画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AT27C040-12JC | - | ![]() | 9779 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 32-lcc | AT27C040 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | AT27C04012JC | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 32 | 不揮発性 | 4mbit | 120 ns | eprom | 512k x 8 | 平行 | - | |||
![]() | IS21ES04G-JQLI | - | ![]() | 4520 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lbga | IS21ES04 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 100-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS21ES04G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | EMMC | - | |||
![]() | 93AA56C/W15K | - | ![]() | 9238 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 死ぬ | 93AA56 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 3 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8、128 x 16 | マイクロワイヤ | 6ms | ||||
![]() | PAL16H2AJ/883 | 8.3400 | ![]() | 226 | 0.00000000 | 国立半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S-24C08DI-K8T3U5 | 0.3100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Ablic Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wssop 、8-msop(0.110 "、2.80mm 幅) | S-24C08 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tmsop | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 8kbit | 500 ns | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | IS25LP256D-RHLE | 5.0200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | IS25LP256 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||||
AT25XE011-XMHN-T | 1.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT25XE011 | フラッシュ | 1.65v〜3.6V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi | 12µs、3ms | |||||
![]() | 71V416L15Y | - | ![]() | 2608 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | 71V416L | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | AT25DF321A-MH-Y | 3.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | AT25DF321 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-udfn (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 100 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 256バイトx 16384ページ | spi | 7µs、3ms | ||||
![]() | cyk256k16mcbu-70bvxit | - | ![]() | 8981 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | CYK256K16 | psram(pseudo sram | 2.7V〜3.3V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 4mbit | 70 ns | psram | 256k x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | M58LT256KSB8ZA6E | - | ![]() | 9302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 85 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 85ns | ||||
MT29F128G08CFAAAWP-IT:a | - | ![]() | 4883 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||||||
![]() | EDF8132A3MA-GD-FD | - | ![]() | 5392 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | - | - | EDF8132 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,890 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | 平行 | - | |||||
MT53E1G16D1FW-046 AIT:A TR | 14.5050 | ![]() | 4747 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | ダウンロード | 557-MT53E1G16D1FW-046AIT:ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 18ns | |||||||||
![]() | DS2502R+00B | - | ![]() | 3158 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | TO-236-3 | DS2502 | eprom -otp | 2.8V〜6V | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 1kbit | eprom | 128 x 8 | 1-Wire® | - | |||||
![]() | 70V37L20PFGI | - | ![]() | 6083 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70V37 | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 576kbit | 20 ns | sram | 32k x 18 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | IS67WVC4M16EALL-7010BLA1 | - | ![]() | 9400 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | IS67WVC4M16 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 104 MHz | 揮発性 | 64mbit | 70 ns | psram | 4m x 16 | 平行 | 70ns | ||||||
![]() | CG7446AF | - | ![]() | 2081 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 24LC1026-I/SN | 4.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC1026 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 24LC1026ISN | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 1mbit | 900 ns | Eeprom | 128k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | PF48F3000P0ZBQ0A | - | ![]() | 5658 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 88-TFBGA 、CSPBGA | 48F3000P0 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 88-scsp( 8x10) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | |||
![]() | S25FL128P0XMFI013 | 3.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl-p | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2832-S25FL128P0XMFI013 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 3ms | |||||
![]() | S98WS512P00FW0020A | - | ![]() | 9794 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
S29GL512S11FHIV20 | 9.7100 | ![]() | 3284 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA (11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 60ns | |||||
S-25C080A0I-T8T1U | 0.4111 | ![]() | 1995年 | 0.00000000 | Ablic Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | S-25C080 | Eeprom | 1.6V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 5 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 4ms | ||||||
![]() | mt45w1mw16bdgb-701 it tr | - | ![]() | 2691 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 54-VFBGA | MT45W1MW16 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA (6x8) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 16mbit | 70 ns | psram | 1m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | Cy7c1165kv18-400bzc | 37.1400 | ![]() | 363 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1165 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | 9 | 400 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||||||
![]() | Cy14B101LA-ZS45XI | 24.4000 | ![]() | 7532 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy14B101 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 135 | 不揮発性 | 1mbit | 45 ns | nvsram | 128k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | S29AS008J70BFI030 | 1.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | as-j | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | S29AS008 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 48-FBGA (8.15x6.15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 338 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | Cy7C1512Kv18-250bzc | 123.9700 | ![]() | 503 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1512 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | 1 | 250 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | ||||||||
![]() | 24LC04-E/SN16KVAO | - | ![]() | 3104 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC04 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 5ms |
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