SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT29F4G01ABAFD12-AUT:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFD12-AUT:F 4.2603
RFQ
ECAD 2937 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ - 557-MT29F4G01ABAFD12-AUT:F 1
AT24C08B-TH-T Microchip Technology AT24C08B-TH-T -
RFQ
ECAD 7337 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) AT24C08 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 不揮発性 8kbit 550 ns Eeprom 1k x 8 i²c 5ms
HM4-6516-9 Harris Corporation HM4-6516-9 28.1200
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ECAD 334 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 32-CLCC HM4-6516 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-CLCC(13.97x11.43 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 1 揮発性 16kbit 200 ns sram 2k x 8 平行 280ns
MX25U25643GXDJ00 Macronix MX25U25643GXDJ00 3.3216
RFQ
ECAD 2982 0.00000000 マクロニックス - トレイ アクティブ - 3 (168 時間) 1092-MX25U25643GXDJ00 480
RC48F4400P0VB0E4 Micron Technology Inc. RC48F4400P0VB0E4 -
RFQ
ECAD 8802 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 64-TBGA RC48F4400 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 144 52 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 100ns
S27KL0643DPBHA023 Infineon Technologies S27KL0643DPBHA023 4.7775
RFQ
ECAD 9879 0.00000000 Infineon Technologies Hyperram™kl テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-VBGA psram(pseudo sram 2.7V〜3.6V 24-fbga (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3A991B2 8542.32.0041 2,500 166 MHz 揮発性 64mbit 36 ns psram 8m x 8 SPI -OCTAL I/O 36ns
W631GG8NB09I TR Winbond Electronics w631gg8nb09i tr 5.0400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
24FC16-I/MS Microchip Technology 24FC16-I/MS 0.3900
RFQ
ECAD 8893 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) 24FC16 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない 150-24FC16-I/MS ear99 8542.32.0051 100 1 MHz 不揮発性 16kbit 450 µs Eeprom 2k x 8 i²c 5ms
CY7C1518KV18-300BZC Infineon Technologies Cy7C1518KV18-300BZC -
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ECAD 7942 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga Cy7C1518 sram- ddr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 300 MHz 揮発性 72mbit sram 4m x 18 平行 -
FM93CS56LN onsemi FM93CS56LN -
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ECAD 2144 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) 93CS56 Eeprom 2.7V〜5.5V 8ディップ ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 40 1 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 128 x 16 マイクロワイヤ 10ms
IS42S16160B-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7B -
RFQ
ECAD 2336 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-LFBGA IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-LFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
AS7C3256A-12TCN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-12TCN 2.6100
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ECAD 42 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) AS7C3256 sram-非同期 3V〜3.6V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1059 ear99 8542.32.0041 234 揮発性 256kbit 12 ns sram 32k x 8 平行 12ns
AS4C512M8D3A-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3A-12bin -
RFQ
ECAD 1428 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-VFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1383 ear99 8542.32.0036 220 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
N01S830BAT22I onsemi N01S830BAT22I 5.2100
RFQ
ECAD 50 0.00000000 onsemi - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) N01S830 sram 2.5V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 100 20 MHz 揮発性 1mbit sram 128k x 8 spi -
S29JL032J70TFA020 Infineon Technologies S29JL032J70TFA020 5.3900
RFQ
ECAD 9698 0.00000000 Infineon Technologies JL-J トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) S29JL032 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
IS45S16160D-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160D-7TLA1-TR -
RFQ
ECAD 2084 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS45S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
F800BJHEPTTL90 Sharp Microelectronics f800bjhepttl90 -
RFQ
ECAD 7208 0.00000000 シャープマイクロエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) F800B フラッシュ -ブートブロック - 48-tsop - ROHS非準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 50 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 90ns
HN58X2508TIAG#S0 Renesas Electronics America Inc hn58x2508tiag#S0 2.9000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ - 適用できない 3 (168 時間) 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 3,000
A4837612-C ProLabs A4837612-C 35.0000
RFQ
ECAD 1645 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A4837612-C ear99 8473.30.5100 1
S29GL512S11TFIV20 Infineon Technologies S29GL512S11TFIV20 10.8400
RFQ
ECAD 9071 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) S29GL512 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 91 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 32m x 16 平行 60ns
BR24T128FV-WE2 Rohm Semiconductor BR24T128FV-WE2 0.5578
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ECAD 8022 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-lssop(0.173 "、幅4.40mm) BR24T128 Eeprom 1.6V〜5.5V 8-SSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 128kbit Eeprom 16k x 8 i²c 5ms
S29VS064RABBHW010 Nexperia USA Inc. S29VS064RABBHW010 4.1500
RFQ
ECAD 1652 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク アクティブ - 2156-S29VS064RABBHW010 61
THGBMHG6C1LBAW6 Kioxia America, Inc. thgbmhg6c1lbaw6 -
RFQ
ECAD 4932 0.00000000 Kioxia America - トレイ 廃止 thgbmhg ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 152
MT47H64M16NF-25E AIT:M TR Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E AIT:M TR 3.8331
RFQ
ECAD 4418 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA (8x12.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない MT47H64M16NF-25EAIT:MTR ear99 8542.32.0032 2,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
CY14B104NA-ZS25XIT Cypress Semiconductor Corp Cy14B104NA-ZS25XIT -
RFQ
ECAD 9469 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) Cy14B104 nvsram (不揮発性 sram) 2.7V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード 1 不揮発性 4mbit 25 ns nvsram 256k x 16 平行 25ns 確認されていません
7028L15PFG8 Renesas Electronics America Inc 7028L15PFG8 122.1438
RFQ
ECAD 9436 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp 7028L15 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP(14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 750 揮発性 1mbit 15 ns sram 64k x 16 平行 15ns
DS2433-Z01 Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS2433-Z01 -
RFQ
ECAD 7017 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 穴を通して TO-226-3 DS2433 Eeprom - to-92-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない DS2433Z01 ear99 8542.32.0051 1 不揮発性 4kbit 2 µs Eeprom 256 x 16 1-Wire® -
BR24G08FV-3GTE2 Rohm Semiconductor BR24G08FV-3GTE2 0.2200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-lssop(0.173 "、幅4.40mm) BR24G08 Eeprom 1.6V〜5.5V 8-SSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 i²c 5ms
MTFC64GASAONS-AIT ES TR Micron Technology Inc. mtfc64gasaons-ait es tr -
RFQ
ECAD 7537 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc64 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA (11.5x13 - 557-MTFC64GASAONS-AITESTRE 廃止 2,000 52 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
AS4C8M16S-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-7TCN -
RFQ
ECAD 3013 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C8M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1015 ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 2ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫