画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IDT71V416L15PH | - | ![]() | 7427 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IDT71V416 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71v416L15ph | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 26 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS25LP032D-JLLE | 1.4400 | ![]() | 1041 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25LP032 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||||
![]() | S29GL01GT12DHVV10 | 14.6650 | ![]() | 9393 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | S29GL01 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,600 | 不揮発性 | 1gbit | 120 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | AT49F512-55VU | - | ![]() | 7835 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) | AT49F512 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-VSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 不揮発性 | 512kbit | 55 ns | フラッシュ | 64k x 8 | 平行 | 50µs | ||||
24AA025E48T-E/OT | 0.4300 | ![]() | 9413 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | SOT-23-6 | 24AA025E48 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | SOT-23-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | IDT71V416L12PH | - | ![]() | 3403 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IDT71V416 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71v416L12ph | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 26 | 揮発性 | 4mbit | 12 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 12ns | |||
![]() | IS25WE256E-RMLE | - | ![]() | 9365 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 16-SOIC | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25WE256E-RMLE | 廃止 | 1 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 50µs 、2ms | |||||
![]() | AT45DB081-RC | - | ![]() | 1891年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 28-SOIC (0.342 "、幅8.69mm) | AT45DB081 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 28-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | AT45DB081RC | ear99 | 8542.32.0071 | 26 | 10 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 264バイトx 4096ページ | spi | 14ms | |||
![]() | IS49NLC36800A-25WBLI | 30.5534 | ![]() | 1005 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49NLC36800A-25WBLI | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 8m x 36 | HSTL | - | |||||
![]() | IS42S32160D-7BLI-TR | 15.2850 | ![]() | 1208 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | MX30UF4G18AB-TI | 6.6900 | ![]() | 4776 | 0.00000000 | マクロニックス | mx30uf | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MX30UF4 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4gbit | 25 ns | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | w25q40clssig | - | ![]() | 8674 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q40 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||||
![]() | Cy7C1049BL-25VC | - | ![]() | 7888 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1049 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 36-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | 揮発性 | 4mbit | 25 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
MX25L6473EBBI-10G | 1.4532 | ![]() | 7806 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 12-ufbga、wlcsp | MX25L6473 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 12-wlcsp | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 6,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi | 50µs、3ms | |||||
![]() | AT28C64B-15PI | - | ![]() | 9981 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 穴を通して | 28-dip (0.600 "、15.24mm) | AT28C64 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 28-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 14 | 不揮発性 | 64kbit | 150 ns | Eeprom | 8k x 8 | 平行 | 10ms | ||||
![]() | Cy7C0241-15axi | - | ![]() | 5292 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C0241 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 揮発性 | 72kbit | 15 ns | sram | 4k x 18 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | S29PL127J60BFI000 | 11.9400 | ![]() | 791 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | pl-j | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 80-VFBGA | S29PL127 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 80-FBGA (8x11 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 未定義のベンダー | 3A991B1A | 8542.32.0050 | 45 | 不揮発性 | 128mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 60ns | 確認されていません | |||
![]() | Cy7C1512AV18-250BZXI | - | ![]() | 2744 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1512 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | IS42S32200C1-55TL | - | ![]() | 6107 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32200 | SDRAM | 3.15V〜3.45V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 183 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | DS1609S-50 | - | ![]() | 9447 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | DS1609 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 24-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | DS1609S50 | ear99 | 8542.32.0041 | 31 | 揮発性 | 2kbit | 50 ns | sram | 256 x 8 | 平行 | 50ns | |||
![]() | MX25L25635FMI-10G | 6.0200 | ![]() | 29 | 0.00000000 | マクロニックス | MX25XXX35/36 -MXSMIO™ | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MX25L25635 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 30µs、3ms | ||||
![]() | IS64LF204818B-7.5TQLA3-TR | 116.5500 | ![]() | 4916 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS64LF204818 | sram-非同期 | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 揮発性 | 36mbit | 7.5 ns | sram | 2m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | QS7026A-20J | 27.5400 | ![]() | 275 | 0.00000000 | 高品質の半導体 | QS7026A | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | - | QS7026A | sram | 5V | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 50 MHz | 揮発性 | 256kbit | 20 ns | sram | 16k x 16 | 20ns | ||||||
![]() | MT46V16M16P-5B IT:M Tr | - | ![]() | 1570 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT46V16M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IDT71V65602S150PFI | - | ![]() | 1811 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71v65602 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71v65602S150pfi | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 150 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.8 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | ndl26pfg-9mi tr | - | ![]() | 6170 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | NDL26 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | MT52L8DBQC-DC | - | ![]() | 8387 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | バルク | アクティブ | MT52L8 | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | DS1230Y-120 | - | ![]() | 3299 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 28-dip モジュール(0.600 "、15.24mm) | DS1230Y | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 28-EDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | DS1230Y120 | ear99 | 8542.32.0041 | 12 | 不揮発性 | 256kbit | 120 ns | nvsram | 32k x 8 | 平行 | 120ns | |||
![]() | SM668QEB-ACS | - | ![]() | 1103 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM668 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | |||||||||||||||||
24AA16-I/ST | 0.4350 | ![]() | 4258 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 24AA16 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 16kbit | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms |
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