画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT29F4G01ABAFD12-AUT:F | 4.2603 | ![]() | 2937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F4G01ABAFD12-AUT:F | 1 | ||||||||||||||||||||||
AT24C08B-TH-T | - | ![]() | 7337 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT24C08 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 8kbit | 550 ns | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | HM4-6516-9 | 28.1200 | ![]() | 334 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-CLCC | HM4-6516 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-CLCC(13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 16kbit | 200 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 280ns | ||||
![]() | MX25U25643GXDJ00 | 3.3216 | ![]() | 2982 | 0.00000000 | マクロニックス | - | トレイ | アクティブ | - | 3 (168 時間) | 1092-MX25U25643GXDJ00 | 480 | |||||||||||||||||||||
![]() | RC48F4400P0VB0E4 | - | ![]() | 8802 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 64-TBGA | RC48F4400 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 52 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 100ns | |||
![]() | S27KL0643DPBHA023 | 4.7775 | ![]() | 9879 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hyperram™kl | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | psram(pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2 | 8542.32.0041 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 36 ns | psram | 8m x 8 | SPI -OCTAL I/O | 36ns | ||||||
![]() | w631gg8nb09i tr | 5.0400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | |||
![]() | 24FC16-I/MS | 0.3900 | ![]() | 8893 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 24FC16 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | 150-24FC16-I/MS | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 450 µs | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | Cy7C1518KV18-300BZC | - | ![]() | 7942 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1518 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 300 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | FM93CS56LN | - | ![]() | 2144 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | 93CS56 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8ディップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 40 | 1 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 128 x 16 | マイクロワイヤ | 10ms | ||||
![]() | IS42S16160B-7B | - | ![]() | 2336 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-LFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-LFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | AS7C3256A-12TCN | 2.6100 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | AS7C3256 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1059 | ear99 | 8542.32.0041 | 234 | 揮発性 | 256kbit | 12 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 12ns | |||
![]() | AS4C512M8D3A-12bin | - | ![]() | 1428 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | AS4C512 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA (9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1383 | ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | ||
N01S830BAT22I | 5.2100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | N01S830 | sram | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 100 | 20 MHz | 揮発性 | 1mbit | sram | 128k x 8 | spi | - | |||||
![]() | S29JL032J70TFA020 | 5.3900 | ![]() | 9698 | 0.00000000 | Infineon Technologies | JL-J | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29JL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | IS45S16160D-7TLA1-TR | - | ![]() | 2084 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | f800bjhepttl90 | - | ![]() | 7208 | 0.00000000 | シャープマイクロエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) | F800B | フラッシュ -ブートブロック | - | 48-tsop | - | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 50 | 不揮発性 | 8mbit | 90 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 90ns | |||||
![]() | hn58x2508tiag#S0 | 2.9000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | A4837612-C | 35.0000 | ![]() | 1645 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A4837612-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S29GL512S11TFIV20 | 10.8400 | ![]() | 9071 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL512 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | BR24T128FV-WE2 | 0.5578 | ![]() | 8022 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-lssop(0.173 "、幅4.40mm) | BR24T128 | Eeprom | 1.6V〜5.5V | 8-SSOP-B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 128kbit | Eeprom | 16k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | S29VS064RABBHW010 | 4.1500 | ![]() | 1652 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S29VS064RABBHW010 | 61 | ||||||||||||||||||||||
![]() | thgbmhg6c1lbaw6 | - | ![]() | 4932 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | 廃止 | thgbmhg | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | |||||||||||||||||
![]() | MT47H64M16NF-25E AIT:M TR | 3.8331 | ![]() | 4418 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (8x12.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT47H64M16NF-25EAIT:MTR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | Cy14B104NA-ZS25XIT | - | ![]() | 9469 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy14B104 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | 1 | 不揮発性 | 4mbit | 25 ns | nvsram | 256k x 16 | 平行 | 25ns | 確認されていません | ||||||||
![]() | 7028L15PFG8 | 122.1438 | ![]() | 9436 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 7028L15 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | DS2433-Z01 | - | ![]() | 7017 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | TO-226-3 | DS2433 | Eeprom | - | to-92-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | DS2433Z01 | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 不揮発性 | 4kbit | 2 µs | Eeprom | 256 x 16 | 1-Wire® | - | |||
![]() | BR24G08FV-3GTE2 | 0.2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-lssop(0.173 "、幅4.40mm) | BR24G08 | Eeprom | 1.6V〜5.5V | 8-SSOP-B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | mtfc64gasaons-ait es tr | - | ![]() | 7537 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA (11.5x13 | - | 557-MTFC64GASAONS-AITESTRE | 廃止 | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | |||||||
![]() | AS4C8M16S-7TCN | - | ![]() | 3013 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS4C8M16 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1015 | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 2ns |
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