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メモリ（69470）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 71V3577S75BGG | 8.5003 |  | 1998年年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 119-BGA | 71V3577 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 117 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 7.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
 | CG7910AA | - | | 8976 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 72 | |||||||||||||||||
 | 71V256SA12PZG8 | 3.6200 | | 2 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） | 71v256 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 28-tsop | ダウンロード | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 256kbit | 12 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 12ns | ||||||
 | S34ML04G100TFI900 | 4.2700 | | 3 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | ML-1 | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | S34ML04 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 2832-S34ML04G100TFI900 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 25ns | |||||
| MT29F4G01ABAFD12-AUT：F | 4.2603 | | 2937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F4G01ABAFD12-AUT：F | 1 | |||||||||||||||||||||
| S29VS064RABBHW010 | 4.1500 | | 1652 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S29VS064RABBHW010 | 61 | |||||||||||||||||||||
| MT47H64M16NF-25E AIT：M TR | 3.8331 | | 4418 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT47H64M16NF-25EAIT：MTR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
 | S25FL208K0RMFI010 | - | | 6026 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL2-K | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | S25FL208 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -S25FL208K0RMFI010 | ear99 | 8542.32.0071 | 280 | 76 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 5ms | ||
 | Cy7C1041CV33-12Baxet | - | | 6906 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | Cy7C1041 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-FBGA （7x8.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 4mbit | 12 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 12ns | |||
 | DS28E01P-001-11+ | - | | 9763 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 6-smd、Jリード | DS28E01 | Eeprom | 2.85V〜5.25V | 6-TSOC | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 175-DS28E01P-001-11+ | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 1kbit | 2 µs | Eeprom | 256 x 4 | 1-Wire® | - | ||||
| S25FL064P0XMFA003 | - | | 6479 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S25FL064P0XMFA003 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT46V128M8TG-75：a | - | | 8578 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V128M8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 1gbit | 750 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | N25Q032A13EF640F | 1.5300 | | 1 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25Q032A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 5ms | |||
 | AS7C3256A-12TCN | 2.6100 | | 42 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） | AS7C3256 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1450-1059 | ear99 | 8542.32.0041 | 234 | 揮発性 | 256kbit | 12 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 12ns | ||
 | IS42S16160B-7B | - | | 2336 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-LFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-LFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
 | 7028L15PFG8 | 122.1438 | | 9436 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | 7028L15 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | |||
| S29JL032J70TFA020 | 5.3900 | | 9698 | 0.00000000 | Infineon Technologies | JL-J | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | S29JL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| mt29c4g96mazbbcjv-48 it tr | - | | 7320 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-VFBGA | MT29C4G96 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 208 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit（nand | フラッシュ、ラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||
 | Cy7C1021DV33-10VXIT | 3.4300 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） | Cy7C1021 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 10ns | |||
 | S26361-F4026-E616-C | 162.0000 | | 2198 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-S26361-F4026-E616-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | IS25WP040E-JBLE | 0.4261 | | 9254 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | IS25WP040 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS25WP040E-JBLE | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 8 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 1.2ms | |
 | AT24C512N-10SU-1.8 | - | | 8923 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | AT24C512 | Eeprom | 1.8V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | AT24C512N-10SU1.8 | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 512kbit | 900 ns | Eeprom | 64k x 8 | i²c | 10ms | |
 | IS42VM32800K-6BLI | 6.0380 | | 1523 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42VM32800 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
 | cy15e004q-sxet | 1.6187 | | 1922年年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive、AEC-Q100 f-Ram™ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | Cy15E004 | フラム（強誘電性ラム） | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | SP005650543 | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 16 MHz | 不揮発性 | 4kbit | フラム | 512 x 8 | spi | - | ||
| A4837612-C | 35.0000 | | 1645 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A4837612-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | MT25QU512ABB1EW9-0SIT TR | 10.7200 | | 604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MT25QU512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-wpdfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | 7007L15JG | 71.7265 | | 8232 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 68-lcc | 7007L15 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC（24.21x24.21 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 9 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 15ns | |||
| SM662PBD-BDST | - | | 6166 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662PBD-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - | ||||
 | TMS48C121-10DZ | 8.0000 | | 276 | 0.00000000 | テキサスの楽器 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
 | M95160-FDW6TP | - | | 1774 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | M95160 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | spi | 5ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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