画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Cy7C1021BNV33L-15ZXI | - | ![]() | 8038 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1021 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 405 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | EDFM432A1PF-GD-FD | - | ![]() | 2571 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C(TA) | 表面マウント | - | EDFM432 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | 216-FBGA(12x12) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 | 800 MHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | 平行 | - | |||||
MT35XL01GBBA2G12-0AAT | - | ![]() | 4898 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | バルク | 前回購入します | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xl01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | xccelaバス | - | |||||
![]() | W9725G6KB-25 TR | 2.9700 | ![]() | 22 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | W9725G6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-WBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 256mbit | 400 PS | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | MT60B1G16HC-52B IT:g | 18.2400 | ![]() | 7376 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT60B1G16HC-52ビット:g | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT40A2G8JE-062E AUT:e | 24.0300 | ![]() | 2769 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (9x11) | ダウンロード | 557-MT40A2G8JE-062EAUT:e | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 2g x 8 | ポッド | 15ns | ||||||||
![]() | MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 | 20.2200 | ![]() | 7587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 149-VFBGA | フラッシュnand( slc )、 dram -lpddr4 | 1.06V〜1.17V | 149-VFBGA (8x9.5) | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 | 1 | 不揮発性、揮発性 | 8gbit | 25 ns | フラッシュ、ラム | 1g x 8 | onfi | 30ns | |||||||||
![]() | C-1600D3OR4LRN/64G | 737.5000 | ![]() | 7935 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-1600D3OR4LRN/64G | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
MT53E256M16D1FW-046 WT:b | 7.7349 | ![]() | 7625 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | ダウンロード | 557-MT53E256M16D1FW-046WT:b | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 18ns | |||||||||
![]() | w25x20avsnig | - | ![]() | 6843 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25x20 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 100 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 3ms | ||||
![]() | 676812-001-C | 36.2500 | ![]() | 6441 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-676812-001-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | w987d2hbjx6i tr | - | ![]() | 9524 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | W987D2 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 15ns | |||
![]() | JBP28S42MJ | - | ![]() | 9593 | 0.00000000 | テキサスの楽器 | * | チューブ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 適用できない | 296-JBP28S42MJ | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1021BL-15zi | 1.8000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1021 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | 70v9199l7pfi | - | ![]() | 4760 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70V9199 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | - | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 90 | 揮発性 | 1.125mbit | 7 ns | sram | 128k x 9 | 平行 | - | |||||
![]() | Cy10E484-5kcq | 69.9900 | ![]() | 311 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜75°C(Ta) | 表面マウント | 28-cflatpack | Cy10E484 | sram-非同期 | 4.94V〜5.46V | 28-cflatpack | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 16kbit | 5 ns | sram | 4k x 4 | 平行 | 5ns | ||||
![]() | A2257178-C | 37.5000 | ![]() | 1069 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A2257178-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 70V27S55PFI8 | - | ![]() | 7683 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70V27S | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 512kbit | 55 ns | sram | 32k x 16 | 平行 | 55ns | |||||
![]() | Cy62168EV30LL-45BVXI | 13.3600 | ![]() | 115 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy62168 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 16mbit | 45 ns | sram | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | NM24C05ULN | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | NM24C05 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8ディップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 3.5 µs | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 15ms | |||
![]() | S29AL008J55TFIR10 | - | ![]() | 1146 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S29AL008J55TFIR10 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT29F256G08CMCABH2-10Z:TR | - | ![]() | 6716 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 100-tbga(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | R1LV0216BSB-7SI #B0 | - | ![]() | 9252 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | R1LV0216 | sram | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 2mbit | 70 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 70ns | 確認されていません | |||
![]() | S29CD032J0MQFM013 | - | ![]() | 3896 | 0.00000000 | スパンション | CD-J | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 80-BQFP | S29CD032 | フラッシュ - | 1.65V〜2.75V | 80-PQFP | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 56 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 54 ns | フラッシュ | 1M x 32 | 平行 | 60ns | ||||||
![]() | w988d6fbgx7e | - | ![]() | 3456 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 54-TFBGA | W988D6 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA (8x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 312 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | CYD36S72V18-200BGXC | - | ![]() | 9369 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 484-FBGA | CYD36S72 | sram- デュアルポート、同期 | 1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V | 484-PBGA (27x27 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | 200 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.3 ns | sram | 512K x 72 | 平行 | - | |||
![]() | IS46TR16640B-15GBLA25-TR | - | ![]() | 5814 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜115°C | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16640B-15GBLA25-TR | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | M29W400DB70N6E | - | ![]() | 2937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | Cy7C1314Bv18-167bzi | - | ![]() | 9516 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1314 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 119 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||||
w25q128fvpiq tr | - | ![]() | 4728 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms |
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