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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
70V18S12PFI Renesas Electronics America Inc 70V18S12PFI -
RFQ
 ECAD 9598 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します - 800-70V18S12PFI 1
W632GG8NB09I TR Winbond Electronics w632gg8nb09i tr 4.7803
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 ECAD 1956年年 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W632GG8NB09ITR ear99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 SSTL_15 15ns
IS25LQ020B-JULE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JULE -
RFQ
 ECAD 5860 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-ufdfn露出パッド IS25LQ020 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-USON - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LQ020B-JULETR ear99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 2mbit 8 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 800µs
70261L12PFI Renesas Electronics America Inc 70261L12PFI -
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 ECAD 8981 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 - 800-70261L12PFI 1 揮発性 256kbit 12 ns sram 16k x 16 平行 12ns
11AA161-I/MS Microchip Technology 11AA161-I/MS 0.4050
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 ECAD 4408 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） 11AA161 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 100 kHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 単一ワイヤ 5ms
IS62WV6416BLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416BLL-55BLI-TR 1.9026
RFQ
 ECAD 6963 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62Wv6416 sram-非同期 2.5V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 2,500 揮発性 1mbit 55 ns sram 64k x 16 平行 55ns
S25FL256SDSBHI210 Infineon Technologies S25FL256SDSBHI210 3.6107
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 ECAD 4446 0.00000000 Infineon Technologies fl-s トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,380 80 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
CAT25160VP2I-GT3-CS Catalyst Semiconductor Inc. CAT25160VP2I-GT3-CS 0.2900
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 ECAD 3 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド CAT25160 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-tdfn （2x3） ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 10 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 spi 5ms
IDT6116LA35SOGI Renesas Electronics America Inc IDT6116LA35SOGI -
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 ECAD 9909 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） IDT6116 sram-非同期 4.5v〜5.5V 24-SOIC ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 6116la35sogi ear99 8542.32.0041 310 揮発性 16kbit 35 ns sram 2k x 8 平行 35ns
M25P32-VMP6G Micron Technology Inc. M25P32-VMP6G -
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 ECAD 1631 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25p3​​ 2 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VFQFPN （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 75 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi 15ms、5ms
CY7C1356S-166BGC Infineon Technologies Cy7C1356S-166BGC -
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 ECAD 5058 0.00000000 Infineon Technologies - バッグ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA Cy7C1356 sram- sdr 3.135V〜3.6V 119-PBGA - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 9mbit 3.5 ns sram 512K x 18 平行 -
W25Q21EWXHSE Winbond Electronics w25q21ewxhse -
RFQ
 ECAD 4052 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド W25Q21 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-xson （2x3） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q21EWXHSE 1 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o -
IDT71V67602S133BQ8 Renesas Electronics America Inc IDT71V67602S133BQ8 -
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 ECAD 3234 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IDT71v67602 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V67602S133BQ8 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 揮発性 9mbit 4.2 ns sram 256k x 36 平行 -
W25M02GWTCIG TR Winbond Electronics W25M02GWTCIG TR -
RFQ
 ECAD 5751 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25M02 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GWTCIGTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 2Gbit 8 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
AT28C16E-15JC Microchip Technology AT28C16E-15JC -
RFQ
 ECAD 4804 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 32-lcc AT28C16 Eeprom 4.5v〜5.5V 32-PLCC（ 13.97x11.43 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない AT28C16E15JC ear99 8542.32.0051 32 不揮発性 16kbit 150 ns Eeprom 2k x 8 平行 200µs
S25FL128SDSBHI213 Infineon Technologies S25FL128SDSBHI213 3.3950
RFQ
 ECAD 6793 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga S25FL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 80 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
CY7C1059H30-10ZSXI Infineon Technologies Cy7C1059H30-10ZSXI 13.8503
RFQ
 ECAD 6999 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 2.2V〜3.6V 44-TSOP II - ROHS3準拠 135 揮発性 8mbit 10 ns sram 1m x 8 平行 10ns
MX25L12845GMI-08G Macronix MX25L12845GMI-08G 1.9305
RFQ
 ECAD 4356 0.00000000 マクロニックス MX25XXX45 -MXSMIO™ チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MX25L12845 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 44 120 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 30µs 、750µs
CG7382AM Cypress Semiconductor Corp CG7382am -
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 ECAD 9667 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 1
SST25PF040CT-40E/NP18GVAO Microchip Technology SST25PF040CT-40E/NP18GVAO -
RFQ
 ECAD 4051 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 自動車、AEC-Q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド SST25PF040 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 150-SST25PF040CT-40E/NP18GVAOTR ear99 8542.32.0071 3,000 40 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 5ms
DS2433AX+U Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS2433ax+u -
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 ECAD 1085 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-xbga fcbga DS2433 Eeprom - 6-flipchip （2.82x2.54） - ROHS3準拠 175-ds2433ax+u 廃止 1 不揮発性 4kbit 2 µs Eeprom 256 x 16 1-Wire® -
S29GL256N10FFI013 Infineon Technologies S29GL256N10FFI013 -
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 ECAD 2570 0.00000000 Infineon Technologies gl-n トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 100ns
MT53D4D1ARQ-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4D1ARQ-DC TR -
RFQ
 ECAD 3792 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました mt53d4 - 影響を受けていない 0000.00.0000 2,000
IS43DR16128C-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-3DBL 9.5500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1567 ear99 8542.32.0036 209 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
GD9FU1G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU1G8F2AMGI 4.3100
RFQ
 ECAD 8723 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ アクティブ 表面マウント 48-TFSOP （0.173 "、幅4.40mm） GD9FU1G8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1970-1084 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8
CY14B116N-Z45XI Infineon Technologies Cy14b116n-z45xi 73.5000
RFQ
 ECAD 6471 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） Cy14b116 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 192 不揮発性 16mbit 45 ns nvsram 1m x 16 平行 45ns
GD55LT01GEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEF2RR 17.1434
RFQ
 ECAD 6424 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD55LT テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 16ソップ - 1970-GD55LT01GEF2RRTR 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o -
NM27C256QE200 onsemi NM27C256QE200 -
RFQ
 ECAD 4905 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 28-CDIP （0.600 "、15.24mm ）ウィンドウ NM27C25 EPROM -UV 4.5v〜5.5V 28-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0061 12 不揮発性 256kbit 200 ns eprom 32k x 8 平行 -
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-AATX：E Tr 3.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
CY7C10212CV33-12BAXE Infineon Technologies CY7C10212CV33-12BAXE -
RFQ
 ECAD 4655 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ sicで中止されました -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA Cy7C10212 sram-非同期 3V〜3.6V 48-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 4,160 揮発性 1mbit 12 ns sram 64k x 16 平行 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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