画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IDT71V3557SA80BGGI | - | ![]() | 1459 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 119-BGA | IDT71V3557 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V3557SA80BGGI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 揮発性 | 4.5mbit | 8 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||||
CAT28C256G12 | - | ![]() | 1000 | 0.00000000 | onsemi | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-lcc | CAT28C256 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 32 | 不揮発性 | 256kbit | 120 ns | Eeprom | 32k x 8 | 平行 | 5ms | ||||||
![]() | 71V424S12YGI8 | - | ![]() | 9594 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) | 71V424 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 36-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 4mbit | 12 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | S99AL008J0330 | - | ![]() | 4879 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | R1LV3216RSD-5SI #S0 | - | ![]() | 1792 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 52-TFSOP (0.350 "、幅8.89mm) | R1LV3216 | sram | 2.7V〜3.6V | 52-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 32mbit | 55 ns | sram | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 55ns | ||||
FM24C08ULMT8 | - | ![]() | 2929 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | FM24C08 | Eeprom | 2.7V〜4.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 不揮発性 | 8kbit | 3.5 µs | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 15ms | ||||
![]() | AT49F4096A-70TC | 2.2500 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Atmel | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT49F4096 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B1B1 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 50µs | ||||||
![]() | 7007S55PF | - | ![]() | 4666 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 80-lqfp | 7007S55 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 80-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 揮発性 | 256kbit | 55 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | AT28HC256F-90JC | - | ![]() | 9549 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 32-lcc | AT28HC256 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 32 | 不揮発性 | 256kbit | 90 ns | Eeprom | 32k x 8 | 平行 | 3ms | ||||
![]() | M24C16-WMN6P | 0.2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | バルク | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | M24C16 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 16kbit | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | IDT71T75602S200PFG8 | - | ![]() | 2787 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71T75 | sram- sdr(zbt) | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71T75602S200PFG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.2 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS63WV1288DBLL-10HLI-TR | 1.6544 | ![]() | 9929 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | IS63WV1288 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | Cy14B512q1a-sxi | 6.8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | Cy14B512 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 44 | 40 MHz | 不揮発性 | 512kbit | nvsram | 64k x 8 | spi | - | 確認されていません | |||
AT27C1024-45pc | - | ![]() | 2863 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 穴を通して | 40-dip(0.600 "、15.24mm) | AT27C1024 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 40-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT27C102445PC | 3A991B1B2 | 8542.32.0061 | 10 | 不揮発性 | 1mbit | 45 ns | eprom | 64k x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | S29GL128S10TFIV23 | 4.7250 | ![]() | 7319 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL128 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128mbit | 100 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
70V3589S133DRGI8 | - | ![]() | 7961 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 208-BFQFP | 70V3589 | sram- デュアルポート、同期 | 3.15V〜3.45V | 208-PQFP (28x28) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 200 | 133 MHz | 揮発性 | 2mbit | 4.2 ns | sram | 64k x 36 | 平行 | - | ||||||
![]() | SFEM008GB2ED1TO-I-5E-111-STD | 12.5600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | swissbit | EM-30 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC | - | ||||||||
![]() | AT25080-10PI-1.8 | - | ![]() | 2087 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | AT25080 | Eeprom | 1.8V〜3.6V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 3 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | Cy14b256i-sfxi | 8.8200 | ![]() | 9670 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | CY14B256 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -cy14b256i-sfxi | ear99 | 8542.32.0041 | 690 | 3.4 MHz | 不揮発性 | 256kbit | nvsram | 32k x 8 | i²c | - | |||
![]() | MT58L512L18PS-7.5TR | 10.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | 揮発性 | 8mbit | 4 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | M10162040108X0PWAR | 44.9063 | ![]() | 3663 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | M10162040108 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 1.71V〜2V | 8-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 800-M10162040108X0PWARTR | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 16mbit | ラム | 4m x 4 | - | - | ||||
![]() | Cy14B101L-SZ35xc | - | ![]() | 7925 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | Cy14B101 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 32-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 22 | 不揮発性 | 1mbit | 35 ns | nvsram | 128k x 8 | 平行 | 35ns | ||||
![]() | 71V016SA15BF | 4.1765 | ![]() | 8960 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-lfbga | 71V016 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-cabga | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 476 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | BR24T02FJ-WGE2 | 0.2752 | ![]() | 6070 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | BR24T02 | Eeprom | 1.6V〜5.5V | 8-SOP-J | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | MT29F2G166666666666666 | 4.6600 | ![]() | 2056 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA(10.5x13) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | AT24C08BN-SH-B | - | ![]() | 4785 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT24C08 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 8kbit | 550 ns | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | 70V3379S6PRF | - | ![]() | 8521 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 128-LQFP | 70V3379 | sram- デュアルポート、同期 | 3.15V〜3.45V | 128-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 576kbit | 6 ns | sram | 32k x 18 | 平行 | - | ||||
w25x80vzpig t&r | - | ![]() | 5863 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25x80 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 3ms | |||||
![]() | RC28F128J3F75B TR | - | ![]() | 3619 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-easybga (10x13) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 不揮発性 | 128mbit | 75 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 75ns | ||||
25LC080C-E/ST | 0.8400 | ![]() | 6783 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 25LC080 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms |
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