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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
X28C512JI-15 Renesas Electronics America Inc X28C512JI-15 95.6400
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-lcc X28C512 Eeprom 4.5v〜5.5V 32-PLCC （11.43x13.97 ダウンロード ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 30 不揮発性 512kbit 150 ns Eeprom 64k x 8 平行 10ms
70T3599S166DR Renesas Electronics America Inc 70T3599S166DR -
RFQ
 ECAD 9085 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 208-BFQFP 70T3599 sram- デュアルポート、同期 2.4V〜2.6V 208-PQFP （28x28） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 6 166 MHz 揮発性 4.5mbit 3.6 ns sram 128k x 36 平行 -
71256L100TDB IDT, Integrated Device Technology Inc 71256L100TDB 39.7300
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 28-CDIP （0.300 "、7.62mm） 71256L sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-CDIP ダウンロード 3A001A2C 8542.32.0041 1 揮発性 256kbit 100 ns sram 32k x 8 平行 100ns
S70GL02GP11FFIR20 Infineon Technologies S70GL02GP11FFIR20 -
RFQ
 ECAD 7136 0.00000000 Infineon Technologies GL-P トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S70GL02 フラッシュ - 3V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -S70GL02GP11FFIR20 3A991B1A 8542.32.0071 180 不揮発性 2Gbit 110 ns フラッシュ 256m x 8、128m x 16 平行 -
AT27BV010-15JC Microchip Technology AT27BV010-15JC -
RFQ
 ECAD 8758 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 32-lcc AT27BV010 eprom -otp 2.7V〜3.6V 、4.5v〜5.5V 32-PLCC（ 13.97x11.43 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない AT27BV01015JC ear99 8542.32.0061 32 不揮発性 1mbit 150 ns eprom 128k x 8 平行 -
71256SA15PZG IDT, Integrated Device Technology Inc 71256SA15PZG -
RFQ
 ECAD 7339 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） 71256SA sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-tsop ダウンロード 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns
CY7C199CN-15VXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C199CN-15VXC -
RFQ
 ECAD 9040 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） Cy7C199 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.32.0041 1,350 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns 確認されていません
MT53D512M32D2NP-046 AUT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AUT：d -
RFQ
 ECAD 9156 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
IS25LQ025B-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ025B-JKLE -
RFQ
 ECAD 4200 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25LQ025 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1327 ear99 8542.32.0071 570 104 MHz 不揮発性 256kbit フラッシュ 32k x 8 spi -quad i/o 800µs
BR93H56RFVT-2CE2 Rohm Semiconductor BR93H56RFVT-2CE2 0.5000
RFQ
 ECAD 4078 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） BR93H56 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-TSSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 2 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 128 x 16 マイクロワイヤ 4ms
93LC46AT/SN Microchip Technology 93LC46AT/SN 0.3200
RFQ
 ECAD 563 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 93LC46 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 2 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8 マイクロワイヤ 6ms
R1RP0416DSB-0PI#D1 Renesas Electronics America Inc R1RP0416DSB-0PI＃D1 6.2000
RFQ
 ECAD 8765 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP II - ROHS3準拠 3 （168 時間） 559-R1RP0416DSB-0PI＃D1 135 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
AT25020B-SSHL-B Microchip Technology AT25020B-SSHL-B 0.3400
RFQ
 ECAD 3592 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT25020 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない AT25020BSSHLB ear99 8542.32.0051 100 20 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 spi 5ms
NAND04GW3C2BN6E Micron Technology Inc. NAND04GW3C2BN6E -
RFQ
 ECAD 6688 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND04G フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND04GW3C2BN6E 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 4gbit 25 ns フラッシュ 512m x 8 平行 25ns
71T75802S200BGG8 Renesas Electronics America Inc 71T75802S200BGG8 43.6204
RFQ
 ECAD 7266 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 前回購入します 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA 71T75802 sram- sdr（zbt） 2.375V〜2.625V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 200 MHz 揮発性 18mbit 3.2 ns sram 1m x 18 平行 -
W632GG8NB-09 TR Winbond Electronics w632gg8nb-09 tr 4.2475
RFQ
 ECAD 7554 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W632GG8NB-09TR ear99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 SSTL_15 15ns
MTFC256GASAONS-IT TR Micron Technology Inc. mtfc256gasaons-it tr 86.7900
RFQ
 ECAD 1907 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MTFC256GASAONS-ITTR 2,000
CG7297KGA Cypress Semiconductor Corp CG7297KGA -
RFQ
 ECAD 4911 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.31.0001 1
S29GL256S10DHAV10 Infineon Technologies S29GL256S10DHAV10 4.3750
RFQ
 ECAD 2856 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 64-FBGA （9x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 260 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 平行 60ns
DS2704G+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS2704G+ -
RFQ
 ECAD 4195 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ アクティブ -30°C〜85°C（TA） 表面マウント 6-wdfn露出パッド DS2704 Eeprom 2.5V〜5.5V 6-tdfn（3x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 1 不揮発性 1.25kbit 2 µs Eeprom 32バイトx 5ページ 1-Wire® -
AT28BV64B-20TU Microchip Technology AT28BV64B-20TU -
RFQ
 ECAD 7875 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） AT28BV64 Eeprom 2.7V〜3.6V 28-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない at28bv64b20tu ear99 8542.32.0051 234 不揮発性 64kbit 200 ns Eeprom 8k x 8 平行 10ms
71024S15YGI Renesas Electronics America Inc 71024S15YGI -
RFQ
 ECAD 8274 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-BSOJ （0.400 "、10.16mm 幅） 71024S sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 23 揮発性 1mbit 15 ns sram 128k x 8 平行 15ns
M29W400DT55N6F TR Micron Technology Inc. M29W400DT55N6F TR -
RFQ
 ECAD 8566 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
CAT93C86V-TE13 Catalyst Semiconductor Inc. CAT93C86V-TE13 -
RFQ
 ECAD 9323 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT93C86 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,000 3 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8、1k x 16 マイクロワイヤ -
GD25LQ64EWAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EWAGR 1.6045
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson - 1970-GD25LQ64EWAGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 100µs 、4ms
MT29TZZZ7D6JKKFB-107 W.96V Micron Technology Inc. MT29TZZZ7D6JKKFB-107 W.96V -
RFQ
 ECAD 4189 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,520
AT28C010-12LM/883 Microchip Technology AT28C010-12LM/883 -
RFQ
 ECAD 8505 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 44-CLCC AT28C010 Eeprom 4.5v〜5.5V 44-clcc （16.55x16.55） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない AT28C01012LM883 3A001A2C 8542.32.0051 29 不揮発性 1mbit 120 ns Eeprom 128k x 8 平行 10ms
IS61NLF102418-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102418-6.5B3I -
RFQ
 ECAD 2885 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61NLF102418 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 1m x 18 平行 -
S99-50572 Infineon Technologies S99-50572 -
RFQ
 ECAD 4616 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 前回購入します - 1
IS25LX512M-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX512M-JHLE 7.3874
RFQ
 ECAD 6281 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga IS25LX512M フラッシュ 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LX512M-JHLE 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 SPI -OCTAL I/O -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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