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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
SST39LF200A-45-4C-EKE-T Microchip Technology SST39LF200A-45-4C-EKE-T -
RFQ
 ECAD 6384 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST39 MPF™ テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） SST39LF200A フラッシュ 3V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2mbit 45 ns フラッシュ 128k x 16 平行 20µs
MT25QL128ABB1ESE-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1ESE-0AUT TR 4.2442
RFQ
 ECAD 3925 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 1.8ms
71V30S25TF Renesas Electronics America Inc 71V30S25TF -
RFQ
 ECAD 6524 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-LQFP 71V30 sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 64-TQFP （10x10） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 40 揮発性 8kbit 25 ns sram 1k x 8 平行 25ns
IS43TR16128DL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128DL-107MBLI-TR 4.8164
RFQ
 ECAD 2666 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16128DL-107MBLI-TR ear99 8542.32.0036 1,500 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
CY7C2563KV18-450BZC Infineon Technologies Cy7C2563Kv18-450bzc -
RFQ
 ECAD 6684 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C2563 sram- qdr ii+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 450 MHz 揮発性 72mbit sram 4m x 18 平行 -
W632GU8NB12J Winbond Electronics W632GU8NB12J -
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 ECAD 2781 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
5962-9161707MYA Renesas Electronics America Inc 5962-9161707mya -
RFQ
 ECAD 1633 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します -55°C〜125°C 表面マウント 84フラットパック 5962-9161707 sram- デュアルポート、同期 4.5v〜5.5V 84-FPACK ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 800-5962-9161707mya 6 揮発性 128kbit 35 ns sram 8k x 16 平行 35ns
GD25D10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25d10ceigr 0.2564
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 ECAD 9121 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25D10 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi-デュアルi/o 50µs 、4ms
CY7C1426JV18-300BZCES Cypress Semiconductor Corp CY7C1426JV18-300BZCES -
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 ECAD 4189 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1426 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 300 MHz 揮発性 36mbit sram 4m x 9 平行 -
MT29F4G01ABBFD12-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G01ABBFD12-IT：F Tr -
RFQ
 ECAD 9437 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT29F4G01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT29F4G01ABBFD12-IT：FTR 廃止 8542.32.0071 2,000 83 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
PC28F256P30BFF Alliance Memory, Inc. PC28F256P30BFF 6.9000
RFQ
 ECAD 6373 0.00000000 Alliance Memory Strataflash™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA フラッシュ-MLCもありません） 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） - 3 （168 時間） 1450-PC28F256P30BFFTR 2,000 52 MHz 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 CFI -
S29GL512S11DHIV23 Infineon Technologies S29GL512S11DHIV23 10.8400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies gl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL512 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 64-FBGA （9x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,200 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 32m x 16 平行 60ns
GT28F008B3T110 Intel GT28F008B3T110 1.3400
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 インテル - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA フラッシュ -ブートブロック 2.7V〜3.6V 48-ubga （7.7x9） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0071 1 不揮発性 8mbit 110 ns フラッシュ 1m x 8 cui -
7164S20Y IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S20Y -
RFQ
 ECAD 6838 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） 7164S sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.32.0041 1 揮発性 64kbit 20 ns sram 8k x 8 平行 20ns
SST25PF040CT-40V/NP18GVAO Microchip Technology SST25PF040CT-40V/NP18GVAO -
RFQ
 ECAD 5303 0.00000000 マイクロチップテクノロジー aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-ufdfn露出パッド SST25PF040 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 40 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 5ms
IS61QDB42M18C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB42M18C-250M3L -
RFQ
 ECAD 7927 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61QDB42 sram- 同期、クワッド 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 36mbit 8.4 ns sram 2m x 18 平行 -
AM27S35PC Advanced Micro Devices AM27S35PC 7.9200
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 ECAD 43 0.00000000 高度なマイクロデバイス - バルク アクティブ 0°C〜75°C（Ta） 穴を通して 24-dip （0.300 "、7.62mm） AM27S35 プロム 4.75v〜5.25V 24-pdip ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0071 1 不揮発性 8kbit 40 ns プロム 1k x 8 平行 -
MT48H8M16LFB4-75 IT:K Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-75 IT：k -
RFQ
 ECAD 8932 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
CY7C199C-20VXCT Cypress Semiconductor Corp Cy7C199C-20VXCT -
RFQ
 ECAD 1306 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） Cy7C199 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOJ ダウンロード ear99 8542.32.0041 1 揮発性 256kbit 20 ns sram 32k x 8 平行 20ns
S25FS512SAGNFB010 Infineon Technologies S25FS512SAGNFB010 11.5700
RFQ
 ECAD 590 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、FS-S トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド S25FS512 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 338 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、qpi -
CY14E256Q5A-SXQT Infineon Technologies Cy14E256Q5A-SXQT 11.0250
RFQ
 ECAD 8621 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） Cy14E256 nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 2,500 40 MHz 不揮発性 256kbit nvsram 32k x 8 spi -
MT29TZZZ5D6YKFAH-107 W.96N TR Micron Technology Inc. mt29tzzz5d6ykfah-107 w.96n tr -
RFQ
 ECAD 3341 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 mt29tzzz5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000
AS4C64M8D1-5TCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5TCN 3.8975
RFQ
 ECAD 2293 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C64 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1328 ear99 8542.32.0028 108 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
W25Q32BVSSJG TR Winbond Electronics w25q32bvssjg tr -
RFQ
 ECAD 8960 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない W25Q32BVSSJGTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
M3004316035NX0IBCR Renesas Electronics America Inc M3004316035NX0IBCR 10.6799
RFQ
 ECAD 3407 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 484-BGA ミスター（磁気抵抗ラム） 2.7V〜3.6V 484-CABGA （23x23 - ROHS3準拠 800-M3004316035NX0IBCRTR 1 不揮発性 4mbit 35 ns ラム 256k x 16 平行 35ns
64Y6652-C ProLabs 64y6652-c 30.0000
RFQ
 ECAD 2551 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-64Y6652-C ear99 8473.30.5100 1
MT58L256L32FT-10 Micron Technology Inc. MT58L256L32FT-10 12.5600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L256L32 sram-同期 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 MHz 揮発性 8mbit 10 ns sram 256k x 32 平行 -
S26KS256SDABHI030 Spansion S26KS256SDABHI030 7.7000
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 スパンション Hyperflash™ks バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-VBGA S26KS256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-fbga （6x8） ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 1 100 MHz 不揮発性 256mbit 96 ns フラッシュ 32m x 8 平行 -
S26KS512SDABHB030 Infineon Technologies S26KS512SDABHB030 15.1725
RFQ
 ECAD 7971 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、HyperFlash™KS トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-VBGA S26KS512 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,690 100 MHz 不揮発性 512mbit 96 ns フラッシュ 64m x 8 平行 -
S80KS2563GABHI020 Infineon Technologies S80KS2563GABHI020 12.6100
RFQ
 ECAD 318 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-VBGA S80KS2563 psram（pseudo sram 1.7V〜2V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 338 200 MHz 揮発性 256mbit 35 ns psram 32m x 8 SPI -OCTAL I/O 35ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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