画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT41K256M8DA-107:k | - | ![]() | 7640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,440 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | ||
![]() | CG7793AAT | - | ![]() | 7924 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | NV34C02MUW3VTBG | 0.4132 | ![]() | 1833 | 0.00000000 | onsemi | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | NV34C02 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-udfn (2x3) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 488-NV34C02MUW3VTBGTR | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |
![]() | AS4C512M8D4-75BCNTR | 7.3815 | ![]() | 5425 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (7.5x10.6 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 1450-AS4C512M8D4-75BCNTR | 2,500 | 1.333 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 8 | ポッド | 15ns | ||||||
![]() | IS26KS256S-DPBLA100-TR | - | ![]() | 5152 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 前回購入します | - | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL512N11FFA023 | 14.4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | スパンション | Automotive | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | 適用できない | 3A991B1A | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 8、32m x 16 | 平行 | 110ns | |||||
MR3A16ACMA35 | 40.7800 | ![]() | 334 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-lfbga | MR3A16 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 3V〜3.6V | 48-fbga (10x10) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 819-MR3A16ACMA35 | ear99 | 8542.32.0071 | 240 | 不揮発性 | 8mbit | 35 ns | ラム | 512K x 16 | 平行 | 35ns | |||
![]() | S29GL064N11TFIV10 | - | ![]() | 6823 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-n | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL064 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 不揮発性 | 64mbit | 110 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 110ns | |||
![]() | MT53D1536M32D6BE-046 WT:d | - | ![]() | 5800 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -30°C〜85°C (TC) | - | - | MT53D1536 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MT53D1536M32D6BE-046WT:D | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 1.5GX 32 | - | - | ||||
![]() | CAT24C128HU3IGT3 | - | ![]() | 6524 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | CAT24C128 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-udfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 不揮発性 | 128kbit | 400 ns | Eeprom | 16k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | 71V547XS100PF | 1.6600 | ![]() | 598 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 71V547 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4.5mbit | 10 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | RV639AV-C | 17.5000 | ![]() | 3043 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-RV639AV-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S29GL256S10DHI020 | 6.9825 | ![]() | 6969 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 60ns | |||
7140LA35PDG | - | ![]() | 2764 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 48-dip(0.600 "、15.24mm) | 7140la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 48-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2266-7140LA35PDG | ear99 | 8542.32.0041 | 7 | 揮発性 | 8kbit | 35 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 35ns | |||
![]() | AK6514CAM | - | ![]() | 1501 | 0.00000000 | Asahi Kasei Microdevices/akm | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 表面マウント | 8-lssop(0.173 "、幅4.40mm) | AK6514 | Eeprom | 1.6V〜5.5V | 8-SSOP | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 128kbit | Eeprom | 16k x 8 | spi | - | |||||
![]() | S29GL032N90FAI010 | - | ![]() | 4051 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-n | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 32mbit | 90 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 90ns | |||
![]() | CG7926AT | - | ![]() | 3534 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S29GL01GT11DHV020Y | 13.3300 | ![]() | 431 | 0.00000000 | スパンション | gl-t | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | S29GL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 60ns | |||
![]() | S29GL01GS11DHV010 | 16.3100 | ![]() | 3872 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | S29GL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 60ns | |||
![]() | GS816036DGT-250I | 22.0481 | ![]() | 7287 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 100-lqfp | GS816036 | sram- 同期、標準 | 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V | 100-TQFP (20x14 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS816036DGT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | CG8638am | - | ![]() | 6266 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S29GL512T10DHI020 | 11.4200 | ![]() | 260 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 60ns | |||
![]() | Cy7C1514KV18-300BZXC | - | ![]() | 1865年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1514 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 300 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | Cy7C1380C-167bgc | 17.0700 | ![]() | 7946 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | Cy7C1380 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.4 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | M29F400FT5AN6E2 | 4.1600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Alliance Memory | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29F400 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-M29F400FT5AN6E2 | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 55ns | ||
![]() | DS2229T-4M7 | - | ![]() | 9651 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | * | バルク | アクティブ | - | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | AS7C1025B-15JINTR | 3.2194 | ![]() | 1650 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) | AS7C1025 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | Cy7C1145KV18-400ZXC | 31.1600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1145 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 450 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
AT93C56A-SQ27U5 | 0.5100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Atmel | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 93C56A | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8、128 x 16 | 3線シリアル | 10ms | ||||
![]() | IS29GL512S-11DHV02 | - | ![]() | 5417 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | IS29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 60ns |
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