画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71V3577S80PFGI | 8.1078 | ![]() | 3872 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 71V3577 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 8 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS65C1024AL-45QLA3-TR | 4.1213 | ![]() | 2117 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.445 "、幅11.30mm) | IS65C1024 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 45 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | MT28F01012 | 187.2000 | ![]() | 32 | 0.00000000 | インテル | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 32-lcc | MT28F01012 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 2156-MT28F01012 | 3A001 | 8542.32.0051 | 1 | 不揮発性 | 1mbit | 120 ns | フラッシュ | 128k x 8 | 平行 | 120ns | ||||
![]() | w25q64fwssaq | - | ![]() | 9099 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q64 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64FWSSAQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | ||||
CY7C1471V33-133ACES | - | ![]() | 1383 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NOBL™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1471 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 72mbit | 6.5 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | mtfc4glgdm-ait z | - | ![]() | 8791 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | 71V35761S166PFG | 5.9867 | ![]() | 1867年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 71V35761S | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS25LX256-JHLA3-TR | 4.3200 | ![]() | 2460 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | IS25LX256 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25LX256-JHLA3-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | |||
![]() | 7143LA25PF8 | - | ![]() | 2458 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 7143la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 32kbit | 25 ns | sram | 2k x 16 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | CG8257AAT | - | ![]() | 1470 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | ||||||||||||||||||
![]() | 24LC04BT-I/MNY | 0.3900 | ![]() | 7163 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | 24LC04B | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | i²c | 5ms | |||
![]() | Cy62146CV30LL-55BAI | 2.3000 | ![]() | 216 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL2™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | Cy62146 | sram-非同期 | 2.7V〜3.3V | 48-FBGA (7x8.5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | S29GL128P11FFIV23 | 5.8275 | ![]() | 1827年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL128 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 128mbit | 110 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | 110ns | ||||
![]() | 7006L15JI | - | ![]() | 8737 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 68-lcc | 7006L15 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC(24.21x24.21 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 18 | 揮発性 | 128kbit | 15 ns | sram | 16k x 8 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | w988d2fbjx6i tr | - | ![]() | 7921 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | W988D2 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | |||
![]() | AT28C16E-15JC | - | ![]() | 4804 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 32-lcc | AT28C16 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | AT28C16E15JC | ear99 | 8542.32.0051 | 32 | 不揮発性 | 16kbit | 150 ns | Eeprom | 2k x 8 | 平行 | 200µs | |||
![]() | 540746-002-00 | - | ![]() | 3008 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | IS25LX256-JHLE-TR | 3.8959 | ![]() | 3584 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | IS25LX256 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25LX256-JHLE-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | |||
![]() | SST25PF040CT-40E/NP18GVAO | - | ![]() | 4051 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 自動車、AEC-Q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | SST25PF040 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-SST25PF040CT-40E/NP18GVAOTR | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 40 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | CYD09S72V18-167BGXI | 152.5200 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | FullFlex™ | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 484-BGA | sram- デュアルポート、標準 | 1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V | 484-PBGA (23x23) | - | 2156-CYD09S72V18-167BGXI | 2 | 167 MHz | 揮発性 | 9mbit | 11 ns | sram | 128k x 72 | lvttl | - | ||||||||
![]() | GD25Q40CSIGR | 0.5200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | GD25Q40 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||||
![]() | Cy62167EV30LL-45ZXA | - | ![]() | 6040 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | Cy62167 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0040 | 10 | 揮発性 | 16mbit | 45 ns | sram | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 45ns | 確認されていません | |||
![]() | S29GL256P10FAI022 | 9.1700 | ![]() | 4187 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 400 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | 100ns | ||||
![]() | W25M02GVTBIR | - | ![]() | 4974 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25M02 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M02GVTBIR | 廃止 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 7 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |||
![]() | NM93C46M8 | - | ![]() | 5587 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93C46 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 95 | 1 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 64 x 16 | マイクロワイヤ | 10ms | ||||
![]() | AT25080A-10PU-1.8 | - | ![]() | 1463 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | AT25080 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 20 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | M25P16-VMN6TP TR | - | ![]() | 5326 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | M25P16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
![]() | M29F002BT70K6E | - | ![]() | 6931 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-lcc | M29F002 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC(11.35x13.89) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 不揮発性 | 2mbit | 70 ns | フラッシュ | 256k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | MX75U25690FXDR02 | - | ![]() | 5236 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | MX75U25690 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 24-cspbga | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1092-1267 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 120 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 64m x 4 | spi | - | |||
![]() | CY7C1069G-10BVXI | 38.5000 | ![]() | 1508 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy7C1069 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 4,800 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 10ns |
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