画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS6C6264A-70SIN | - | ![]() | 5044 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | チューブ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-SOIC (0.330 "、幅8.38mm) | AS6C6264 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 25 | 揮発性 | 64kbit | 70 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | Cy27C256A-70WC | 2.6400 | ![]() | 3499 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 28-CDIP (0.600 "、15.24mm )ウィンドウ | Cy27C256 | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | 28-cerdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 不揮発性 | 256kbit | 70 ns | eprom | 32k x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | S26361-F3934-L515-C | 120.0000 | ![]() | 5865 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-S26361-F3934-L515-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | QMP25FL008A0LNFI000 | - | ![]() | 4152 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT58L256L32PS-7.5 | 8.9300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | MT58L256L32 | sram-同期 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 8mbit | 4 ns | sram | 256k x 32 | 平行 | - | |||
![]() | IS25LP032D-JBLA3 | 1.7900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25LP032 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25LP032D-JBLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | |||
![]() | w25q80bwsvig | - | ![]() | 1865年 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q80 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-VSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 80 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||||
![]() | N24C08UVTG | - | ![]() | 7168 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-N24C08UVTG-488 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1520JV18-300BZXES | - | ![]() | 1789 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-CY7C1520JV18-300BZXES-428 | 1 | 確認されていません | |||||||||||||||||||
![]() | S29AL008J70BFI023 | 2.2900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | al-j | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | S29AL008 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA (8.15x6.15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | ||||
CAT93C66V-1.8 | 0.1900 | ![]() | 6511 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT93C66 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8、256 x 16 | マイクロワイヤ | - | |||||
![]() | SM662GACベス | 30.8100 | ![]() | 6217 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GAC-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | EMMC | - | ||||
M24C64-DRDW8TP/K | 0.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | M24C64 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | 450 ns | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 4ms | ||||
![]() | 7027S35pf | - | ![]() | 4606 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 7027S35 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 512kbit | 35 ns | sram | 32k x 16 | 平行 | 35ns | ||||
![]() | IS46TR81280BL-125JBLA2 | - | ![]() | 2694 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | IS46TR81280 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR81280BL-125JBLA2 | ear99 | 8542.32.0032 | 136 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | S25FS064SAGMFI010 | 2.9600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FS-S | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | S25FS064 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 280 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||
![]() | CYK512K16SCAU-70BAXI | - | ![]() | 2030 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | CYK512K16 | psram(pseudo sram | 2.7V〜3.3V | 48-FBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 8mbit | 70 ns | psram | 512K x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | IS61LPS204818A-166TQL-TR | - | ![]() | 9188 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPS204818 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 166 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.5 ns | sram | 2m x 18 | 平行 | - | |||
25LC320X-I/ST | 0.9150 | ![]() | 5651 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 25LC320 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | 不揮発性 | 32kbit | Eeprom | 4k x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | Cy7C1059H30-10ZSXI | 13.8503 | ![]() | 6999 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 44-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 135 | 揮発性 | 8mbit | 10 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 10ns | |||||||||
![]() | 71V3577S80PFGI | 8.1078 | ![]() | 3872 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 71V3577 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 8 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS65C1024AL-45QLA3-TR | 4.1213 | ![]() | 2117 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.445 "、幅11.30mm) | IS65C1024 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 45 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | MT28F01012 | 187.2000 | ![]() | 32 | 0.00000000 | インテル | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 32-lcc | MT28F01012 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 2156-MT28F01012 | 3A001 | 8542.32.0051 | 1 | 不揮発性 | 1mbit | 120 ns | フラッシュ | 128k x 8 | 平行 | 120ns | ||||
![]() | w25q64fwssaq | - | ![]() | 9099 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q64 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64FWSSAQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | ||||
CY7C1471V33-133ACES | - | ![]() | 1383 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NOBL™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1471 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 72mbit | 6.5 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | mtfc4glgdm-ait z | - | ![]() | 8791 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | 71V35761S166PFG | 5.9867 | ![]() | 1867年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 71V35761S | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS25LX256-JHLA3-TR | 4.3200 | ![]() | 2460 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | IS25LX256 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25LX256-JHLA3-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | |||
![]() | 7143LA25PF8 | - | ![]() | 2458 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 7143la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 32kbit | 25 ns | sram | 2k x 16 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | CG8257AAT | - | ![]() | 1470 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 |
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