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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
CAT64LC40YI-GT3 Catalyst Semiconductor Inc. CAT64LC40YI-GT3 -
RFQ
 ECAD 7392 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） CAT64LC40 Eeprom 2.5V〜6V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.32.0051 3,000 1 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 256 x 16 spi 5ms
AK93C85AM Asahi Kasei Microdevices/AKM AK93C85am -
RFQ
 ECAD 4403 0.00000000 Asahi Kasei Microdevices/akm - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント - AK93C85 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SSOP ダウンロード 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 16kbit Eeprom 1k x 16 spi -
SM662PAA-BESS Silicon Motion, Inc. SM662PAAベス -
RFQ
 ECAD 7888 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） - 100-BGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-SM662PAA-BESS 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 40gbit フラッシュ 5g x 8 EMMC -
IS61LV6416-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-10KLI-TR -
RFQ
 ECAD 7989 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） IS61Lv6416 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 800 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
71124S12Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71124S12Y -
RFQ
 ECAD 9034 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-BSOJ （0.400 "、10.16mm 幅） 71124S sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
4X70G78061-C ProLabs 4x70G78061-C 145.0000
RFQ
 ECAD 8456 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-4x70G78061-C ear99 8473.30.5100 1
CY7C1021BV33L-15ZXI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1021BV33L-15ZXI 3.8100
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7C1021 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 89 揮発性 1mbit 15 ns sram 64k x 16 平行 15ns
CY7C263-20WC Cypress Semiconductor Corp Cy7C263-20WC -
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） Cy7C263 EPROM -UV 4.5v〜5.5V ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0061 1 不揮発性 64kbit 20 ns eprom 8k x 8 平行 -
C-2400D4DR8S/16G ProLabs C-2400D4DR8S/16G 58.5000
RFQ
 ECAD 1512 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-C-2400D4DR8S/16G ear99 8473.30.5100 1
BQ2024DBZR Texas Instruments BQ2024DBZR 0.9234
RFQ
 ECAD 3625 0.00000000 テキサスの楽器 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜70°C（TA） 表面マウント TO-236-3 BQ2024 eprom -otp 2.65V〜5.5V SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0061 3,000 不揮発性 1.5kbit eprom 32バイトx 6ページ 単一ワイヤ -
S29GL01GT13DHNV23 Infineon Technologies S29GL01GT13DHNV23 16.8525
RFQ
 ECAD 6384 0.00000000 Infineon Technologies gl-t テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL01 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 64-FBGA （9x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,200 不揮発性 1gbit 130 ns フラッシュ 128m x 8 平行 60ns
CAT28LV65XI-15 Catalyst Semiconductor Inc. cat28lv65xi-15 -
RFQ
 ECAD 6184 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） CAT28LV65 Eeprom 3V〜3.6V 28-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 不揮発性 64kbit 150 ns Eeprom 8k x 8 平行 5ms
FM25C040ULMT8 Fairchild Semiconductor FM25C040ULMT8 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） FM25C040 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 1 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8 spi 15ms
S34MS04G100TFB003 Cypress Semiconductor Corp S34MS04G100TFB003 -
RFQ
 ECAD 9913 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-1 テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S34MS04 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit 45 ns フラッシュ 512m x 8 平行 45ns
W25Q32JVSNIQ Winbond Electronics w25q32jvsniq 0.7500
RFQ
 ECAD 8963 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q32JVSNIQ 3A991B1A 8542.32.0071 100 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
CY62146G30-45BVXI Infineon Technologies Cy62146G30-45BVXI 6.3525
RFQ
 ECAD 3329 0.00000000 Infineon Technologies mobl® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy62146 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 4,800 揮発性 4mbit 45 ns sram 256k x 16 平行 45ns
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR Micron Technology Inc. MT29F512G08ELCDBG7-37ES：D Tr -
RFQ
 ECAD 8873 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT46V64M8T67A3WC1 Micron Technology Inc. MT46V64M8T67A3WC1 -
RFQ
 ECAD 6764 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V - 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 揮発性 512mbit ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT47H64M16HR-25E IT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E IT：H TR -
RFQ
 ECAD 5626 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
3TQ36AA-C ProLabs 3TQ36AA-C 56.0000
RFQ
 ECAD 8447 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-3TQ36AA-C ear99 8473.30.5100 1
S70GL02GT12FHAV13 Infineon Technologies S70GL02GT12FHAV13 33.4775
RFQ
 ECAD 6931 0.00000000 Infineon Technologies 自動車、AEC-Q100、GL-T テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga S70GL02 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 2Gbit 120 ns フラッシュ 256m x 8、128m x 16 平行 -
25AA640/S Microchip Technology 25AA640/s -
RFQ
 ECAD 7067 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ 25AA640 Eeprom 1.8V〜5.5V 死ぬ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 不揮発性 64kbit Eeprom 8k x 8 spi 5ms
CY7C128A-25SC Cypress Semiconductor Corp Cy7C128A-25SC 1.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） Cy7C128a sram-非同期 4.5v〜5.5V ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8542.32.0041 1 揮発性 16kbit 25 ns sram 2k x 8 平行 25ns
UPD43256BGU-70Y Renesas Electronics America Inc upd43256bgu-70y 0.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 1
24FC256T-I/ST Microchip Technology 24FC256T-I/ST 1.2000
RFQ
 ECAD 2645 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 24FC256 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 不揮発性 256kbit 400 ns Eeprom 32k x 8 i²c 5ms
S29CD032J0PFAM010 Infineon Technologies S29CD032J0PFAM010 -
RFQ
 ECAD 8959 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 1
AS4C16M16D2-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D2-25BINTR 3.5191
RFQ
 ECAD 5725 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA AS4C16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,500 400 MHz 揮発性 256mbit 400 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
FM24C64FLN Fairchild Semiconductor FM24C64fln 0.5300
RFQ
 ECAD 8822 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） FM24C64 Eeprom 2.5V〜5.5V 8ディップ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 400 kHz 不揮発性 64kbit 900 ns Eeprom 8k x 8 i²c 6ms
CY7C1650KV18-450BZC Infineon Technologies Cy7C1650KV18-450BZC 418.6175
RFQ
 ECAD 7141 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1650 sram- ddr II+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 210 450 MHz 揮発性 144mbit sram 4m x 36 平行 -
71V3579S85PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3579S85PFI 2.0100
RFQ
 ECAD 342 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 71V3579 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4.5mbit 8.5 ns sram 256k x 18 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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