画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT41K2G8KJR-125:TR | - | ![]() | 4244 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K2G8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | 13.5 ns | ドラム | 2g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | AS7C351232-10bin | 25.0000 | ![]() | 240 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | AS7C351232 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 240 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 512K x 32 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | CY7C1009B-15VXC | - | ![]() | 5709 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | Cy7C1009 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 23 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | 7025L35JI | - | ![]() | 3468 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-LCC | 7025L35 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 15 | 揮発性 | 128kbit | 35 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 35ns | |||||
![]() | EDFP112A3PF-GDTJ-FD | - | ![]() | 6104 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | EDFP112 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 800 MHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 192m x 128 | 平行 | - | |||||
![]() | S34SL01G200BHI003 | - | ![]() | 4787 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | S34SL01 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 2120-S34SL01G200BHI003 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 確認されていません | ||||||||||||||||
![]() | MT25TL256HBA8ESF-0AAT | - | ![]() | 6096 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MT25TL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||||
MR2A16AVYS35 | 36.9500 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MR2A16 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 3V〜3.6V | 44-TSOP2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 135 | 不揮発性 | 4mbit | 35 ns | ラム | 256k x 16 | 平行 | 35ns | |||||
![]() | Cy7C195-12VCT | 3.6700 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 24-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | Cy7C195 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 24-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 256kbit | 12 ns | sram | 64k x 4 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | GD25WQ64ENEGR | 1.2544 | ![]() | 1709 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65v〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25WQ64ENEGRTR | 3,000 | 84 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 12 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 240µs 、8ms | ||||||||
MT40A512M16TD-062E AUT:R TR | - | ![]() | 9159 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 96-TFBGA | 96-FBGA (7.5x13 | - | 影響を受けていない | 557-MT40A512M16TD-062EAUT:RTR | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | HN58C256AFP85E | - | ![]() | 4216 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | cy14b101p-sfxi | - | ![]() | 9353 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | Cy14B101 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 92 | 40 MHz | 不揮発性 | 1mbit | nvsram | 128k x 8 | spi | - | ||||
![]() | AT45DB081E-SHNHC-T | 1.3325 | ![]() | 6767 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | AT45DB081 | フラッシュ | 1.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 85 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 264バイトx 4096ページ | spi | 8µs 、4ms | ||||
![]() | Cy7C245A-45pc | 7.3300 | ![]() | 680 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | Cy7C245 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 16kbit | 45 ns | eprom | 2k x 8 | 平行 | - | |||||||
![]() | AT25640T1-10TC-1.8 | - | ![]() | 7560 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 14-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT25640 | Eeprom | 1.8V〜3.6V | 14-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | 不揮発性 | 64kbit | Eeprom | 8k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | MX66U51235FME-13G | 98.4000 | ![]() | 9455 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MX66U51235 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 16ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 108 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 30µs、3ms | ||||
![]() | 5962-88735013a | 17.2400 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 28-CLCC | 5962-88735013 | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | 28-clcc(13.97x8.89) | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 16kbit | 45 ns | eprom | 2k x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | M24C08-WMN6 | - | ![]() | 2600 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | M24C08 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 497-1614-5 | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 8kbit | 900 ns | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | ||
S25FL256LDPBHI020 | 4.1600 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl-l | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | 73 | 66 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | 確認されていません | |||||||||
![]() | MT55L256L36PT-10 | 8.2400 | ![]() | 82 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | MT55L256L | sram- zbt | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 8mbit | 5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | MEM-DR416L-HL01-ER21-C | 132.5000 | ![]() | 2464 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-MEM-DR416L-HL01-ER21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1041BN-15VI | - | ![]() | 8532 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy7C1041 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IS43R32800D-5BLI | - | ![]() | 5943 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-LFBGA | IS43R32800 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 144-LFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 189 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IDT71V25761SA183BQ8 | - | ![]() | 6726 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IDT71V25761 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V25761SA183BQ8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 183 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 5.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | Cy7C1370D-167AXCT | - | ![]() | 6193 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1370 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.4 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | MX29LV400CTTI-55Q | 1.8348 | ![]() | 2294 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29LV | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MX29Lv400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
CAT25C128V-1.8-26604 | 0.1400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT25C128 | Eeprom | 1.8V〜6V | 8-SOIC | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-CAT25C128V-1.8-26604-488 | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 5 MHz | 不揮発性 | 128kbit | 80 ns | Eeprom | 16k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | cav24m01ye-g | - | ![]() | 2649 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | Cy2147-55dc | 4.6100 | ![]() | 5550 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 18-cdip (0.300 "、7.62mm) | Cy2147 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 18カーディップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4kbit | 55 ns | sram | 4k x 1 | 平行 | 55ns |
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