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | SSTL_2 | 15ns | |||||
70V3379S4BC8 | 106.0450 | ![]() | 4323 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 256-lbga | 70V3379 | sram- デュアルポート、同期 | 3.15V〜3.45V | 256-CABGA (17x17) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 576kbit | 4.2 ns | sram | 32k x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | MT46H64M32LFCX-5 WT:B TR | - | ![]() | 2448 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||
![]() | AT34C02Y1-10YI-2.7 | - | ![]() | 3427 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | AT34C02 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8 マップ( 3x4.9) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT34C02Y1-10YI2.7 | ear99 | 8542.32.0051 | 120 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |
![]() | 93LC46AT-I/MS | 0.3600 | ![]() | 2865 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 93LC46 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 93LC46AT-I/MS-NDR | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 2 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | マイクロワイヤ | 6ms |
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